前文《中國(guó)5G氮化鎵PA產(chǎn)業(yè)及市場(chǎng)分析（上）：百億元前景將至》請(qǐng)關(guān)注集邦咨詢微信公眾號(hào)（微信號(hào)：TRENDFORCE）閱讀。

1GaN 放大器產(chǎn)業(yè)鏈GaN-on-SiC 射頻器件的供應(yīng)商主要為 IDM 企業(yè)，核心產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)包括 SiC 襯底材料制作、GaN 材料外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)和制造、封裝測(cè)試。本文將從 SiC 襯底、GaN 材料外延、器件設(shè)計(jì)和制造三個(gè)環(huán)節(jié)來(lái)闡述。

SiC 襯底行業(yè)觀察SiC 襯底產(chǎn)品按照晶體結(jié)構(gòu)主要分 4H-SiC 和 6H-SiC，4H-SiC 為主流產(chǎn)品，按照性能主要分為半導(dǎo)電型和半絕緣型。硅片拉晶時(shí)和單晶種子大小無(wú)關(guān)，但是 SiC 的單晶種子的尺寸卻直接決定了 SiC 的尺寸，目前主流尺寸是 4-6 英寸，8 英寸襯底已由 II-VI 公司和 Cree 公司研制成功。半導(dǎo)電型 SiC 襯底以 n 型襯底為主，主要用于外延 GaN基 LED 等光電子器件、SiC 基電力電子器件等。

半絕緣型 SiC 襯底主要用于外延制造GaN 高功率射頻器件。SiC 襯底市場(chǎng)的主要供應(yīng)商有美國(guó) Cree（Wolfspeed）、 DowCorning、日本羅姆、美國(guó) II-VI、日本新日鐵住金、瑞典 Norstel（中國(guó)資本收購(gòu)）等。Cree公司的SiC襯底占據(jù)整個(gè)市場(chǎng)40%左右的份額，其次為Ⅱ-Ⅵ公司、日本 ROHM，三者合計(jì)占據(jù) 75%左右的市場(chǎng)份額。

6”半導(dǎo)電型襯底均價(jià)約為 1200 美元，6”襯底價(jià)格在 4”襯底價(jià)格 2 倍以上。Cree 目前的 4”產(chǎn)品沒(méi)有價(jià)格優(yōu)勢(shì)，現(xiàn)階段主要生產(chǎn) 6” SiC 產(chǎn)品，占比 95%以上。據(jù)拓璞了解，其半導(dǎo)電型 SiC 襯底和外延產(chǎn)品在中國(guó)由住友商事代理，半絕緣型 SiC 襯底目前產(chǎn)線緊張，未能賣往中國(guó)市場(chǎng)。SiC 襯底國(guó)內(nèi)供應(yīng)商主要有山東天岳、天科合達(dá)、同光晶體、中科節(jié)能、中電科 46 所和北電新材料。目前主要量產(chǎn)的產(chǎn)品為 3 英寸和 4 英寸，山東天岳、天科合達(dá)、同光晶體和中科節(jié)能均已完成 6 英寸襯底的研發(fā)，天科合達(dá)可批量提供 6 寸半導(dǎo)電性 SiC 襯底。

中國(guó) SiC 襯底發(fā)展很快，但是仍顯不足，目前 70%-80%仍以 Cree等公司的進(jìn)口產(chǎn)品為主，國(guó)內(nèi)廠商的產(chǎn)品約占 10%-20%，主要用于研發(fā)和試樣，主要原因是供貨能力、質(zhì)量及可靠性方面稍顯不足。下游需求主要是中國(guó)中車、中電科 55 所和國(guó)家電網(wǎng)等企業(yè)。但是中國(guó) SiC襯底發(fā)展很快，目前可以實(shí)現(xiàn) 4”襯底的量產(chǎn)，價(jià)格相比 Cree 有較大優(yōu)勢(shì)，2017 年底 4”襯底產(chǎn)能可達(dá) 15 萬(wàn)片/年。

重點(diǎn)企業(yè)介紹

（1）山東天岳2018 年 11 月，山東天岳在湖南瀏陽(yáng)啟動(dòng)中國(guó)最大的 SiC 襯底項(xiàng)目-湖南天玥科技有限公司。項(xiàng)目資料顯示，該項(xiàng)目總投資 30 億元，項(xiàng)目分兩期建設(shè)，一期占地 156 畝，主要生產(chǎn)碳化硅導(dǎo)電襯底，預(yù)估年產(chǎn)值 13 億元；二期主要生產(chǎn)功能器件，包括電力器件封裝、模塊及裝置、新能源汽車及充電站裝置、軌道交通牽引變流器、太陽(yáng)光伏逆變器等，預(yù)估年產(chǎn)值 50-60 億元。

（2）天科合達(dá)天科合達(dá)主要產(chǎn)品包括 4” SiC 晶片生產(chǎn)(6 英寸未量產(chǎn))和 SiC 單晶生長(zhǎng)設(shè)備。根據(jù)從天科合達(dá)總經(jīng)理?xiàng)罱√幩@得的信息，天科合達(dá)約有 100 多臺(tái)長(zhǎng)晶爐，4”半導(dǎo)電型 SiC 晶片產(chǎn)能約為 2 萬(wàn)片/年。天科合達(dá)的前 4 客戶需求為 20 萬(wàn)片/年。天科合達(dá)正在繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能,計(jì)劃擴(kuò)充 3 倍。2018 年 10 月，天科合達(dá)在徐州經(jīng)開(kāi)區(qū)投資的碳化硅晶片項(xiàng)目正式簽約。

（3）河北同光河北同光主要產(chǎn)品包括 4”和 6”導(dǎo)電型、半絕緣碳化硅襯底，其中 4 英寸襯底已達(dá)到世界先進(jìn)水平。2017 年 10 月，同光聯(lián)合清華大學(xué)、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、河北大學(xué)共同搭建了“第三代半導(dǎo)體材料檢測(cè)平臺(tái)”，推動(dòng)了國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

（4）中科節(jié)能2017 年 7 月，中科節(jié)能與青島萊西市、國(guó)宏中晶簽訂合作協(xié)議，投資建設(shè) SiC 長(zhǎng)晶生產(chǎn)線項(xiàng)目。該項(xiàng)目總投資 10 億元，項(xiàng)目分兩期建設(shè)，一期投資約 5 億元，預(yù)計(jì) 2019 年 6 月建成投產(chǎn)，建成后可年產(chǎn) 5 萬(wàn)片 4” N 型 SiC 晶體襯底片和 5 千片 4” 高純度半絕緣型 SiC 晶體襯底片；二期投資約 5 億元，建成后可年產(chǎn) 5 萬(wàn)片 6” N 型 SiC 晶體襯底片和 5 千片 4”高純度半絕緣型 SiC 晶體襯底片。

（5）北電新材料Norstel 成立于 2005 年，是從硅晶圓片制造商 Okmetic Oyj 分離出來(lái)的企業(yè)，位于瑞典 Norrk?ping 的工廠建成于 2006 年。Norstel采用用高溫化學(xué)氣相沉積(HTCVD)專利技術(shù)，生產(chǎn)高質(zhì)量大尺寸的SiC 襯底和外延片。2017 年三安光電參與管理的基金收購(gòu) Norstel，其后成立福建北電新材料，2019 年三安選擇將 Norstel55%股權(quán)出售給意法半導(dǎo)體，拓璞推測(cè)原因?yàn)槿惨?Norstel 的技術(shù)吸收完畢。GaN 材料外延射頻器件主要以GaN-on-SiC為主要技術(shù)路線，主流尺寸是4英寸和6英寸，預(yù)計(jì)到2020年，隨著6英寸SiC襯底價(jià)格不斷下降，6英寸外延將成為重點(diǎn)。此外，基于高阻硅的GaN-on-Si未來(lái)有望在高頻-低功率市場(chǎng)打破GaN-on-SiC在射頻器件的壟斷局面，例如未來(lái)5G將大規(guī)模應(yīng)用的小基站市場(chǎng)，美國(guó)MACOM公司主要采用GaNon-Si技術(shù)制造射頻器件。GaN射頻外延企業(yè)主要有比利時(shí)的EpiGaN、英國(guó)的IQE、日本的NTT-AT。中國(guó)廠商有蘇州晶湛、蘇州能華和世紀(jì)金光，蘇州晶湛2014年就已研發(fā)出8”硅基外延片，現(xiàn)階段已能批量生產(chǎn)。蘇州能華主要面向太陽(yáng)能發(fā)電、電力傳輸?shù)入娏︻I(lǐng)域。世紀(jì)金光在SiC、GaN領(lǐng)域的粉料、單晶、外延、器件和模塊都有涉及。

GaN 器件設(shè)計(jì)與制造GaN射頻器件主要有HEMT和HBT兩大工藝。射頻工藝主要跟柵長(zhǎng)及偏置電壓（Bias）有關(guān)，工藝制程越低，器件頻率越高。0.5μm柵長(zhǎng)和高偏置(40到50V)，主要瞄準(zhǔn)高功率、頻率Sub-8GHz器件；0.25μm柵長(zhǎng)和中偏置(28到30V)，主要瞄準(zhǔn)更高頻率(約18GHz)的器件； 0.15μm-0.1μm柵長(zhǎng)，主要瞄準(zhǔn)毫米波器件(30GHz以上)?，F(xiàn)階段GaN射頻器件主流工藝制程正從0.25μm-0.5μm向0.15μm-0.1μm過(guò)渡。Qorvo正在進(jìn)行90nm工藝的研發(fā)，Cree及穩(wěn)懋主要制程工藝在0.25-0.5μm之間。 粉料、單晶、外延、器件和模塊都有涉及。

IDM 企業(yè)全球基站端射頻器件的供應(yīng)商以 IDM 企業(yè)為主，主要有日本住友電工旗下的 SEDI 公司（Sumitomo Electric Device Innovations）、Infineon（RF 部門已出售給 Cree）、美國(guó) Cree 旗下 Wolfspeed 公司、Qorvo 公司、MACOM 公司、Ampleon、韓國(guó) RFHIC 等。全球 GaN 射頻器件供應(yīng)商中，住友電工和 Cree 是行業(yè)的龍頭企業(yè)，市場(chǎng)占有率均超過(guò) 30%，其次為 Qorvo 和 MACOM。住友電工在無(wú)線通信領(lǐng)域市場(chǎng)份額較大，其已成為華為核心供應(yīng)商，為華為 GaN射頻器件最大供應(yīng)商。

Cree 收購(gòu)英飛凌 RF 部門后實(shí)力大增，LDMOS產(chǎn)品和 GaN 產(chǎn)品在全球都比較有競(jìng)爭(zhēng)力。Qorvo 在國(guó)防和航天領(lǐng)域市場(chǎng)份額排名第一。中國(guó) GaN 器件 IDM 企業(yè)有蘇州能訊、英諾賽科，大連芯冠科技正在布局，海威華芯和三安集成可提供 GaN 器件代工服務(wù)，其中海威華芯主要為軍工服務(wù)。中電科 13 所、55 所同樣擁有 GaN 器件制造能力。代工企業(yè)代工廠商主要有環(huán)宇通訊半導(dǎo)體（GCS）、穩(wěn)懋半導(dǎo)體、日本富士通、Cree、臺(tái)灣嘉晶電子、臺(tái)積電、歐洲聯(lián)合微波半導(dǎo)體公司（UMS），以及中國(guó)的三安集成和海威華芯。此前恩智浦 RF 部門（安譜隆前身） 、英飛凌 RF 部門（已出售給 Cree）、韓國(guó) RFHIC 將 GaN 射頻器件委托Cree 公司代工。MACOM 收購(gòu) Nitronex 在 2011 年就與環(huán)宇通訊半導(dǎo)體（GCS）公司合作生產(chǎn) Si 基 GaN 器件，一直合作至今。2016 年三安光電收購(gòu) GCS 被美國(guó)否決，其后三安光電與 GCS 合資設(shè)立廈門三安環(huán)宇集成電路公司，前期主要生產(chǎn) 6 英寸 GaAs 晶圓。重點(diǎn)企業(yè)介紹（1）住友電工日本住友電工旗下的 SEDI 公司（Sumitomo Electric DeviceInnovations）主要生產(chǎn) GaAs 低噪聲放大器（LNA）、 GaN 放大器、光收發(fā)器及模塊，其中 GaN 放大器可應(yīng)用于衛(wèi)星通信、無(wú)線基站、雷達(dá)站等領(lǐng)域，基站端 GaN 放大器包括驅(qū)動(dòng)級(jí) PA 和末級(jí) PA，主要產(chǎn)品為 40W 以下產(chǎn)品，頻率在 DC~3.7GHZ，主工作頻率為 2.65GHZ。住友電工為全球 GaN 射頻器件第一大供應(yīng)商，同時(shí)也是華為GaN 射頻器件第一大供應(yīng)商，住友電工還向華為供應(yīng)大量的光收發(fā)器及模塊，位列華為 50 大核心供應(yīng)商之列。除此之外，住友電工壟斷全球 GaN 襯底市場(chǎng)，其技術(shù)在業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先地位。

（2）CreeCree 公司是全球最大的 SiC 和 GaN 器件制造商，主要由其子公司 Wolfspeed 經(jīng)營(yíng) RF 業(yè)務(wù)。2018 年，Cree 以 3.45 億歐元收購(gòu)英飛凌 RF 部門，英飛凌為 LDMOS 放大器主要供應(yīng)商，同時(shí)擁有 GaNon-SiC/Si 器件生產(chǎn)能力。收購(gòu)?fù)瓿珊?，Cree 將成為全球最大的 GaN射頻器件供應(yīng)商。Cree 除自身生產(chǎn) GaN 射頻器件外，還擁有 GaN 代工生產(chǎn)能力。Wolfspeed 現(xiàn)主要有電力器件、RF 器件及材料三大業(yè)務(wù)，2018 財(cái)年?duì)I收為 3.29 億美元，占 Cree 總營(yíng)收的比例為 22%，相比于 2017 年 2.2 億美元同比增長(zhǎng) 49%。增長(zhǎng)的主要原因是器件銷售同比增長(zhǎng) 30%，器件的平均售價(jià)（ASP）同比增長(zhǎng) 21%。

Cree 公司射頻放大器產(chǎn)品種類合計(jì) 81 個(gè)，頻率涵蓋范圍從0.47GHz 到 6.0GHz，其中 3.0GHz 以下采用 LDMOS 技術(shù)，3.0GHz 采用 GaN HEMT 技術(shù)。GTRA364002FC 、 GTRA362802FC 和GTRA362002FC 為 GaN 放大器高功率產(chǎn)品，最高峰值功率達(dá) 400W，主要應(yīng)用于 5G 基站。此外，Cree 擁有眾多低功率 GaN 射頻產(chǎn)品，平均功率為 10W 以下，主要應(yīng)用于 WiMax 和 BWA，未來(lái)有望于在小基站領(lǐng)域應(yīng)用。

（3）QorvoQorvo QorvoQorvo 從 1999 年起推動(dòng) GaN 研究，Qorvo 能提供 Sub-6GHz、厘米波/毫米波無(wú)線射頻產(chǎn)品。Qorvo 在國(guó)防和有線行業(yè)的 GaN-onSiC 解決方案供應(yīng)量全球第一。Qorvo 的所有 GaN 產(chǎn)品在 200℃條件下的平均無(wú)故障時(shí)間（MTTF）均超過(guò) 107 小時(shí)，還是能承受高加速應(yīng)力測(cè)試（HAST）的器件。此項(xiàng)測(cè)試在 105℃、85%相對(duì)濕度且大氣壓不超過(guò) 4atm 的條件下對(duì)器件性能進(jìn)行 96 小時(shí)的測(cè)量。Qorvo 營(yíng)收主要由兩大部門構(gòu)成，即移動(dòng)器件部門（MP）和基礎(chǔ)設(shè)施及國(guó)防器件部門（IDP）。 IDP 器件部門提供 GaAs 和 GaN 放大器、LNA、射頻開(kāi)關(guān)等。IDP 部門 2018 財(cái)年?duì)I收為 7.9 億美元，同比增長(zhǎng) 29.9%，主要原因是國(guó)防及航空領(lǐng)域的旺盛需求，以及 WIFI 模塊的銷售高速增長(zhǎng)。

Qorvo 在 2018 年 3 月推出了全球功率最高的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC) RF晶體管-QPD1025，QPD1025在65V下運(yùn)行1.8KW，與 LDMOS 相比，QPD1025 的漏極效率有了顯著提升，效率高出近15 個(gè)百分點(diǎn)， QPD1025 主要應(yīng)用在航空及國(guó)防領(lǐng)域。Qorvo 在 5G 基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的產(chǎn)品眾多，包括放大器、低噪聲放大器（LNA）、數(shù)字步進(jìn)衰減器、射頻開(kāi)關(guān)等。18GHz 以上的 PA 合計(jì)達(dá) 13 款，最高頻率可達(dá) 47GHz。基站端的主要產(chǎn)品是 QPA 系列和QPD 系列，QPD0020 的漏極效率達(dá)到了 77.8%，行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先地位。

（4）MACOMMACOM 收購(gòu) Nitronex，獲得了 GaN-ON-Si 技術(shù)，成本比 GaNON-Si 低許多。Nitronex 在 2011 年就與環(huán)宇通訊半導(dǎo)體（GCS）公司合作生產(chǎn) Si 基 GaN 器件，一直合作至今。MACOM 和意法半導(dǎo)體（ST）展開(kāi)合作，將在意大利 Catania 和新加坡分別建設(shè)射頻放大器晶圓廠，主要是 6”/8”的 GaN-ON-Si 產(chǎn)品，兩個(gè)基地在 2022 年產(chǎn)值預(yù)計(jì)達(dá) 30 億美元，制程工藝由 0.5μm向 0.25μm 和 0.15μm 演進(jìn)。2019MWC 會(huì)議上，MACOM 發(fā)布了 MAGX-102731-180 PA 產(chǎn)品，頻率范圍為 2.7-3.1GHz，峰值輸出功率達(dá) 180W，漏極效率大于50%。從圖 7 上看，50V/100mA 情形下，GaN-on-SiC 產(chǎn)品和 MACOMGaN-on-Si 產(chǎn)品 Pout 值高于 LDMOS 產(chǎn)品，MACOM GaN-on-Si 產(chǎn)品甚至優(yōu)于 GaN-on-SiC 產(chǎn)品。

MACOM 公司的 GaN-on-Si 放大器產(chǎn)品如表10 所示，高頻段產(chǎn)品 MAGx-011086 輸出功率和效率不是很高，2019MWC 大會(huì)發(fā)布的MAGX-102731-180 未來(lái)有望在市場(chǎng)上有較好的表現(xiàn)。

（5）Ampleon2015 年，Ampleon 承接了從 NXP 中剝離出來(lái)的射頻部門，北京建廣資產(chǎn)收購(gòu)后組建 Ampleon 集團(tuán)。2016 年，Ampleon 在合肥開(kāi)設(shè)RF 能源卓越中心，Ampleon 生產(chǎn)的 LDMOS 和 GaN 射頻器件供應(yīng)全球通訊設(shè)備廠商，如華為、諾基亞、愛(ài)立信、中興以及三星等。Ampleon 產(chǎn)品可應(yīng)用于國(guó)防及航空航天、手機(jī)射頻、廣播及無(wú)線通信領(lǐng)域。Ampleon 現(xiàn)階段出貨量最大的仍是 LDMOS 產(chǎn)品，主要為 2.4GHz-2.7GHz 頻段。Ampleon 的 GaN 放大器產(chǎn)品主要分 2 個(gè)頻段，3.5GHz 以下和6.1GHz 以下，CLF1G0035-200P 的最高輸出功率達(dá) 200W，漏極效率為 48%。CLF1G0035 系列產(chǎn)品為高功率產(chǎn)品，主要應(yīng)用于宏基站、國(guó)防及航空領(lǐng)域。CLF1G0060 系列產(chǎn)品為低功率產(chǎn)品，輸出功率不高于30W，主要應(yīng)用為小基站。

（6）蘇州能訊蘇州能訊成立于 2007 年，是中國(guó)比較領(lǐng)先的 GaN 射頻功率器件的 IDM 公司。根據(jù)從蘇州能訊半導(dǎo)體總經(jīng)理任勉所獲得的信息，蘇州能訊從成立到現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)行了三輪融資，總共投入約 10 億人民幣，其第一規(guī)模工廠（FAB1）位于蘇州昆山高新區(qū)，工廠占地 55 畝，廠房面積為 18000 平方米，經(jīng)過(guò)第三輪 5 億元融資后，現(xiàn)有產(chǎn)線改造擴(kuò)容結(jié)束將具備年處理 4 英寸 GaN 晶圓 5 萬(wàn)片/年（約折合 2000 萬(wàn)支器件）的能力。若 GaN 器件在 5G 市場(chǎng)部署時(shí)如期爆發(fā)，蘇州能訊未來(lái)將規(guī)劃建設(shè) FAB2， FAB2 規(guī)劃為 6 英寸產(chǎn)線，資本投入將會(huì)是 FAB1的三倍以上。蘇州能訊推出了頻率高達(dá) 6GHz、工作電壓 48/28V、輸出功率從10W-390W 的射頻器件。在移動(dòng)通信方面，蘇州能訊可提供適應(yīng) 4G及 5G 的高效率和高增益的射頻器件，工作頻率涵蓋 1.8-3.8GHz，工作電壓 48V，設(shè)計(jì)功率從 130W-390W，平均功率為 16W-55W。

（7）英諾賽科英諾賽科由海歸創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)成立，擁有硅基 GaN 外延生長(zhǎng)及器件制造能力。一期項(xiàng)目位于珠海市國(guó)家級(jí)高新區(qū)，主要建設(shè) 8 英寸增強(qiáng)型硅基氮化鎵外延與器件大規(guī)模量產(chǎn)生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括 100V650V 8 英寸硅基氮化鎵外延片、100V-650V 氮化鎵功率器件、氮化鎵集成電路。2018 年，英諾賽科斥資 60 億在蘇州吳江建立生產(chǎn)線，產(chǎn)品規(guī)劃覆蓋低壓至高壓半導(dǎo)體功率器件和射頻器件。目前還沒(méi)有GaN-on-SiC 射頻產(chǎn)品。

（8）海威華芯成都海威華芯科技有限公司由海特高新和央企中電科 29 所合資組建。2015 年 1 月，海特高新以 5.55 億元收購(gòu)海威華芯原股東股權(quán)，并以增資的方式取得海威華芯 52.91%的股權(quán)，成為其控股股東，從而涉足高端化合物半導(dǎo)體集成電路芯片研制領(lǐng)域。海威華芯是一家純晶圓代工企業(yè)，是國(guó)內(nèi)較為領(lǐng)先的 6”GaAs 晶圓代工企業(yè)，主要為軍工企業(yè)服務(wù)。海威華芯 6 英寸第二代/第三代半導(dǎo)體集成電路芯片生產(chǎn)線于 2011 年開(kāi)工建設(shè)， 2016 年 4 月完成工程建設(shè)，于 2016 年 8 月投入試生產(chǎn)。該生產(chǎn)線設(shè)計(jì)產(chǎn)能為 6” GaAs芯片 40000 片/年，GaN 芯片 30000 片/年，SIP 封裝（微波組件）30000 片/年。但實(shí)際工程建設(shè)中，SIP 封裝（微波組件）并未建設(shè)。 此外，海威華芯正在積極涉足 GaN 功率器件及射頻器件領(lǐng)域，其 0.5μm 的 HEMT 工藝技術(shù)在 6” GaN 上驗(yàn)證成功。

（9）三安集成三安集成是中國(guó)第一家 6 英寸化合物半導(dǎo)體晶圓制造企業(yè)，規(guī)劃中的產(chǎn)品包括用于射頻、毫米波、電力電子和光通信市場(chǎng)的砷化鎵(GaAs) HBT、pHEMT、BiHEMT、IPD、濾波器、氮化鎵(GaN)功率器件HEMT、碳化硅(SiC)和磷化銦(InP)。三安集成通訊微電子器件項(xiàng)目位于廈門火炬（翔安）產(chǎn)業(yè)園，總投資為 30 億元。規(guī)劃產(chǎn)能為 30 萬(wàn)片/年 GaAs 高速半導(dǎo)體外延片及 30 萬(wàn)片/年 GaAs 高速半導(dǎo)體芯片、6萬(wàn)片/年 GaN 高功率半導(dǎo)體外延片及 6 萬(wàn)片/年 GaN 高功率半導(dǎo)體芯片。根據(jù)渠道消息獲知，三安集成的 PA、電力電子器件已經(jīng)正常出貨。

2拓璞觀點(diǎn)觀點(diǎn)一：GaN 放大器市場(chǎng)將在 2020 年迎來(lái)爆發(fā)2019 年中國(guó) 5G 建設(shè)元年， 2020 年為爆發(fā)年，依據(jù)本文的測(cè)算，基站端 GaN 放大器市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 32.7 億元，同比增長(zhǎng) 340.8%。GaN 放大器需求數(shù)量在2019-2023年保持快速增長(zhǎng)， 2023年達(dá)18117萬(wàn)個(gè)，按照 4” GaN 晶圓切 400 個(gè)計(jì)算，則需要 GaN 晶圓數(shù)量達(dá) 45 萬(wàn)片。

觀點(diǎn)二：中國(guó) SiC 襯底和 GaN 放大器企業(yè)將迎來(lái)大機(jī)遇。山東天岳、天科合達(dá)、同光晶體、中科節(jié)能、中電科 46 所和北電新材料是構(gòu)成中國(guó) SiC 襯底的主要企業(yè)，目前主要生產(chǎn) 4” 半導(dǎo)電型 SiC 襯底，年產(chǎn)能約為 15 萬(wàn)片/年，市場(chǎng)需求在 20 萬(wàn)片/年以上，產(chǎn)能將繼續(xù)擴(kuò)張。但是用于 GaN 放大器生產(chǎn)用的半絕緣型 SiC 襯底目前出貨較少，河北同光和中科節(jié)能能少量出貨。由于 Cree 半絕緣型產(chǎn)品產(chǎn)能緊張，中國(guó)半絕緣型 SiC 襯底市場(chǎng)將持續(xù)緊張。GaN 放大器以 IDM 企業(yè)為主，中國(guó)蘇州能訊和將在合肥落地的安譜隆是少數(shù)幾家擁有出貨能力的 GaN 放大器企業(yè)?，F(xiàn)階段 50V 工作電壓，頻率在 3.5GHz 以下的 GaN 放大器價(jià)格在 10 美元-12 美元之間。若蘇州能訊 4 英寸 GaN 晶圓 5 萬(wàn)片的年產(chǎn)能完全達(dá)產(chǎn)，產(chǎn)值將達(dá) 2 億美元。此外，英諾賽科、大連芯冠、海威華芯、三安集成都在積極布局 GaN 放大器市場(chǎng)。中國(guó) 5G 建設(shè)給 GaN 放大器企業(yè)提供了巨大機(jī)遇。

Source：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院