【原】并購|德國英飛凌收購美國Wolfspeed，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)云巨變？

大國重器元器件 2020-09-11

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親耐的小伙伴們：

今天，第十屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件分會年會（CSDD）在吉林召開，我們的“本征”和“赤兔”已奔赴會場。如果你們也參會了，他們可能就坐在你旁邊呢！明天早上7點半，公號將推送他們從現(xiàn)場發(fā)回的最新報道，咱們不見不散。明早7點半哦。

7月中旬，德國英飛凌（Infineon）公司宣布已與美國科瑞（Cree）公司簽訂最終協(xié)議，將以8.5億美元收購Cree公司的碳化硅（SiC）襯底業(yè)務(wù)和旗下Wolfspeed公司。該交易需等待監(jiān)管機構(gòu)審批，預(yù)計今年年末完成。（本想等到最終審批通過再寫，實在夠重磅，還是現(xiàn)在就拋磚引玉吧）。

Wolfspeed的獨立緣由

Wolfspeed是Cree公司功率和射頻分部的名稱，于2015年獨立運營，擁有世界上最大的SiC和氮化鎵（GaN）功率和射頻器件生產(chǎn)能力，是經(jīng)美國國防部認證的“可信供應(yīng)商”之一，GaN器件的制造成熟度達到8級（MRL 8）。

Cree公司將Wolfspeed獨立出來是希望進行IPO，該設(shè)想曾在當(dāng)時引起巨大關(guān)注。Cree公司的利潤主要來源于照明市場，想通過將Wolfspeed獨立出來以專攻功率和射頻市場，利用其具有優(yōu)勢的GaN和SiC產(chǎn)品充分抓住該領(lǐng)域的巨大市場機會。Cree原本計劃保持對Wolfspeed的持股，并通過為其他企業(yè)提供GaN和SiC代工服務(wù)以及IP，來收回研發(fā)投入。2016年初，Cree宣布將Wolfspeed IPO推遲至下半年，沒想等來了英飛凌公司的收購。

英飛凌的近期舉動

2014年9月，英飛凌收購了美國國際整流器（IR）公司，不僅在英飛凌現(xiàn)有功率器件產(chǎn)品線中增加了IR的硅基MOSFET、IGBT、功率模塊和功率管理集成電路，還將英飛凌的硅基氮化鎵產(chǎn)品市場拓展至IR的原有客戶。收購IR后，英飛凌在功率半導(dǎo)體器件市場的霸主地位得到強有力的鞏固。

收購意義-功率領(lǐng)域

整個功率器件市場年規(guī)模大約在200～300億美元，硅基產(chǎn)品占據(jù)主要利潤；GaN和SiC具有卓越的性能，但才開始占據(jù)市場。未來，隨著對提升轉(zhuǎn)換效率需求的增加，以及互連設(shè)備數(shù)量爆炸式的增長，GaN和SiC將迅速奪取硅基功率器件所持有的市場份額。

英飛凌收購了Wolfspeed，其產(chǎn)品線新增SiC技術(shù)，技術(shù)實力完整覆蓋硅、GaN和SiC，意味著可以滿足任何需求，從對成本最敏感的應(yīng)用到需要最高性能的應(yīng)用等。英飛凌將驅(qū)動功率器件市場從硅轉(zhuǎn)向化合物半導(dǎo)體，以及開啟新的應(yīng)用領(lǐng)域，掌握化合物功率器件市場的絕對話語權(quán)。

收購意義-射頻領(lǐng)域

GaN射頻器件可提供更高的工作頻率和更寬的帶寬，受到射頻市場的關(guān)注。在過去幾年中，受中國LTE基站建設(shè)的帶動，整個射頻功率市場，尤其是GaN射頻器件，利潤呈現(xiàn)爆炸式增長。但中國LTE的部署預(yù)計將于今年年底結(jié)束，此后無線通信基礎(chǔ)設(shè)施對射頻功率市場仍將起到積極的推動作用，但增速可能放緩。

英飛凌收購了Wolfspeed，將擴展英飛凌的射頻功率產(chǎn)品線，從收購之前的LDMOS產(chǎn)品為主、GaN射頻器件為輔的局面變?yōu)榫哂凶吭降腉aN射頻器件能力，如在收購前，英飛凌的產(chǎn)品手冊上有96個LDMS功率器件和7個GaN器件。但利潤增長率可能不及功率器件市場。Wolfspeed射頻GaN利潤主要來源于國防和無線通信基礎(chǔ)設(shè)施。如要保證在國防領(lǐng)域的利潤，英飛凌就必須保證減少美國國防部對器件使用安全的擔(dān)心。而在無線通信基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域，一方面整體發(fā)展態(tài)勢可能走弱，另一方面，Wolfspeed所占份額也不如日本的住友（SEDI）。

總結(jié)

毋庸置疑，收購Wolfspeed將進一步完善和完備英飛凌功率器件技術(shù)和產(chǎn)品，強化英飛凌在化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位和市場份額。英飛凌面臨的挑戰(zhàn)是如何從硅合理演進到化合物半導(dǎo)體，以保證其利潤的最大化。

相關(guān)信息

為了促進以GaN和SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件的發(fā)展，美國國防先期研究計劃局（DARPA）于2002～2008年啟動了“寬禁帶半導(dǎo)體科技倡議（WBGSTI）”項目，Cree公司是重要的參研方之一。Cree在該項目的支持下取得了多項成果，也因此奠定了今日在SiC和GaN領(lǐng)域的地位。

Cree是美國國防部認證的“可信供應(yīng)商”之一，提供的可信制造能力包括0.4um、0.25um和140nm GaN工藝。不過這些工藝也可分別由BAE、M/A-COM、RF Micro和TriQuint等公司提供。所以，不會存在該企業(yè)一旦被收購，國防部在該器件領(lǐng)域的制造就得委托外國代工廠的問題。