本公眾號【讀芯樹:duxinshu_PD】主要介紹數(shù)字集成電路物理設計(PD)相關知識,才疏學淺,如有錯誤,歡迎指正交流學習。
這是集成電路物理設計的第一個系列【physical cell】的第四篇文章,本篇文章主要講解Filler Cell相關知識: 1,什么是Filler Cell?
Filler Cell內部沒有任何邏輯連接關系,只包含:nWell, pWelll, n-implant, p-implant, poly和metal層,沒有input pin和output pin。 Filler Cell 用于連接ROW上的VDD和VSS,同時將襯底連接起來。
2,為什么需要insert Filler Cell? 在放置完所有的standand cell和macro之后,standand cell (macro)之間會存在很多gap,這些gap 會將ROW上的VDD和VSS切斷,同時nWell和pWell也會斷開,這會產(chǎn)生大量的DRC Violations。 為保證電源網(wǎng)絡的完整連接,well layer和implant layer的連續(xù)性,需要加入Filler Cell將其連接起來。
3,如何Insert Filler Cell?
4,為什么需要連續(xù)的nWell和implant區(qū)域?
如果是連續(xù)的nWell和implant layer,這有利于foundary生產(chǎn)mask,減少工藝的復雜度。 如果nWell和implant layer不連續(xù),這會有DRC問題,影響芯片良率(well proximity effect)。 如果nWell和implant layer不連續(xù),這會產(chǎn)生很多獨立的nWell isoland,這需要額外的well tap cell的使用,會增加額外的面積。
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