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40年研究、兩度賣房,82歲老教授研發(fā)中國(guó)第一代IGBT、GATH管

 leafcho 2022-05-28 發(fā)布于浙江
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“世界功率器件市場(chǎng)規(guī)模220億美元,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占一半以上。但90%依賴進(jìn)口,特別是高端芯片。”李思敏感慨,九十年代那會(huì)兒,國(guó)產(chǎn)與國(guó)際先進(jìn)水平的半導(dǎo)體器件仍然有很大差距。

上世紀(jì)80年代,中國(guó)半導(dǎo)體器件從第一代電子管向第二代晶體管的過(guò)渡,而世界已經(jīng)進(jìn)入現(xiàn)代電力電子器件時(shí)代,IGBT即將成為主流。

直到九十年代,中國(guó)的第一支高壓IGBT才誕生,這款芯片由功率半導(dǎo)體器件專家黃勤設(shè)計(jì),李思敏負(fù)責(zé)工藝制作。

半導(dǎo)體行業(yè)按照產(chǎn)品分為兩大類,一類相當(dāng)于人類的大腦神經(jīng),這就是目前鬧供應(yīng)荒的緊缺的集成電路芯片(Integrated Circuit Chip);另一類相當(dāng)于人的四肢,被稱為功率半導(dǎo)體器件(Power Semiconductor Device),中高端產(chǎn)品同樣高度依賴進(jìn)口。

IGBT,絕緣柵極雙極型晶體管,小到電焊機(jī)、電磁爐,中到新能源汽車充電樁,大到軌道交通、電網(wǎng)、航空航天、風(fēng)電風(fēng)機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)的“CPU”都是它,應(yīng)用場(chǎng)景廣泛。

在半導(dǎo)體芯片這樣的重要技術(shù)元件上,越是依賴進(jìn)口,就越是容易被進(jìn)口國(guó)家“卡脖子”。

2020年,中美關(guān)系陷入緊張,美方宣布對(duì)部分中國(guó)企業(yè)進(jìn)行制裁,嚴(yán)密監(jiān)控對(duì)中國(guó)的芯片出口,一場(chǎng)沒(méi)有硝煙的戰(zhàn)爭(zhēng)就此拉開(kāi)。而隨著疫情到來(lái),全球陷入芯片短缺危機(jī),加快了中國(guó)功率芯片研究的步伐。

半導(dǎo)體芯片技術(shù)是幾乎所有現(xiàn)代技術(shù)的基礎(chǔ),高鐵、軌道交通、風(fēng)電、電網(wǎng)、船舶、軍工、大型設(shè)備等國(guó)家支柱行業(yè)都離不開(kāi)功率芯片。

然而設(shè)計(jì)制造一款新型芯片,動(dòng)輒耗費(fèi)千萬(wàn)、耗時(shí)數(shù)年。

主要難在架構(gòu)設(shè)計(jì)、制造工藝、研發(fā)周期上:設(shè)計(jì)一款芯片,科研人員要芯片“規(guī)范”,定義諸如指令集、功能、輸入輸出管腳、性能與功耗等關(guān)鍵信息,將電路劃分成多個(gè)小模塊,清晰地描述出對(duì)每個(gè)模塊的要求。然后由“前端”設(shè)計(jì)人員根據(jù)每個(gè)模塊功能設(shè)計(jì)出“電路”,運(yùn)用計(jì)算機(jī)語(yǔ)言建立模型并驗(yàn)證其功能準(zhǔn)確無(wú)誤?!昂蠖恕痹O(shè)計(jì)人員則要根據(jù)電路設(shè)計(jì)出“版圖”,將數(shù)以億計(jì)的電路按其連接關(guān)系,有規(guī)律地翻印到一個(gè)硅片上。至此,芯片設(shè)計(jì)才算完成。如此復(fù)雜的設(shè)計(jì),不能有任何缺陷,否則無(wú)法修補(bǔ),必須從頭再來(lái)。

制造工藝復(fù)雜。一條芯片制造生產(chǎn)線大約涉及50多個(gè)行業(yè),一般要經(jīng)過(guò)2000至5000道工藝流程。

投入大、研制周期長(zhǎng)。一款復(fù)雜芯片,從研發(fā)到量產(chǎn),要投入大量人力、物力和財(cái)力,時(shí)間至少要3至5年,甚至更長(zhǎng)。IC是如此,功率芯片也是如此。

研發(fā)一款新芯片需要研發(fā)團(tuán)隊(duì)、資金、產(chǎn)業(yè)鏈相互配合,其中研發(fā)者對(duì)新技術(shù)路線的判斷與堅(jiān)持尤為重要。

“在半導(dǎo)體的路上,沒(méi)有捷徑,我們只能去走最艱苦的道路?,F(xiàn)在做最難的事才能讓以后變得容易?!崩钏济舻呐畠豪钸B宇告訴小飯桌。

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- 功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍 -

李思敏是中國(guó)第一個(gè)高壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的參與制造者,創(chuàng)立了半導(dǎo)體公司優(yōu)捷敏,先后研發(fā)了GAT管、GATH管,獲得10多項(xiàng)中國(guó)專利。如今李思敏已82歲,依舊在技術(shù)研發(fā)上孜孜不倦:他新開(kāi)發(fā)出的取代MOS管的逆導(dǎo)型聯(lián)柵晶體管(RCGAT),已進(jìn)入流水線制造階段。

82歲的李思敏與他的芯片夢(mèng)

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- 優(yōu)捷敏創(chuàng)始人&CTO李思敏 -

李思敏的芯片夢(mèng)植根于青少年時(shí)期。1956年,16歲的李思敏考上了北京大學(xué)物理系,學(xué)習(xí)半導(dǎo)體物理;大學(xué)時(shí),李思敏曾和同學(xué)們目睹前蘇聯(lián)的人造衛(wèi)星飛過(guò)頭頂,在那個(gè)技術(shù)匱乏、工業(yè)基礎(chǔ)薄弱的年代,這群青年人在心中默默地埋下了科技報(bào)國(guó)的種子。為著這顆種子,李思敏付出了半生的時(shí)間。

大學(xué)畢業(yè)后,李思敏被分配到了北京市無(wú)線電器件研究所。1983年,參加了與清華大學(xué)微電子所聯(lián)合攻關(guān)的8085微處理器的工作。他的經(jīng)歷覆蓋了半導(dǎo)體行業(yè)多個(gè)產(chǎn)品領(lǐng)域。

上世紀(jì)80年代初,全世界的第三代半導(dǎo)體功率器件研究正如火朝天。以金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)為主的第三代功率器件興起,彼時(shí)的中國(guó),正處于百?gòu)U待興的改革開(kāi)放浪潮之中,半導(dǎo)體器件還在從第一代電子管向第二代晶體管過(guò)渡。

而當(dāng)時(shí),IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美、日本半導(dǎo)體廠商所掌控,全世界的IGBT芯片的進(jìn)口都仰賴于此,中國(guó)也不例外。

那時(shí)期,中國(guó)開(kāi)始實(shí)施“八五”國(guó)家重點(diǎn)科技項(xiàng)目(攻關(guān))計(jì)劃,在電力電子器件及應(yīng)用方面力爭(zhēng)突破,改變?cè)陔娮蛹夹g(shù)發(fā)展上受制于人的狀況。

半導(dǎo)體器件專家黃勤通過(guò)朋友介紹,認(rèn)識(shí)了時(shí)任北京半導(dǎo)體器件研究所高技術(shù)實(shí)驗(yàn)室副主任的李思敏。1987年,由黃勤設(shè)計(jì),李思敏負(fù)責(zé)工藝制作,二人合作研發(fā)出了中國(guó)第一支高壓IGBT,打破了國(guó)際上的壟斷。

1988年,北京市電子振興領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室舉行了一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴,集齊半導(dǎo)體業(yè)界最優(yōu)秀的人才,每半個(gè)月召開(kāi)一次中國(guó)電力電子研討會(huì)。在這場(chǎng)匯集了全中國(guó)最優(yōu)秀、最有天賦的半導(dǎo)體研究人才盛會(huì)上,李思敏接受了來(lái)自國(guó)內(nèi)外的先進(jìn)的半導(dǎo)體研究思路。這場(chǎng)學(xué)術(shù)之旅,為他后續(xù)自主創(chuàng)新GAT、GATH管埋下了種子。

1994年,李思敏被派到美國(guó)學(xué)習(xí)最新的半導(dǎo)體器件溝槽型IGBT全套技術(shù),為回國(guó)后的研究工作打下基礎(chǔ)?;貒?guó)后,正當(dāng)李思敏準(zhǔn)備將學(xué)成技術(shù)大展身手之時(shí),卻遇上了90年代的銀行改制。原來(lái)合作的銀行不再投資李思敏所在公司的電子電力研究項(xiàng)目,李思敏的研究之路中斷。

1996年,為了提升國(guó)產(chǎn)IGBT的性能,使之能夠以較低成本和高適配性快速推向市場(chǎng),李思敏開(kāi)始對(duì)現(xiàn)有的IGBT結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,進(jìn)而創(chuàng)新了另一種架構(gòu)——聯(lián)柵功率管,發(fā)明了一種特殊的細(xì)微元胞(~10微米)的GAT(聯(lián)柵晶體管)。相較于IGBT,GAT管的優(yōu)勢(shì)在于發(fā)熱低、能效高,安全工作區(qū)大。

在1996年到2012年之間,李思敏和北京山貝公司、深圳盛元半導(dǎo)體公司合作,賣出上億只GAT管。

2012年,李思敏成立優(yōu)捷敏公司,一心埋頭鉆研做技術(shù),希望能夠突破限制,讓中國(guó)企業(yè)能夠放心使用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體芯片。在李思敏的女兒李連宇為父親的芯片夢(mèng)奔走尋求融資時(shí),投資人的一句話,讓他們醍醐灌頂,從而開(kāi)啟了轉(zhuǎn)型之路:“產(chǎn)品這么好的特性,高壓大電流也是咱們國(guó)家急需的,節(jié)能燈不需要這么好的特性,你這個(gè)技術(shù)為什么不做高壓大電流?”李連宇說(shuō)。

李思敏自此開(kāi)始研究高壓大電流產(chǎn)品。在前期GAT管技術(shù)已經(jīng)非常成熟的前提下,很快,李思敏就在2018年推出了GATH(聯(lián)柵晶閘管Gate Associated THyristor)。GATH突破了IGBT的最高電流密度,具有耐高溫、高功率、魯棒性更強(qiáng)、低成本等優(yōu)勢(shì),適用于柔性直流輸電、軌道交通、風(fēng)電等高壓高電流場(chǎng)景,它在高壓大電流的條件下耐用性更長(zhǎng),這也正是中國(guó)芯片行業(yè)亟待解決的問(wèn)題。

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- 優(yōu)捷敏1700V 100A 單顆芯片 -

“公開(kāi)資料表明,IGBT的最高電流密度是800A/cm2,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明1200V相同規(guī)格的 GATH的電流密度已經(jīng)達(dá)到25000A/C㎡ 。這說(shuō)明GATH的抗電流沖擊能力較強(qiáng),就好比防洪堤,IGBT是一層樓,GATH抗電流浪涌的防洪堤高十層樓。所以,GATH的魯棒性遠(yuǎn)遠(yuǎn)強(qiáng)于IGBT。”李思敏描述。

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- 優(yōu)捷敏1700V 400A GATH 六寸片 -

既然成本更低、耐用性更強(qiáng),為何技術(shù)在國(guó)內(nèi)遲遲得不到應(yīng)用推廣?

“我們做的是基礎(chǔ)創(chuàng)新。一個(gè)產(chǎn)業(yè),還需要協(xié)同創(chuàng)新和系統(tǒng)創(chuàng)新。我們只有做芯片的能力?!崩钏济粽f(shuō),芯片研發(fā)出來(lái)之后,還要封裝模塊、開(kāi)發(fā)驅(qū)動(dòng)線路,制作成整機(jī),檢測(cè)鑒定,然后進(jìn)行市場(chǎng)推廣。

“這是一個(gè)很大很復(fù)雜的生態(tài)系統(tǒng)。我們是無(wú)能為力的。”李思敏說(shuō)。

柔性直流輸電、高鐵、風(fēng)電等大項(xiàng)目的系統(tǒng)集成,非個(gè)人一己之力能為?!皬碾妷盒驮贀Q回電流型,線路和系統(tǒng)的整機(jī)測(cè)試,需要大公司或者國(guó)家支持才能做?!痹?jīng)赴美學(xué)習(xí)的李思敏感觸很深,美國(guó)的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新和系統(tǒng)創(chuàng)新已經(jīng)配合很成熟,而國(guó)內(nèi)缺乏這種協(xié)同創(chuàng)新。

目前GATH產(chǎn)品最高耐壓已經(jīng)做到1700V 400A,李思敏也因此先后獲得10多項(xiàng)中國(guó)發(fā)明專利,正在申請(qǐng)國(guó)際發(fā)明專利。而李思敏認(rèn)為,如果有資金支持,很容易做出來(lái)3300V 、6500V 、甚至8000V 200A(8吋線) GATH產(chǎn)品。李思敏認(rèn)為,GATH將在柔性直流輸電和特高壓領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

西電東送,實(shí)現(xiàn)風(fēng)電、光伏、整個(gè)可再生能源在全國(guó)范圍內(nèi)的配置,預(yù)計(jì)“十四五”期間直流輸電工程總投資規(guī)模接近4000億元,其中功率半導(dǎo)體(IGBT、晶閘管)投資450億元。柔性直流輸電在新型電力系統(tǒng)建設(shè)中是結(jié)構(gòu)性機(jī)會(huì)。

柔性直流輸電的發(fā)展對(duì)功率器件提出新的要求:更高電壓、更大電流、更低損耗及更高結(jié)溫。目前,IGBT很難滿足柔直的需要。主要是IGBT受結(jié)構(gòu)天花板閂鎖的局限,越是高壓大電流、高溫,IGBT約容易因閂鎖引起過(guò)流失效。因此,IGBT很難做更大功率規(guī)格芯片,IGBT模塊功率容量難以再提高。由于閂鎖,高壓大電流應(yīng)用IGBT的抗雪崩能力也較脆弱。目前柔直應(yīng)用4500V/3000A IGBT模塊,串并聯(lián)幾百個(gè)IGBT模塊,損耗大、控制復(fù)雜、成本昂貴。為了控制IGBT因閂鎖導(dǎo)致的過(guò)流失效,采用的故障支路,系統(tǒng)控制復(fù)雜,維修成本較高,使得目前柔性直流輸電的成本是直流輸電的1.5倍。因此,IGBT閂鎖的天花板,制約了柔性直流輸電的發(fā)展。

GATH是一種先進(jìn)的IGCT,具有晶閘管的高壓大電流、高可靠、低成本的優(yōu)點(diǎn),又加上聯(lián)柵結(jié)構(gòu),把重復(fù)單元縮小,突破了IGCT因元胞大,di/dt dv/dt局限,驅(qū)動(dòng)功耗為IGCT 1/10,驅(qū)動(dòng)比IGCT簡(jiǎn)單得多。

以張北柔直工程為例,如果采用8000V/ 6000A 壓接式GATH模塊代替4500V /3000A壓接式IGBT,可以使柔直電網(wǎng)的電壓輸出增加一倍,從±500KV增加到±1000KV,柔直電網(wǎng)的額定輸出能力450萬(wàn)千瓦能夠增大3倍,達(dá)到1800萬(wàn)千瓦。并且故障率將大幅度下降,預(yù)計(jì)降低1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。GATH滿足柔性直流輸電對(duì)功率器件高壓大功率、抗雪崩能力強(qiáng)、更高結(jié)溫和更低損耗的要求,將促進(jìn)柔性直流輸電的更快發(fā)展。

GATH上市量產(chǎn)難 創(chuàng)始人兩度賣房

優(yōu)捷敏整個(gè)團(tuán)隊(duì)只有3位成員,創(chuàng)始人李思敏如今82歲,對(duì)技術(shù)初心不改。CEO是創(chuàng)始人的女兒李連宇,經(jīng)歷過(guò)資金鏈斷裂、與合作企業(yè)分裂,為技術(shù)研發(fā)父女二人兩度賣房。在40平方米的小屋里,李思敏打造出了自主研發(fā)的國(guó)產(chǎn)高壓大電流半導(dǎo)體器件。

李思敏的女兒李連宇曾是一位大學(xué)老師,生活在校園環(huán)境的舒適圈里。她曾見(jiàn)到合作企業(yè)代表為了買下父親的技術(shù),反復(fù)上門商討股權(quán)合作,最終以父親堅(jiān)持自我而告終的失敗結(jié)局;也曾經(jīng)歷過(guò)父親為了支撐研究,兩度賣房的困難時(shí)刻,這些經(jīng)歷讓她更加堅(jiān)定,一定要把父親的半導(dǎo)體技術(shù)傳承下去。

2012年,李思敏成立優(yōu)捷敏半導(dǎo)體技術(shù)公司,三年后技術(shù)成熟,準(zhǔn)備推上市場(chǎng)。當(dāng)時(shí)李連宇的弟弟辭了職,一心為父親跑市場(chǎng),李連宇和先生商量,把他們自己的房子賣了,給父親做啟動(dòng)資金。2015年開(kāi)始,李連宇也從大學(xué)校園辭職,開(kāi)始全職幫父親跑市場(chǎng)。

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- 優(yōu)捷敏半導(dǎo)體CEO 李連宇 -

“做半導(dǎo)體是一件十分燒錢的事情,從人員組建、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、到工廠加工、再到交付給合作企業(yè),這個(gè)鏈條上環(huán)節(jié)太多,一旦出了問(wèn)題,企業(yè)就會(huì)處于生死邊緣。很快,賣房的錢就燒完了?!崩钸B宇回憶。

當(dāng)時(shí)優(yōu)捷敏合作了一家芯片加工廠,雖然優(yōu)捷敏已經(jīng)有了一部分訂單,但由于工廠產(chǎn)能限制,對(duì)產(chǎn)品的產(chǎn)量有要求,如果達(dá)不到,就會(huì)考慮將這條生產(chǎn)線砍掉,再加上優(yōu)捷敏資金短缺,有部分貨款無(wú)法支付,李思敏權(quán)衡再三,不想讓自己20多年的心血白費(fèi),賣掉了自己當(dāng)時(shí)的住房。

賣掉住房后,李思敏搬進(jìn)了北京北三環(huán)40多平方米租來(lái)的一室小屋,將這里作為自己的“研究基地”,繼續(xù)和半導(dǎo)體技術(shù)“纏斗”。為了潛心做研究,更是拒絕了女兒搬來(lái)同住照顧的請(qǐng)求。

李連宇回憶起自己還是大學(xué)老師的時(shí)候,父親因?yàn)橄雽P淖鲎约旱募夹g(shù),而非快速商業(yè)化賺取利潤(rùn),拒絕了深圳一家企業(yè)的合作。在沒(méi)有任何支持和幫助的情況下,父親依舊堅(jiān)持每天思考、閱讀前沿期刊、自己掏錢購(gòu)買材料、做實(shí)驗(yàn)。有一次她去看望父親,聊到了夜里11:30,起身準(zhǔn)備離開(kāi)的時(shí)候,回過(guò)頭就看見(jiàn)70多歲的父親,在昏暗的燈光下,佝僂著背,做實(shí)驗(yàn),像一個(gè)孤軍奮戰(zhàn)的戰(zhàn)士。

“在科學(xué)上一旦有一個(gè)新想法,他馬上就要去動(dòng)手去做實(shí)驗(yàn)?!崩钸B宇說(shuō),“我回頭看他那一瞬間的時(shí)候,我就想我一定要幫我父親做這個(gè)東西,這是父親的一輩子科研成果,這是我們國(guó)家核心的東西,我一定要保持下來(lái)。”

李思敏希望自己的技術(shù)能夠應(yīng)用于更大的場(chǎng)景,如柔性直流輸電 、軌道交通、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電、新能源汽車等。

李連宇認(rèn)為,工藝、材料、設(shè)計(jì)決定了一個(gè)芯片的品質(zhì)。

“我父親花幾十年的時(shí)間不是在做一個(gè)單個(gè)產(chǎn)品,而是在研發(fā)一整個(gè)工藝平臺(tái)?!?/span>

芯片的制造工藝包括濕洗、光刻、離子注入、蝕刻、等離子清洗、熱處理、化學(xué)氣相淀積、物理氣相淀積 、電鍍處理、化學(xué)/機(jī)械表面處理、晶圓測(cè)試、晶圓打磨、封裝等多個(gè)環(huán)節(jié)。

從1996年研發(fā)GAT開(kāi)始,到今天推出GATH管,形成一整套完善的工藝流程,前后20多年。

在工藝平臺(tái)成熟后,芯片的底層結(jié)構(gòu)就不需要大調(diào)整,剩下的就是一些微調(diào)。一方面是外延片。

另一方面是設(shè)計(jì),好的設(shè)計(jì)可以用最大化發(fā)揮芯片的效能,現(xiàn)在,李思敏教授一般用一兩周就可以做好設(shè)計(jì)。

如今優(yōu)捷敏不再處于0-1的研發(fā)階段了,現(xiàn)在可以基于工藝平臺(tái)快速推新產(chǎn)品上市。

GATH管雖然在實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)上表現(xiàn)優(yōu)異,遠(yuǎn)強(qiáng)于IGBT,但由于缺乏整機(jī)測(cè)試、廣泛的場(chǎng)景測(cè)試、極限測(cè)試等,暫時(shí)沒(méi)有人給出準(zhǔn)確的結(jié)論和明朗的前景。

但幸運(yùn)的是,2021年底,優(yōu)捷敏獲得了國(guó)家電網(wǎng)的支持,入駐了“雙創(chuàng)孵化平臺(tái)”。有了國(guó)家的支持,李思敏終于能夠夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)GATH周邊線路調(diào)整、測(cè)試芯片的各種特性,也是在國(guó)家電網(wǎng)的支持下,優(yōu)捷敏開(kāi)始制作光伏和風(fēng)電領(lǐng)域制作樣機(jī)。同時(shí),李連宇也繼續(xù)幫助父親尋找天使輪融資,希望擴(kuò)大團(tuán)隊(duì),擴(kuò)大生產(chǎn)能力。

“我父親常說(shuō),這件事情我死了也會(huì)有人做。我曾經(jīng)很疑惑,你如果死了,怎么還會(huì)有人做?但他相信聯(lián)柵架構(gòu)是功率器件底層架構(gòu)的創(chuàng)新,這個(gè)方向一定會(huì)有人繼續(xù)做好它?!崩钸B宇說(shuō)。

李思敏堅(jiān)信聯(lián)柵架構(gòu)的功率管GATH和GAT,優(yōu)于絕緣柵架構(gòu)的功率管IGBT,MOS和第三代半導(dǎo)體SIC MOS。GATH的魯棒性十倍于IGBT,GAT的高能效和高功率密度與SIC MOS相當(dāng)而成本僅為其20%。

李思敏新開(kāi)發(fā)出了取代MOS管的逆導(dǎo)型聯(lián)柵晶體管(RCGAT),已進(jìn)入流水線制造階段,2022年底將面世。RCGAT是新能源電動(dòng)車充電樁的核心零部件,可解決快充問(wèn)題。GAT具有高頻(100KHz)、高功率密度、高能效、低成本的優(yōu)勢(shì),可以提高整機(jī)功率密度,優(yōu)化散熱系統(tǒng),縮小充電模塊體積,將成為解決電動(dòng)汽車?yán)锍探箲]的功率芯片的新技術(shù)路徑。

“國(guó)內(nèi)尚未有50kw以上的快充功率器件。”李思敏說(shuō),珠三角一些制造商已經(jīng)找上門來(lái)等流片了。

也許優(yōu)捷敏不會(huì)是第一個(gè)完成GATH管整機(jī)測(cè)試的公司,李思敏也不會(huì)是那個(gè)“第一個(gè)吃螃蟹”的人,但在國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體功率器件的這條路上,永遠(yuǎn)都會(huì)有他們的影子。

* 張藝煒對(duì)本文亦有貢獻(xiàn)

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