碳化硅是目前發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,擁有禁帶寬度大、器件極限工作溫度高、臨界擊穿電場強(qiáng)度大、熱導(dǎo)率等顯著的性能優(yōu)勢,在電動汽車、電源、軍工、航天等領(lǐng)域具有廣闊的市場前景。 碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈 碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括高純粉料、單晶襯底、外延片、功率器件、模塊封 裝和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。 國內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈代表企業(yè) 襯底企業(yè)天科合達(dá) 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司于2006年9月由新疆天富集團(tuán)、中國科學(xué)院物理研究所共同設(shè)立,是一家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司為全球SiC晶片的主要生產(chǎn)商之一。 總部公司設(shè)在北京市大興區(qū)生物醫(yī)藥基地,擁有一個(gè)研發(fā)中心和一個(gè)集晶體生長-晶體加工-晶片加工-清洗檢測的全套碳化硅晶片生產(chǎn)基地;全資子公司—新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司位于新疆石河子市,主要進(jìn)行碳化硅晶體生長。 山東天岳 山東天岳公司成立于2010年11月,是以碳化硅半導(dǎo)體襯底材料為主的高新技術(shù)企業(yè)。公司投資建成了第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化基地,具備研發(fā)、生產(chǎn)國際先進(jìn)水平的半導(dǎo)體襯底材料的軟硬件條件,是我國第三代半導(dǎo)體襯底材料行業(yè)的先進(jìn)企業(yè)。 河北同光晶體 河北同光晶體有限公司成立于2012年,位于保定市高新技術(shù)開發(fā)區(qū),主要從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅襯底的研發(fā)和生產(chǎn)。公司主要產(chǎn)品包括4英寸和6英寸導(dǎo)電型、半絕緣碳化硅襯底,其中4英寸襯底已達(dá)到世界先進(jìn)水平。目前,公司已建成完整的碳化硅襯底生產(chǎn)線,是國內(nèi)著名的碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)。 中科集團(tuán)2所 中科集團(tuán)二所成立于1962年,是專業(yè)從事電子先進(jìn)制造技術(shù)研究和電子專用設(shè)備研發(fā)制造的國家級研究所。目前,二所已形成以液晶顯示器件生產(chǎn)設(shè)備、半導(dǎo)體及集成電路制造設(shè)備、特種工藝設(shè)備為主的電子專用設(shè)備和以太陽能多晶硅片、三代半導(dǎo)體SiC單晶拋光片為主的半導(dǎo)體材料兩大業(yè)務(wù)方向,能夠?yàn)橛脩籼峁┕に嚭驮O(shè)備的系統(tǒng)集成服務(wù)。 外延片企業(yè)東莞天域半導(dǎo)體 天域成立于2009年,是中國第一家從事碳化硅 (SiC) 外延晶片市場營銷、研發(fā)和制造的私營企業(yè)。2010年,天域與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所合作,共同創(chuàng)建了碳化硅研究所。 廈門瀚天天成 瀚天天成電子科技(廈門)有限公司成立于2011年3月,是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售碳化硅外延晶片的中美合資高新技術(shù)企業(yè),已形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化硅半導(dǎo)體外延晶片生產(chǎn)線,并滿足600V、1200V、1700V器件制作的需求。 器件/模組企業(yè)泰科天潤 泰科天潤是中國第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者,并擁有目前國內(nèi)唯一碳化硅器件生產(chǎn)線。作為國內(nèi)唯一一家碳化硅研發(fā)生產(chǎn)和平臺服務(wù)型公司,泰科天潤核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表,其中600V/5A~50A,1200V/5A~50A和1700V/10A等系列的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)。 嘉興斯達(dá) 嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體芯片和模塊尤其是IGBT芯片和模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)的國家級高新技術(shù)企業(yè)??偛课挥谡憬闻d,在上海和歐洲均設(shè)有子公司,并在國內(nèi)和歐洲設(shè)有研發(fā)中心,是目前國內(nèi)IGBT領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件,包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。 中車時(shí)代電氣 株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司是中國中車旗下股份制企業(yè),其前身及母公司——中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司創(chuàng)立于1959年。 2017年12月,中車時(shí)代電氣總投資3.5億元人民幣的6英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)基地技術(shù)調(diào)試成功,2018年1月首批芯片試制成功。這是國內(nèi)首條6英寸碳化硅生產(chǎn)線,獲得了國家“02專項(xiàng) ”、國家發(fā)改委新材料專項(xiàng)等國家重點(diǎn)項(xiàng)目支持,是中車時(shí)代電氣的重點(diǎn)投資項(xiàng)目之一,實(shí)現(xiàn)碳化硅二極管和MOSFET芯片工藝流程整合,成功試制1200V碳化硅肖特基二極管功率芯片。 揚(yáng)杰科技 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司成立于2006年8月2日。2014年1月,公司在深交所創(chuàng)業(yè)板掛牌上市。公司集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體,專業(yè)致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 公司主營產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產(chǎn)品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、安防、工控、汽車電子、新能源等諸多領(lǐng)域。 參考資料: 半導(dǎo)體圈子.國內(nèi)第三代半導(dǎo)體(氮化鎵 碳化硅)廠商盤點(diǎn) 全球半導(dǎo)體觀察.國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)大盤點(diǎn) 劉興昉、陳宇.碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 各公司官網(wǎng) 注:圖片非商業(yè)用途,存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除 |
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