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靜電感應晶體管是一種結型場效應管單極型壓控器件。它具有輸入阻抗高、輸出功率大、開關特性好、熱穩(wěn)定性好以抗輻射能力強等特點。SIT在結構設計上采用多單元集成技術，因而可制成高壓大功率器件。它不僅能工作在開關狀態(tài)，作為大功率電流開關，而且也可以作為功率放大器，用于大功率中頻發(fā)射機、長波電臺、差轉機、高頻感應加熱裝置以及雷達等方面。目前，SIT的產品已達到電壓1500V、電流300A、耗散功率3kW、截止頻率30～50MHz。  靜電感應晶體管SIT（Static Induction Transistor）誕生于1970年，實際上是一種結型場效應晶體管。將用于信息處理的小功率SIT器件的橫向導電結構改為垂直導電結構，即可制成大功率的SIT器件。SIT是一種多子導電的器件，其工作頻率與電力MOSFET相當，甚至超過電力MOSFET，而功率容量也比電力MOSFET大，因而適用于高頻大功率場合，目前已在雷達通信設備、超聲波功率放大、脈沖功率放大和高頻感應加熱等某些專業(yè)領域獲得了較多的應用。 但是SIT在柵極不加任何信號時是導通的，柵極加負偏壓時關斷，這被稱為正常導通型器件，使用不太方便。此外，SIT通態(tài)電阻較大，使得通態(tài)損耗也大，因而SIT還未在大多數電力電子設備中得到廣泛應用。  源漏電流受柵極上的外加垂直電場控制的垂直溝道場效應晶體管，簡稱SIT。靜電感應晶體管是一種新型器件，可用于高保真度的音響設備、電源、電機控制、通信機、電視差轉機以及雷達、導航和各種電子儀器中。 1952年日本的渡邊、西澤等人提出模擬晶體管的模型，1971年9月日本西澤潤一發(fā)表SIT的研究結果。在70年代中期，它作為音頻功率放大器件在日本國內得到了迅速的發(fā)展，先后制出最高截止頻率10兆赫、輸出功率1千瓦和30兆赫、輸出功率達2千瓦的靜電感應晶體管。1974年之后，高頻和微波功率靜電感應晶體管有較大發(fā)展。已出現1吉赫下輸出功率100瓦的內匹配合成器件和2吉赫下輸出 10瓦左右的器件。靜電感應型硅可控整流器已做到導通電流30安（壓降為0.9伏），開關時間為110納秒。另外，已研制出 MOS型SIT和SIT低功耗、高速集成電路，其邏輯門的功率-延遲積的理論值可達1×10-15焦以下。 SIT具有非飽和型電流電壓輸出特性，它和三極電子管的輸出特性相類似（圖1）。  結構分析 靜電感應晶體管結構分析 SIT是一種電壓控制器件。在零柵壓或很小的負柵壓時，溝道區(qū)已全部耗盡，呈夾斷狀態(tài)，靠近源極一側的溝道中出現呈馬鞍形分布的勢壘，由源極流向漏極的電流完全受此勢壘的控制。在漏極上加一定的電壓后，勢壘下降，源漏電流開始流動。漏壓越高，越大，亦即 SIT的源漏極之間是靠漏電壓的靜電感應保持其電連接的，因此稱為靜電感應晶體管。SIT和一般場效應晶體管（FET）在結構上的主要區(qū)別是：①SIT溝道區(qū)摻雜濃度低，為1012～1015厘米-3,FET則為1015～1017厘米-3；②SIT具有短溝道，在輸出特性上，前者為非飽和型三極管特性，后者為飽和型五極管特性。 結構形式 靜電感應晶體管結構形式主要有三種結構形式： 表面電極結構 表面電極結構適用于高頻和微波功率SIT;  埋柵結構 埋柵結構是典型結構（圖2），適用于低頻大功率器件；  介質覆蓋柵結構 介質覆蓋柵結構是中國研制成功的，這種結構既適用于低頻大功率器件，也適用于高頻和微波功率器件，其特點是工藝難度小、成品率高、成本低、適于大量生產。中國已研制出具有這種結構的 SIT器件有：400兆赫，1～40瓦；1000兆赫，1～12瓦及1500兆赫，6瓦的SIT器件。另外，還制出600兆赫下耗散功率2.3瓦、噪聲系數小于3分貝的功率低噪聲SIT。 優(yōu)點 和雙極型晶體管相比，SIT具有以下的優(yōu)點： ①線性好、噪聲小。用SIT制成的功率放大器，在音質、音色等方面均優(yōu)于雙極型晶體管。 ②輸入阻抗高、輸出阻抗低，可直接構成OTL電路。 ③SIT是一種無基區(qū)晶體管，沒有基區(qū)少數載流子存儲效應，開關速度快。 ④它是一種多子器件，在大電流下具有負溫度系數，器件本身有溫度自平衡作用，抗燒毀能力強。 ⑤無二次擊穿效應，可靠性高。 ⑥低溫性能好，在-19℃下工作正常。 ⑦抗輻照能力比雙極晶體管高50倍以上。 該內容是云漢芯城小編通過網絡搜集資料整理而成，如果你還想了解更多關于電子元器件的相關知識及電子元器件行業(yè)實時市場信息，敬請關注微信公眾號 【云漢芯城】。
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