電力場效應(yīng)管電力場效應(yīng)管又名電力場效應(yīng)晶體管分為結(jié)型和絕緣柵型，通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），簡稱電力MOSFET（Power MOSFET），結(jié)型電力場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（Static InductionTransistor——SIT）。 中文名電力場效應(yīng)管 外文名電力場效應(yīng)晶體管 分類結(jié)型和絕緣柵型 簡稱電力MOSFET 通常指MOS型 溝道分類P和N 特點用柵極電壓來控制漏極電流 驅(qū)動電路簡單，需要的驅(qū)動功率小。 開關(guān)速度快，工作頻率高。 熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR。 電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 種類按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。 耗盡型——當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道。 增強(qiáng)型——對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導(dǎo)電溝道。 電力MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。 結(jié)構(gòu)小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?/p> 電力MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET（Vertical MOSFET）。 按垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的差異，分為利用V型槽實現(xiàn)垂直導(dǎo)電的VVMOSFET和具有垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu) 的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。 這里主要以VDMOS器件為例進(jìn)行討論。 電力MOSFET的工作原理（N溝道增強(qiáng)型VDMOS） 截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。 P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無電流流過。 導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS 當(dāng)UGS大于UT時，P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電 。 |
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