閑話少說(shuō)，那個(gè)，先來(lái)一張MOSFET的符號(hào)圖：

為了描述方便，放一個(gè)boost電路先：其中S就是我們的MOSFET啦。

MOS開(kāi)通過(guò)程我們主要看3個(gè)信號(hào)：Vgs，Vds，Id，他們?nèi)齻€(gè)啥意思我就不解釋了。

我又笨手笨腳的畫(huà)了一個(gè)圖，我們來(lái)看圖說(shuō)話吧

從0時(shí)刻開(kāi)始，Vgs開(kāi)始上升的時(shí)候，Vds和Id保持不變，這個(gè)過(guò)程中驅(qū)動(dòng)電流ig為Cgs充電，Vgs上升。一直到t1時(shí)刻，Vgs上升到Vg(th)，也就是門(mén)極開(kāi)啟電壓時(shí)候。在t1時(shí)刻以前，MOS處于截止區(qū)。

從t1時(shí)刻開(kāi)始，MOS就要開(kāi)始導(dǎo)通啦，它開(kāi)始導(dǎo)通的標(biāo)志就是Id要開(kāi)始上升啦！就是原來(lái)電流從電感L出來(lái)流經(jīng)二極管D，現(xiàn)在開(kāi)始要慢慢的向S換流啦。所以MOS的漏極電流Id在慢慢上升，二極管的電流在慢慢減小，但是他倆的和始終等于電感電流，在開(kāi)關(guān)開(kāi)通的這個(gè)過(guò)程中可以認(rèn)為電感電流是沒(méi)有變化的。這個(gè)時(shí)間段內(nèi)驅(qū)動(dòng)電流仍然是為Cgs充電。在t1到t2的這段時(shí)間里，Id只是在安安靜靜的上升，到t2時(shí)刻，Id上升到電感電流，換流結(jié)束。在電感電流上升的這個(gè)過(guò)程中Vds會(huì)稍微有一些下降，這是因?yàn)橄陆档膁i/dt在雜散電感上面形成一些壓降，所以側(cè)到的Vds會(huì)有一些下降。從t1時(shí)刻開(kāi)始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。

還是要把圖挪過(guò)來(lái)。

在Id上升到最大時(shí)候（t2），即刻就進(jìn)入了米勒平臺(tái)時(shí)期。米勒平臺(tái)就是Vgs在一段時(shí)間幾乎維持不動(dòng)的一個(gè)平臺(tái)。前面說(shuō)了，從t1時(shí)刻開(kāi)始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)，在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)。那么可以看出，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，也就是MOS和diode換流結(jié)束后，Id就等于電感電流IL了，而此時(shí)又處于飽和區(qū)，所以Vgs就會(huì)維持不變，也就是維持米勒平臺(tái)的電壓。

那么從這個(gè)時(shí)候（t2）開(kāi)始Vgs的驅(qū)動(dòng)電流給誰(shuí)充了電呢？答案是Cgd。驅(qū)動(dòng)的電流ig為Cgd充電（從另一個(gè)方向來(lái)說(shuō)，可以叫放電），然后Vds就開(kāi)始下降了。由于超級(jí)結(jié)在開(kāi)通伊始的縱向擴(kuò)散，比較小的GD電容，所以Vds一開(kāi)始下降的比較快，大約在下降到100V左右的時(shí)候，縱向擴(kuò)散完成，變成橫向擴(kuò)散，GD電容變大，所以Vds下降的斜率變緩。

那么miller平臺(tái)什么時(shí)候結(jié)束呢？miller平臺(tái)要想結(jié)束，必須進(jìn)入線性區(qū)，不然繼續(xù)在飽和區(qū)待下去，就會(huì)被和Id“綁”在一起，所以當(dāng)MOS進(jìn)入線性區(qū)之后，miller平臺(tái)結(jié)束。那么什么時(shí)候進(jìn)入線性呢？根據(jù)MOS的特性曲線，在Vds下降到等于此時(shí)的Vgs-Vg(th)這個(gè)值的時(shí)候，MOS進(jìn)入線性區(qū)（t4時(shí)刻之后）。此時(shí)Vds的大小會(huì)由Rds*Id決定，驅(qū)動(dòng)電流開(kāi)始繼續(xù)為Cgs和Cgd充電。而Vgs也開(kāi)始恢復(fù)繼續(xù)上升。MOS基本導(dǎo)通。

上面大概描述了MOS的開(kāi)通過(guò)程的波形圖。

現(xiàn)在重點(diǎn)說(shuō)一下這個(gè)miller平臺(tái)。詳細(xì)說(shuō)一下這其中的過(guò)程。

把MOS圖在擺過(guò)來(lái)。

在t2時(shí)刻開(kāi)始，處在飽和區(qū)的MOS轉(zhuǎn)移特性公式，真實(shí)為Ich=Vgs*Gm，Ich為溝道電流，即上圖中DS之間紅色部分的電流。于是當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流為Cgs充一點(diǎn)電，Vgs增加Δvgs，那么Ich增加Δich，而Ich增加的部分只能由Cds放電提供，（因?yàn)閺碾娐分械膩?lái)的那部分電流已經(jīng)固定），于是Cds放電為Ich提供增加的電流。于是Vds就下降，也就是Vgd會(huì)下降，那么Δigd=Cgd*ΔVgd/Δt，igd就會(huì)增加，然后igs就會(huì)下降，所以Vgs就不能增加只能這樣動(dòng)態(tài)的維持在米勒平臺(tái)附近?？梢钥闯鲞@是一個(gè)負(fù)反饋的過(guò)程。所以Cgd也叫反饋電容。

通常測(cè)到的米勒平臺(tái)并不是這么平，而是在米勒平臺(tái)開(kāi)始的地方有一個(gè)突起，然后慢慢回歸到米勒平臺(tái)。通?？赡苡?個(gè)原因：

1：二極管的反向恢復(fù)導(dǎo)致Id電流大于電感電流IL，因此Vgs需要提供更大的驅(qū)動(dòng)電壓；

2：源極雜散電感在Id變化時(shí)形成的壓降，疊加在Vgs上面。

而Id也會(huì)有一部分超出IL，就是二極管的反向恢復(fù)電流疊加。

當(dāng)然，如果是斷續(xù)模式，二極管的反向恢復(fù)就小得多。

我們實(shí)驗(yàn)室測(cè)試平臺(tái)得到的開(kāi)通波形圖（管子是我們的4A/700V的超級(jí)結(jié)MOS）：

綠色：Vgs；

黃色：Vds；

紫色：Id；

仿真波形：

依次為Id、Vds、Vgs

從前面的分析可以看出，MOS的開(kāi)通損耗主要是在t1到t3這兩段時(shí)間內(nèi)：

t1到t2這段時(shí)間內(nèi)是Vds大電壓高壓，Id下上升的過(guò)程；

t2到t3這段時(shí)間內(nèi)是Id大電流，Vds下降的過(guò)程；

所以開(kāi)關(guān)損耗主要集中在這兩段時(shí)間內(nèi)。

我來(lái)解釋一下這個(gè)波形里面白色圓圈畫(huà)出來(lái)的部分是怎么回事。

說(shuō)一下我們測(cè)試用的二極管是幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)的，但是它有結(jié)電容。

所以在MOS的Vds下降的過(guò)程中，二極管的陽(yáng)極電壓就會(huì)隨著下降，那么在二極管的結(jié)電容兩端就會(huì)形成一個(gè)dv/dt，這個(gè)dv/dt在二極管的結(jié)電容上形成的電流就會(huì)和電感電流一起形成MOS的漏極電流。所以，就可以看到白色圓圈里面的電流比后面穩(wěn)定之后的電流大一點(diǎn)。