《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》介紹模擬CMOS集成電路的分析與設(shè)計(jì)。從直觀和嚴(yán)密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念,同時(shí)還闡述了在SOC中模擬電路設(shè)計(jì)遇到的新問題及電路技術(shù)的新發(fā)展?！赌MCMOS集成電路設(shè)計(jì)》由淺入深,理論與實(shí)際結(jié)合,提供了大量現(xiàn)代工業(yè)中的設(shè)計(jì)實(shí)例。全書共18章。前10章介紹各種基本模塊和運(yùn)放及其頻率響應(yīng)和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準(zhǔn)、開關(guān)電容電路以及電路的非線性和失配的影響,第14、15章介紹振蕩器和沒相環(huán)。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應(yīng)及其模型、CMOS制造工藝和混合信號(hào)電路的版圖與封裝。

作者簡介
中文版前言
譯者序
序
致謝
第1章 模擬電路設(shè)計(jì)緒論
1.1 研究模擬電路的重要性
1.2 研究模擬集成電路的重要性
1.3 研究CMOS模擬集成電路的重要性
1.4 本書的特點(diǎn)
1.5 電路設(shè)計(jì)的一般概念
習(xí)題
第2章 MOS器件物理基礎(chǔ)
2.1 基本概念
2.2 MOS的I/V特性
2.3 二級(jí)效應(yīng)
2.4 MOS器件模型
習(xí)題
第3章 單級(jí)放大器
3.1 基本概念
3.2 共源級(jí)
3.3 源跟隨器
3.4 共柵級(jí)
3.5 共源共柵級(jí)
3.6 器件模型的選擇
習(xí)題
第4章 差動(dòng)放大器
4.1 單端與差動(dòng)的工作方式
4.2 基本差動(dòng)對(duì)
4.3 共模響應(yīng)
4.4 MOS為負(fù)載的差動(dòng)對(duì)
4.5 吉爾伯特單元
習(xí)題
第5章 無源與有源電流鏡
5.1 基本電流鏡
5.2 共源共柵電源鏡
5.3 有源電流鏡
習(xí)題
第6章 放大器的頻率特性
第7章 噪聲
第8章 反饋
第9章 運(yùn)算放大器
第10章 穩(wěn)定性與頻率補(bǔ)償
第11章 帶隙基準(zhǔn)
第12章 開關(guān)電容電路
第13章 非線性與不匹配
第14章 振蕩器
第15章 鎖相環(huán)
第16章 短溝道效應(yīng)與器件模型
第17章 CMOS工藝技術(shù)
第18章 版圖與封裝
英漢詞匯對(duì)照

《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》是加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)的新教材。該書組織嚴(yán)謹(jǐn),內(nèi)容豐富,循序漸進(jìn)。在闡述原理和概念時(shí),由淺入深,逐步分析。模擬電路設(shè)計(jì)需要直觀、嚴(yán)密和創(chuàng)新。在闡述各種模擬電路的改進(jìn)和新電路結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生時(shí),著重觀察和分析,不斷地提出問題和解決問題,重視這三方面能力的培養(yǎng)。 書評(píng)
本書是加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)的新教材。該書組織嚴(yán)謹(jǐn),內(nèi)容豐富,循序漸進(jìn)。在闡述原理和概念時(shí),由淺入深,逐步分析。模擬電路設(shè)計(jì)需要直觀、嚴(yán)密和創(chuàng)新。在闡述各種模擬電路的改進(jìn)和新電路結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生時(shí),著重觀察和分析,不斷地提出問題和解決問題,重視這三方面能力的培養(yǎng)。