Q：Cree公司生產(chǎn)紅光LED芯片嗎？
A ：Cree公司一直以來都沒有生產(chǎn)紅光LED芯片，只有藍(lán)光、綠光和紫外光LED芯片。

Q：Cree的芯片都是碳化硅（SiC）材料為襯底的嗎？
A：目前Cree公司的小功率LED芯片都是采用碳化硅（SiC）材料為襯底的，而EZBright系列LED芯片則采用Si襯底結(jié)構(gòu)。Cree公司是世界上少有采用碳化硅（SiC）材料為襯底生產(chǎn)藍(lán)光、綠光和紫外光LED芯片的公司。

Q：Cree有沒有雙電極結(jié)構(gòu)的芯片?
A： Cree公司有推出采用碳化硅（SiC）材料為襯底的雙電極結(jié)構(gòu)芯片(ETC系列)，型號有TR260、TR2432、TR2436等，以絕緣膠固晶為主，詳情請參考Cree的產(chǎn)品規(guī)格書。

Q：Cree的芯片抗靜電能力（ESD）如何?
A：Cree公司的所有采用碳化硅材料為襯底的LED系列芯片的抗靜電能力都大于1000V（HBM），并且是百分之百測試。

Q： LED芯片靜電擊穿現(xiàn)象能夠通過低倍顯微鏡觀察到嗎？

A：通常比較嚴(yán)重的靜電擊穿可以通過低倍顯微鏡觀察到在芯片表面有黑色小孔。
而輕微的靜電擊穿則需要通過高倍顯微鏡或SEM才可以確定，見下圖：

Q：Cree公司的LED芯片在固晶時對銀漿量有何要求？銀漿過多或過少會產(chǎn)生什么樣的結(jié)果？
A：Cree公司建議固晶時銀漿量以芯片高度的1/3處為宜，最多不得超過1/2芯片高度，且芯片四周均有銀漿包圍。
銀漿過多，會遮擋芯片側(cè)面出光，導(dǎo)致成品亮度降低，若銀漿溢出到芯片表面還可能引起短路現(xiàn)象，甚 至死燈。
銀漿過少，可能會導(dǎo)致接觸不良，成品燈VF值升高或死燈等現(xiàn)象，另外銀漿變質(zhì)也可能導(dǎo)致上述問題的出現(xiàn)。下圖請參考：

Q：Cree公司的LED芯片亮度通常用mw表示，請問mw和mcd之間如何換算？
A：Cree芯片的亮度一般用輻射功率RF（Radiant Flux）表示，單位是mw。它表示一個光源單位時間里發(fā)出的光能量，與客戶的測量設(shè)備系統(tǒng)相關(guān)。而坎德拉（cd）是指單位立體角內(nèi)的光通量，和封裝的形狀（透鏡形狀）有著很大的關(guān)系。兩者的定義和測量方法都不相同, 因此mw和mcd之間無法換算。

Q：為何20mA分選的芯片，在5mA的電流下使用會出現(xiàn)亮度和顏色不均現(xiàn)象？
A：造成這種現(xiàn)象有以下幾種原因：
1、 LED芯片的亮度和波長均會隨電流的變化而變化，且變化是非線性的；對于綠光而言，其波長漂移幅度比藍(lán)光的更大。
2、 LED芯片是在20mA恒流條件下分選的，若在恒壓源下并聯(lián)工作時，由于每個芯片的VF值不同引起電流分配不均，導(dǎo)致波長和亮度出現(xiàn)較大差異。
關(guān)于亮度、波長和電流關(guān)系的變化曲線請參考Cree的產(chǎn)品規(guī)格書。

Q：芯片中心光軸與支架幾何中心沒有對準(zhǔn)會產(chǎn)生什么影響？
A：這種情況下，對成品而言會出現(xiàn)光強(qiáng)不一致，輻射功率降低，發(fā)光不對稱等現(xiàn)象。請參考下圖：

Q：金球偏離焊盤，會對產(chǎn)品造成什么影響？
A：金球偏出焊盤有可能會導(dǎo)致VF值升高及漏電產(chǎn)生，特別是雙電極芯片的負(fù)電極端，焊線要求更加嚴(yán)格，具體請參考下圖：

Q：支架杯內(nèi)壁被污染，對產(chǎn)品有何影響？
A：若支架內(nèi)壁有污染物，將會影響成品亮度，嚴(yán)重會影響固晶質(zhì)量，出現(xiàn)其他異常問題，因此固晶前和固晶后務(wù)必保證支架內(nèi)壁的清潔。請參考下圖：

Q：我們能否自己進(jìn)行CREE芯片的鑒別？
A： 目前CREE公司的LED芯片種類日益繁多，且已推出雙電極芯片，因此建議客戶送交我司鑒定。

Q: EZBright系列芯片表面被刮傷對芯片有什么影響？
A：CREE EZBright系列芯片表面發(fā)光層屬于微晶結(jié)構(gòu)，缺少保護(hù)層，若不慎劃傷芯片表面，將會對芯片發(fā)光層造成損傷，影響出光效率，嚴(yán)重者可導(dǎo)致漏電。見下圖：

Q：EZ1000芯片底部銀漿分布不均，對產(chǎn)品有何影響？
A：若EZ1000芯片金電極對應(yīng)底部沒有銀漿覆蓋，極易在打線過程中由于芯片缺少支撐點(diǎn)，而在焊接壓力作用下造成芯片破裂而產(chǎn)生漏電（見下圖），因此須保證芯片四周均被銀漿包圍。

Q: EZ1000芯片如何選擇頂針？選取不當(dāng)會對芯片有何影響？
A：頂針選擇標(biāo)準(zhǔn)如下：
選用半徑應(yīng)大于50μm，避免使用鋒利式頂針，容易造成底部傷害，見下圖。

頂針選取不當(dāng)可能會對芯片造成傷害而產(chǎn)生漏電，甚至死燈，見下圖：

Q: EZ1000芯片如何選擇吸嘴？
A：CREE建議客戶使用防靜電或硬度小于80（shore A）材料為宜；
吸嘴尺寸 OD（mm） 0.75-1.00
ID（mm） 0.40-0.50