一、LED芯片的原理：
LED（Light Emitting Diode），發(fā)光二極管，是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接
把電轉(zhuǎn)化為光。LED的心臟是一個(gè)半導(dǎo)體的晶片，晶片的一端附在一個(gè)支架上，一端是負(fù)
極，另一端連接電源的正極，使整個(gè)晶片被環(huán)氧樹脂封裝起來。半導(dǎo)體晶片由兩部分組成，
一部分是 P型半導(dǎo)體，在它里面空穴占主導(dǎo)地位，另一端是 N型半導(dǎo)體，在這邊主要是電
子。但這兩種半導(dǎo)體連接起來的時(shí)候，它們之間就形成一個(gè)“P-N 結(jié)”。當(dāng)電流通過導(dǎo)線作用
于這個(gè)晶片的時(shí)候，電子就會被推向 P 區(qū)，在P 區(qū)里電子跟空穴復(fù)合，然后就會以光子的
形式發(fā)出能量，這就是 LED發(fā)光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成 P-N結(jié)的
材料決定的。
二、LED芯片的分類：
1.MB 芯片定義與特點(diǎn)
定義：Metal Bonding(金屬粘著）芯片；該芯片屬于 UEC的專利產(chǎn)品。
特點(diǎn)：
（1）采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底，散熱容易。
Thermal Conductivity
GaAs: 46W/m-K
GaP: 77W/m-K
Si: 125～150W/m-K
Cupper:300~400W/m-k
SiC: 490W/m-K
（2）通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時(shí)反射光子，避免襯底的吸收。
（3）導(dǎo)電的 Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差 3~4倍)，更適
應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。
（4）底部金屬反射層，有利于光度的提升及散熱。 （5）尺寸可加大，應(yīng)用于 High power 領(lǐng)域，eg:42mil MB。
2.GB 芯片定義和特點(diǎn)
定義：Glue Bonding(粘著結(jié)合）芯片；該芯片屬于 UEC的專利產(chǎn)品。
特點(diǎn)：
（1） 透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs襯底， 其出光功率是傳統(tǒng)AS(Absorbable structure)
芯片的 2倍以上，藍(lán)寶石襯底類似 TS 芯片的 GaP 襯底。
（2）芯片四面發(fā)光，具有出色的 Pattern圖。
（3）亮度方面，其整體亮度已超過 TS 芯片的水平(8.6mil)。
（4）雙電極結(jié)構(gòu)，其耐高電流方面要稍差于 TS單電極芯片。
3.TS 芯片定義和特點(diǎn)
定義：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬于 HP 的專利產(chǎn)品。
特點(diǎn):
(1)芯片工藝制作復(fù)雜，遠(yuǎn)高于 AS LED。
(2)信賴性卓越。
(3)透明的 GaP 襯底，不吸收光，亮度高。
(4)應(yīng)用廣泛。
4.AS 芯片定義與特點(diǎn)
定義：Absorbable structure (吸收襯底）芯片；經(jīng)過近四十年的發(fā)展努力，臺灣 LED 光
電業(yè)界對于該類型芯片的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售處于成熟的階段，各大公司在此方面的研發(fā)水平
基本處于同一水平，差距不大。
大陸芯片制造業(yè)起步較晚，其亮度及可靠度與臺灣業(yè)界還有一定的差距，在這里我們所
談的 AS 芯片，特指 UEC的 AS 芯片，eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR,
712SYM-VR,709SYM-VR等。
特點(diǎn)：
（1）四元芯片，采用 MOVPE 工藝制備，亮度相對于常規(guī)芯片要亮。
（2）信賴性優(yōu)良。
（3）應(yīng)用廣泛。
三、發(fā)光二極管芯片材料磊晶種類
1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機(jī)金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結(jié)構(gòu))GaAlAs/GaAs
5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAs
6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAlAs
四、LED芯片組成及發(fā)光 LED晶片的組成： 主要有砷(AS)鋁(AL)鎵(Ga)銦(IN)磷(P)氮(N)鍶(Ｓi)這幾種元素中的
若干種組成。
LED晶片的分類：
1、按發(fā)光亮度分：
A、一般亮度：R、H、G、Y、E 等
B、高亮度：VG、VY、SR等
C、超高亮度：UG、UY、UR、UYS、URF、UE 等
D、不可見光(紅外線)：R、SIR、VIR、HIR
E、紅外線接收管：PT
F、光電管：PD
2、按組成元素分：
A、二元晶片(磷、鎵)：H、G 等
B、三元晶片（磷、鎵、砷）：SR、HR、UR等
C、四元晶片(磷、鋁、鎵、銦)：SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG
3.LED晶片特性表：
LED晶片型號發(fā)光顏色組成元素波長（nm）
SBI 藍(lán)色lnGaN/sic 430 HY 超亮黃色 AlGalnP 595
SBK 較亮藍(lán)色 lnGaN/sic 468 SE 高亮桔色 GaAsP/GaP 610
DBK 較亮藍(lán)色 GaunN/Gan 470 HE 超亮桔色 AlGalnP 620
SGL青綠色 lnGaN/sic 502 UE 最亮桔色 AlGalnP 620
DGL較亮青綠色 LnGaN/GaN 505 URF最亮紅色 AlGalnP 630
DGM 較亮青綠色 lnGaN 523 E 桔色 GaAsP/GaP635
PG 純綠 GaP 555 R紅色 GAaAsP 655
SG 標(biāo)準(zhǔn)綠 GaP 560 SR較亮紅色 GaA/AS 660
G 綠色 GaP 565 HR超亮紅色 GaAlAs 660
VG 較亮綠色 GaP 565 UR最亮紅色 GaAlAs 660
UG 最亮綠色 AIGalnP 574 H高紅 GaP 697
Y 黃色 GaAsP/GaP585 HIR紅外線 GaAlAs 850
VY 較亮黃色GaAsP/GaP 585 SIR紅外線GaAlAs 880
UYS 最亮黃色 AlGalnP 587 VIR紅外線 GaAlAs 940
UY 最亮黃色 AlGalnP 595 IR紅外線 GaAs 940
