1 高功率白LED 及其制造方法

　　公開(公告)號:US101611500

　　摘要:一種發(fā)光裝置，其具有用于發(fā)射短波長的光的光源。下變頻材料接收并下變頻至少一些由所述光源發(fā)射的短波長的光，并向后散射所接收并下變頻的光的一部分。與所述下變頻材料相鄰的光學器件至少部分包圍所述光源。所述光學器件用于提取至少一些所述后向散射的光。密封物基本密封所述光源和所述光學器件之間的間隙。

　　2 使用GaN LED 芯片的發(fā)光器件

　　公開(公告)號:JP10160*6

　　摘要:一種發(fā)光器件通過倒裝芯片安裝下列( a) 的GaN 基LED 芯片100 來構(gòu)成:( a) GaN 基LED 芯片100，包括透光襯底101 以及在透光襯底101 上形成的GaN 基半導體層L，其中，GaN 基半導體層L 具有從透光襯底101 側(cè)開始依次包含n 型層102、發(fā)光層103 和p 型層104 的層疊結(jié)構(gòu)，其中正電極E101在p型層104 上形成，所述電極E101 包含氧化物半導體的透光電極E101a 以及與透光電極電連接的正接觸電極E101b，以及正接觸電極E101b 的面積< p 型層104 的上表面的面積的1 /2。

　　3 通過應力調(diào)節(jié)LED 發(fā)光波長的方法及相應的白光LED

　　公開(公告)號:CN101582473

　　摘要:本發(fā)明提供了一種調(diào)節(jié)LED 發(fā)光波長的方法，是在緩沖層上先生長第一n 型歐姆接觸層，再沉積一層SiO2薄膜作為掩膜，在掩膜上開出具有一定幾何形狀和尺寸的生長窗口，然后在生長窗口處繼續(xù)生長第二n 型歐姆接觸層、有源層和p 型歐姆接觸層。不同形狀和尺寸的生長窗口對二次外延器件內(nèi)部應力的調(diào)節(jié)可以使同一種生長工藝條件下制備的器件發(fā)出不同波段的輻射光。采用這一特殊方法可制備白光LED，即在掩膜的不同區(qū)域根據(jù)預先設計開設不同形狀、尺寸和數(shù)量的生長窗口，可從一個器件發(fā)出不同波段的輻射光，它們混合后得到白光。該LED器件只需單一芯片即可發(fā)出白色光，而且制備簡便，電路簡單，無需熒光粉，壽命長，具有較高的電光轉(zhuǎn)化效率。

　　4 低發(fā)熱型多波長LED 發(fā)光二極管

　　公開(公告)號:GB101598265

　　摘要:一種低發(fā)熱型多波長LED 發(fā)光二極管，包含有一多波長LED 晶粒裝置及其外周相隔設置一封裝頭罩;多波長LED 晶粒裝置具有多種波長及光色，且至少其中之一為發(fā)熱光波;封裝頭罩設為球型透光罩體，具有一內(nèi)球面及一相對外球面，其對應多波長LED 晶粒裝置的光源中心設有投光區(qū)域，及其外球面于投光區(qū)域外側(cè)設有連續(xù)環(huán)狀的折射切面，以對應發(fā)熱光波由內(nèi)往外折射，能夠迅速釋放熱能，相對提高LED 發(fā)光二極管照明效能及使用壽命，具備更優(yōu)異散熱效率。

　　5 多波長LED 晶粒構(gòu)造及其制造方法

　　公開(公告)號:GB101599443

　　摘要:一種多波長LED 晶粒構(gòu)造及其制造方法，依據(jù)多波長LED 晶粒所需的光色選取多片不同波長及光色的單波長LED 磊晶片，且設定各片單波長LED 磊晶片的厚度比值;將上述各片單波長LED 磊晶片平面相疊接合一體，以形成多波長LED 磊晶片;將上述多波長LED 磊晶片切割成多波長LED 磊晶條;沿上述多波長LED 磊晶條的一側(cè)切割面設制一金屬反射層;將上述多波長LED 磊晶條及其金屬反射層共同切割制出上述多波長LED 晶粒，以發(fā)出混光合成特定光色。

　　6 LED 發(fā)光二極管晶粒裝置

　　公開(公告)號:GB101599481

　　摘要:一種LED 發(fā)光二極管晶粒裝置，適用于制作高亮度LED 發(fā)光二極管，晶粒裝置包含有2 個相對間隔設置的LED 晶粒，2 個LED 晶粒彼此相對側(cè)各至少相對設有一放電發(fā)光面，且放電發(fā)光面與其LED晶粒至少形成一傾斜角度;而2 個LED 晶粒的相對放電發(fā)光面彼此間形成一斜向的放電間隙，且其彼此間盡量縮減夾角或設為平行間隔，以提高電子導通與擊穿特性，并且增加放電發(fā)光面積及放電光弧，能夠有效提高發(fā)光亮度，節(jié)省能源。

　　7 具有透鏡的LED 器件及其制造方法

　　公開(公告)號:US101611502

　　摘要:本文公開了具有透鏡的LED 器件和制造所述器件的方法。所述LED 器件使用包括多個透鏡部件的光學層制成。相對于所述LED 管芯設置所述光學層，使得至少一個LED 管芯光學耦合到至少一個透鏡部件。然后可通過所述透鏡部件制造透鏡并且移除多余的光學層從而得到所述器件。

　　8 LED 芯片及其制備方法

　　公開(公告)號:CN101471406

　　摘要:本發(fā)明公開一種LED 芯片及其制備方法，ICP刻蝕后的芯片周圍一圈側(cè)面向內(nèi)傾斜，呈倒臺形。

　　LED 芯片的制備方法包括以下步驟:在藍寶石襯底上生長GaN 基LED 結(jié)構(gòu)外延片;GaN 外延片在N2氣氛高溫退火;用溶劑將GaN 外延片表面清洗干凈;在GaN 外延片上光刻出圖形;在光刻后的GaN 外延片上蒸鍍Cr /Ni 掩膜層;用溶劑將光刻膠去除干凈;接著用ICP 將外延片刻蝕到n-GaN 層，并使刻蝕后的芯片側(cè)面向內(nèi)傾斜呈內(nèi)倒臺形，其中ICP 刻蝕條件為ICP 功率為1 500 ～ 2 000W，RF 功率為20 ～ 40W，腔體壓力為40 ～ 80mTorr，刻蝕氣體流量比Cl2 ∶ Cl3 =3 ～ 6∶ 1。

　　9 襯托器和使用該襯托器形成LED 器件的方法

　　公開(公告)號:US101563771

　　摘要:本發(fā)明提供了一種用來固定用于LED 生產(chǎn)的單晶晶片的襯托器，其包括襯托器主體，該主體包括用來承載單晶晶片的凹陷，所述凹陷具有表面糙度(R最高191)≤約10μm 的表面。所述襯托器主體包括硅浸漬的碳化硅，和覆蓋著該襯托器主體的氮化物層。

　　10 一種基于無縫隙平面鍵合的薄膜LED 芯片器件制造方法

　　公開(公告)號:CN1014*02

　　摘要:本發(fā)明所公開的一種基于無縫隙平面鍵合的薄膜LED 芯片器件制造方法，利用未經(jīng)隔離化處理的外延片平坦表面進行永久性或暫時性基板的制備，再利用激光束對上述外延層與基板的界面處進行器件單元隔離化處理，從而保證了基板與外延層的結(jié)合良率，既確保了激光剝離外延薄膜層的留膜良率，又簡化了傳統(tǒng)制造工藝。

　　11 LED 陣列封裝的晶圓級封裝方法及其制造的LED 封裝器件

　　公開(公告)號:HK101436557

　　摘要:公開了一種用于LED 陣列封裝的晶圓級封裝方法。在該方法中，LED 芯片陣列首先被安裝在硅晶圓上，該晶圓上預制有凹槽結(jié)構(gòu)，其可用作接下來封裝過程中的環(huán)氧樹脂流體的阻擋裝置。環(huán)氧樹脂密封劑接著被滴到襯底上，并被固化以完成該封裝過程。將晶圓進行切割后可直接得到可用的LED 器件。該方法無需模具，和傳統(tǒng)工藝相比，可降低成本和實現(xiàn)高密度封裝。

　　12 白光LED 的封裝方法及使用該方法制作的LED 器件

　　公開(公告)號:CN101577301

　　摘要:一種白光LED 的封裝方法，包括以下步驟:準備組件，在基板上預留注膠孔和排氣孔;將LED 芯片安裝于基板上;在封裝外殼內(nèi)壁涂覆熒光粉;利用承載框連接涂覆有熒光粉的封裝外殼與基板，使封裝外殼與基板之間形成空腔;將膠體通過注膠孔注入封裝外殼與基板所形成的空腔內(nèi)，空腔內(nèi)的氣體通過排氣孔排出;將注膠完的LED 器件進行固化。本發(fā)明的封裝方法，通過在封裝外殼內(nèi)壁涂覆熒光粉，使封裝外殼作為熒光粉的承載體，同時，通過在封裝外殼以及基板之間注膠的方式，實現(xiàn)封裝，生產(chǎn)工藝簡單，適合大批量生產(chǎn)，特別適合于多芯片、大面積、以藍光LED 芯片激發(fā)熒光粉混合產(chǎn)生白光的封裝。另外，本發(fā)明還提供一種使用該方法制作的LED 器件。