8 / 10um.35um.Gold, Nickel, Copper, PalladiumNi 厚度: 5~6.5um ENIG/ENEPIGGold, Nickel, Palladium, CopperNi 厚度: 0.1um Thin Ni ENEPIG* ENIG : Electroless Nickel Immersion Gold* ENEPIG : Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold.8/8um* 從CPU 14? : 8層, 14.5um LtP到 CPU 10? : 10層, 14um LtP，基板生產(chǎn)難度增加。Core Thickness (um)Line Width/SpaceBump Pitch(Mass Volume)9 / 12 um 130 um.

（完整內(nèi)容見知識星球）4. Path group就是path group，如果有創(chuàng)建path group就會顯示，沒有的話一般就是指該條path的clock信息關(guān)于Path group的詳細(xì)內(nèi)容，比如為啥要創(chuàng)建Path group，如何查看/報(bào)告Path group，什么是Critical Range，如何利用Path group和Critical Range以及Weight來優(yōu)化Timing可以查看下面的推文：《精華長文-Path Groups 與Critical Range 、 Weight》星球鏈接：https://t.zsxq.com/yvNr3Zz…

ICC2 Innovus - voltage area的大小、形狀和位置規(guī)劃。和power switch有關(guān)嗎?https://t.zsxq.com/vzrJQNr 如何避免一些Power Domain里面的Feedthrough AOB(Always On Buffer)https://t.zsxq.com/niAyZ37精華 - Always-On (AON) Buffer Insertion using Innovus systemhttps://t.zsxq.com/Z3zBURz MV Design，Power Domain太寬，不想讓工具從Power Domain周邊Detour Path怎么辦？ICC2/ICC Innovus Calibredrv PT等EDA軟件教程分享。

Innovus修復(fù)Short的腳本分享(附腳本思路詳細(xì)講解)本文選自知識星球，同時星球里面分享了ICC2/ICC/Innovus解決Short問題的腳本，這里分享一下相應(yīng)的鏈接：《ICC/ICC2/Innovus 短路(Short)問題該如何解決？前面星球里面寫了個推文是講解如何用dbGet來得到error browser里面的結(jié)果并寫腳本解決一些overlap的問題（能熟練掌握的話那么你的innovus腳本水平就比較溜了），這里我們換一種方法用get_db來講解一下如何去實(shí)現(xiàn)。

Physical Cell 介紹——Boundary Cell (End-CAP Cell)在芯片制造的過程中，最邊界的standard cell最容易受到損傷，為減少standard cell的制造過程中的損傷，需要在邊界放置boundary cell，boundary cell有dummy poly gate，當(dāng)制造過程中的損傷發(fā)生在邊界時，boundary cell的損傷不會影響正常standard cell的功能。

Physical Cell 介紹——TAP Cell.TAP Cell只有兩個連接關(guān)系：nWell連接VDD，pSub連接VSS。Innovus cmd:>set_well_tap_mode -rule $welltap_D -bottom_tap_cells $bottom tap_cell -top_tap_cell $top_tap_cells -cell $tap_cells>set_well_tap_mode -insert_cells {{TAPCELL1 rule $distance1} {TAPCELL2 rule $distance2}}>addWellTap -cell $tap_cells -cellInterval [expr 4*$welltap_D] -checkerBoard -incr *>verifyWellTap.

Physical Cell 介紹——DCAP Cell.FC/ICC2 cmd:>set decap_cell [sort_collection -desc [get_lib_cells */DCAP*] area]>create_stdcell_fillers -lib_cell $decap_cell -continue_on_error>remove_stdcell_fillers_with_violation>set filler_cells [sort_collection -desc [get_lib_cells */FILL*] area]>create_stdcell_fillers -lib_cell $filler_cells。相同面積的DCAP和GDCAP，DCAP的電容值遠(yuǎn)大于GDCAP電容值。

Physical Cell 介紹——Filler Cell.FC/ICC2 cmd:>set decap_cell [sort_collection -desc [get_lib_cells */DCAP*] area]>create_stdcell_fillers -lib_cell $decap_cell -continue_on_error>remove_stdcell_fillers_with_violation>set filler_cells [sort_collection -desc [get_lib_cells */FILL*] area]>create_stdcell_fillers -lib_cell $filler_cells。

Physical Cell 介紹——TCD &ICOVL Cell.這是集成電路物理設(shè)計(jì)的第一個系列【physical cell】的第五篇文章，本文主要講TCD Cell &ICOVL Cell相關(guān)知識：FEOL/MEOL dummy TCD層識別為TCDDMY，BEOL dummy TCD層識別為TCDDMY_Mn &TCDDMY_Vn，F(xiàn)ull stack dummy TCD層識別為TCDDMY_ALL。如果FEOL TCD上面有金屬M(fèi)的繞線，則BEOL TCD包含金屬M(fèi)層部分不能放置在該FEOL TCD上面。ICOVL Cell種類：ICOVL_A, ICOVL_B, ..., ICOVL_I.

Standard Cell 介紹——Cell命名規(guī)則與特性。這是集成電路物理設(shè)計(jì)的第二個系列【standard cell】的第一篇文章，本篇文章從standard cell命名規(guī)則說起（TSMC standard cell）：standard cell名稱中的Dx代表該cell的驅(qū)動能力，x值越大，cell的驅(qū)動能力越強(qiáng)，同時面積和功耗越大。如果我們需要增加cell的驅(qū)動能力，則需要增加晶體管的寬度，在standard cell高度不變的情況下，可以通過transistor folding方式實(shí)現(xiàn)。

Standard Cell 介紹——CK &DCCK Cell.這是集成電路物理設(shè)計(jì)的第二個系列【standard cell】的第二篇文章，本篇文章主要講解CK Cell &DCCK Cell相關(guān)知識：相比于CK Cell，DCCK Cell內(nèi)部有CAP連接的晶體管，且相同驅(qū)動的DCCK Cell的面積比CK Cell的面積大。CK &DCCK Cell一般用于CTS中clock network上的cell。DCCK Cell的layout面積比CK Cell的面積大一倍左右。>set_lib_cell_purpose -include cts [get_lib_cells */CKND*]

Tie Cell一般有兩種：Tie High Cell和Tie Low Cell，Tie High Cell的輸出是高電平，Tie Low Cell的輸出是低電平。Innovus cmd:>setTieHiLoMode -cell {TIEL TIEH} -maxDistance 50 -maxFanout 8>addTieHiLo -cell {TIEL TIEH} -prefix tie_cell#>deleteTieHiLo>verifyTieCell -report ./tie_cell.rpt>dbGet [dbGet top.insts.cell.name TIE* -p2].instTerms.net.numInputTerms -u #fanout of tie cells。

Standard Cell 介紹——Delay Cell.2，Delay Cell和Buffer Cell的區(qū)別。FC/ICC2 cmd:>foreach cell $delay_cells {set_lib_cell_purpose -include hold [get_lib_cells */$cell] }Innovus cmd:>foreach cell $delay_cells {setDontUse $cell false}>optDesign -postRoute -hold -expandeViews -outDir $rpt -prefix postRoute_OptHold>>foreach cell $delay_cells {setDontUse $cell true}

Standard Cell 介紹——Spare Cell &GCELL.FC/ICC2 cmd:iccc2>insert_sapre_cells -lib_cells {GINVD2 GBUFD2 GNAND2} -cell_name spares -num_instance 4 -tie -skip_legalfc>add_apare_cells -num_cells {and1 10 nor1 5} -cell_name SpareCell -input_pin_connect_type tie_high -repetitive_window {20 20} | -random_distributionfc>spread_spare_cells -boundary {{llx lly} {urx ury}} -cell [get_lib_cells SpareCell]

Standard Cell 介紹——Isolation Cell.一般有兩種isolation cell：一種是clamp 0 isolation cell，一種是clamp 1 isolation cell。如果要檢查isolation cell的連接正確性，可以通過檢查isolation cell的 兩個電源信號是否來自兩個不同的power domain，一個電源信號來自 power domain switch，一個電源信號來自power domain on。Isolation cell位于兩個不同的power domain之間，防止floating input信號進(jìn)入power on domain。

Level Shifter是一種跨越兩個電壓域的特殊standard cell，在多電壓域設(shè)計(jì)中，可將信號電壓從一個電壓域轉(zhuǎn)換到另一個電壓域。從低電壓域到高電壓域，必須使用Level shifter，這是因?yàn)榈碗妷河虻腣DDL對高電壓域來說是一個介于VDDH和VSS之間的一個不確定值，這會造成高電壓域的輸入電壓不確定性。從高電壓域到低電壓域，可以不用使用Level Shifter，但需要注意是否存在高電壓域信號的抖動對低電壓域造成影響。

Standard Cell 介紹——Retention Cell.Retention Cell有多種實(shí)現(xiàn)方式，最常見的一種Retention Cell是Master/Slave-alive Retentiion Cell，這種cell包含一個正常的flip-flop，slave latch在retention階段存儲數(shù)據(jù)，slave latch的power rail通過alway on rail連接。如下圖所示，Retention Cell和DFF的區(qū)別在于，Retention Cell的slave latch的power rail連接alway on supply，同時還多一個SLEEP信號。

File 介紹——LEF File.FC/ICC2 cmd:>write_lef -design [current_block] -include cell -version 5.8 design.cell.lef>write_lef -design $block.frame -include cell -version 5.8 design.frame.lefInnovus cmd:>write_lef_abstract -stripePin -specifyTopLayer 9 -PGpinLayer {9 10 11} -extractBlockPGPinLayers {9 10 11} -cutObsMinSpacting -extractBlockObs design.lef.

File 介紹——DEF File.這是集成電路物理設(shè)計(jì)的第三個系列【File】的第三篇文章，本篇文章主要介紹DEF File相關(guān)內(nèi)容：DEF File用于描述電路物理信息的一種文件格式，它描述了standard cell/Macro的位置信息及其連接關(guān)系，可以通過DEF文件進(jìn)行不同工具間的信息傳遞，保持設(shè)計(jì)內(nèi)容不變。FC/ICC2 cmd:>write_def -include_tech_via_definitions -compress gzip -units 2000 -exclude cut_metal -version 5.8 ./design.def.gz.

File 介紹——SPEF File.QRC Flow:>distribured_processing -multi_cpu 16>input_db -type def -design_file ./design.def.gz -lef_file_list cell.lef>>input_db -type metal_fill -gds_file ./design.dummy_metal.gds.gz>extraction_setup -stream_layer_map M1 3300 151 fill 1 ...