近日，北京智慧能源研究院教授級高級工程師金銳在亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議，會上作了題為“碳化硅MOSFET研究進展分析”的報告。

碳化硅作為第三代寬禁帶半導體材料，被廣泛應(yīng)用在高壓高頻的電力電子系統(tǒng)中，使用碳化硅功率器件代替?zhèn)鹘y(tǒng)硅基功率器件是解決國家低能耗目標的有效手段之一。本報告總結(jié)了近40年碳化硅MOSFET器件的技術(shù)發(fā)展路線，歸納了不同時期和應(yīng)用場景下的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)突破，分析了當前國內(nèi)外碳化硅MOSFET研究進展及相關(guān)產(chǎn)品成熟度現(xiàn)狀，最終針對碳化硅MOSFET當前存在的問題和未來發(fā)展方向展開了深入探討，為后續(xù)碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)化進程起到一定的推動。