 作者：曉宇，排版：曉宇 之前做了一個經(jīng)典電路分析系列的文章，反響都比較好，大家可以點文章開頭的話題標簽查閱收藏，今天我們再一起探討分享20個電路，有重復也有新的電路，大家可以收藏起來！ 1、防反接保護（二極管）在實際電子設(shè)計中，防反接保護電路非常重要，不要覺得自己肯定不會接錯，實際上無論多么小心，還是會犯錯誤......  最簡單的就是利用二極管了，利用二極管的單向?qū)щ娦?，反接的時候電路不通，但這里有個無法接受的點，就是二極管具有正向壓降，輸出端電壓會有相應的下降，比如我們輸入電壓是5V，內(nèi)部的電路還要用到5V，這樣就有難度了，如果對電壓不敏感的，比如后級電路都要通過DCDC降壓，可以用肖特基二極管，壓降會小一點。還有一種是使用整流橋，即使極性接反也還能工作，缺點就是有兩個二極管的壓降。  2、防反接保護（PMOS）上面介紹了利用二極管防反接的辦法，但是壓降是痛點，那么有沒有什么辦法可以去掉這個壓降呢，PMOS來了！ 我們知道，PMOS在完全導通后，導通電阻是很小的，常規(guī)的幾百毫歐，有一些幾十毫歐， 我們這里在GS之間加了一個齊納二極管防止輸入電壓超過MOS的Vgs，Vgs額定值為20V，我們這里一般用10V的就能滿足了，具體根據(jù)MOS的實際特性進行齊納二極管的選擇。  原理分析：當輸入端加正向電壓之后，比如+5V，D端電壓為5V，由于MOS管體二極管的存在，S端的電壓為4.3V，S端電壓減G端電壓大于開啟電壓，PMOS導通后，寄生二極管短路，不再起作用； 電壓反接后，G端電壓大于S端電壓，不導通，實現(xiàn)了防反接的功能。 電路倒是簡潔，但這個電路有個問題，電路會倒流。假設(shè)右側(cè)的負載是一個電池，電壓為Vb，當直流輸入突然斷開時，Q1的Vgs滿足MOS的導通條件，PMOS就會導通，電流從右側(cè)往左側(cè)倒流，就可能引發(fā)一些未知的故障。 雖然二極管沒有反向電流（嚴格意義上有漏電流），但是這個有反向電流，如果負載有大容量電容或者是電池， 輸入端關(guān)閉時，電流會從右往左從負載端流出。當然，簡單的電路場合用這個電路也沒問題。  3、直流浪涌電流抑制開關(guān)此電路可以解決負載中有大容量電容，電源端出現(xiàn)巨大浪涌電流的問題，啟動時緩慢升高電壓以抑制上電時的浪涌電流。 電壓升高的時間由圖中的C1與R6決定，值增大，緩啟動的時間變長，當然，也可以按照第二點的方法，在GS間加入齊納二極管。  如果不需要開關(guān)，可以去掉三極管部分即可，只做緩啟動功能。 4、背靠背防倒灌像第二點中的防反接保護電路中說了，會有出現(xiàn)倒流的風險，特別是負載端是電池或者有大容量電容時，或者是電腦的USB給一些調(diào)試的同時外部還有電源，則會流向Vin測， 進而可能引發(fā)一系列的故障，那我們有沒有辦法防止倒灌呢？   我們看上面這個電路，比上面的電路多了一個MOS，兩個MOS背靠背連接起來，當Control端ON/OFF為高電平時，三極管Q9線導通，Q3跟Q4的柵極都被拉低到0V，Q3通過體二極管，符合條件先導通，接著Q4，S端電壓大于G端電壓，也符合導通條件，導通，負載端得到Vin電壓。 當Control端為低電平時，三極管Q9斷開，Q3與Q4不導通，完全關(guān)斷，并且Q3與Q4的體二極管是反向串聯(lián)的，所以不論哪個方向，都是不通的，達到防倒灌的效果。 這個電路的缺點就是還需要一個IO來控制，略顯麻煩。  5、雙三極管鏡像電路防倒灌（理想二極管） 電路仿真結(jié)果：  看著像鏡像，其實又不是，這個電路是怎么工作的？ 左側(cè)Q6三極管，Vb = Vin - 0.65，右側(cè)Q7三極管是否導通，由Vb與Vout決定，Vb > Vout - 0.65，Q7關(guān)閉。 上述關(guān)系演變成，Vin - 0.65 > Vout - 0.65，則晶體管 Q7 關(guān)閉； 如果 Vin > Vout，晶體管 Q7 截止； 當Vin輸入一定電壓，Q6飽和導通，Q7截止；MOS管柵極通過電阻接地，導通； 如果Vin被突然關(guān)閉，Vb不再受制于輸入電壓，此時，Vb = Vout -0.65，Q7導通，MOS管G端電壓拉高，MOS管關(guān)閉，達到防止回流的效果。 Vin > Vout，MOS打開，Vout≈Vin，理想二極管； Vin < Vout，MOS關(guān)閉，防止回流。 該電路的優(yōu)點，防反接，輸出基本不損失電壓，不需要額外控制信號，可以防止電流回流。 該電路在Seeed Studio的板子上得到了應用，大家可以看一下，完整原理圖有興趣的可以找老宇哥拿。 以上電路有什么Bug，請大家留言區(qū)留言評論交流！ |
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