2023年，3納米芯片已經(jīng)全面量產(chǎn)，不出意外的話，今年9月份蘋果的iPhone15就將搭載3納米的芯片，同時高通、聯(lián)發(fā)科，三星等廠商也即將推出3納米的手機芯片。

而當(dāng)手機芯片進入到3納米之后，接著像GPU、CPU、AI芯片等，也會進入3nm時代。

按照摩爾定律，以及芯片發(fā)展的規(guī)律，3納米芯片之后就是2納米，2納米之后就是1.4納米，1.4納米之后可能就是1nm。

至于1nm之后呢，就誰也不清楚了，因為摩爾定律的物理極限大約在 1nm 左右，再往下就要面臨嚴(yán)重的量子隧穿難題，導(dǎo)致晶體管失效，達(dá)到1nm之后，可能就得換材料，比如碳基芯片等等了，不過這暫時還離我們比較遠(yuǎn)。

目前芯片廠商們，還在想著2nm、1.4nm芯片呢，之前IMEC 歐洲微電子中心公布的路線圖顯示，要實現(xiàn)1nm，可能得到2030年之后去了。

所以真正實現(xiàn)1nm芯片的全面量產(chǎn)，可能得得10年、8年的，早的很。

而隨著芯片工藝的不斷前進，基于目前的制造技術(shù)，EUV光刻機也得不斷的升級前進，所以ASML也在不斷的研究更先進的光刻機。

按照ASML的說法，目前的3nm芯片，還可以使用現(xiàn)在的TWINSCAN NXE:3600D光刻機來制造，但一旦進入到2nm之后，就得升級EUV光刻機。

而這種用于制造2nm芯片的光刻機型號叫做TWINSCAN NXE:5000系列，與上一代的NXE 3600D相比，其數(shù)值孔徑從0.35NA，提升至0.55NA，全面量產(chǎn)要到2025年去了。

別小看了這個數(shù)值的提升，蔡司為此采用了變形鏡片的設(shè)計，X軸方向4倍放大，而Y軸方向8倍放大，這樣就可以將0.55NA下的反射角同樣做到6度左右。

同時還改變了光罩的設(shè)備，且所有的鏡片、工作臺等全部重新設(shè)計、制造，才能夠滿足0.55NA的需求。

ASML且示，這種0.55NA數(shù)值孔徑的EUV光刻機，應(yīng)該能夠支撐至至少1.4nm的芯片制造，至于1nm的芯片，還無法確定。

但就算這樣的一臺EUV光刻機，其對外售價可能會從現(xiàn)在的 1.5 億美元提升到 4 億美元以上（約30億人民幣），甚至最終價格可能還要漲。

說實話，這么貴的光刻機，臺積電其實也不想要，因為成本太高了，這些成本最終都會疊加到晶圓制造成本上來，導(dǎo)致成本上升。

而能夠使用這種技術(shù)的芯片廠商并不多，也就是蘋果、AMD、高通、nvidia等幾家，所以臺積電其實沒太多把握，在使用如此昂貴的設(shè)備的情況下，還能保持高毛利率。

近日，根據(jù)臺積電二季度的業(yè)績報表，就可以看出來，雖然臺積電工藝進步，但毛利率在不斷的降低，2季度臺積電毛利率降至54.1%，而一季度為56.3%，去年四季度為62.2%，在逐季下降。

這就已經(jīng)說明問題了，那就是先進工藝的成本太高，臺積電都控制不住成本了，其實臺積電也不想這樣的設(shè)備，但又不得不要。