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一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)

小功率管 中功率管 大功率管

發(fā)射區(qū)：多子濃度高 基區(qū)：多子濃度很低，且很薄 集電區(qū)：面積大

晶體管有三個(gè)極，三個(gè)區(qū)，兩個(gè)PN節(jié)

二、晶體管的放大原理

（PN結(jié)正偏與反偏：將電源正極與二極管P極相連就是正相偏置，二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)；反之正極接N極就是反向偏置。）

ICBO:少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)

IEP:基區(qū)空穴的擴(kuò)散

ICN:因集電區(qū)面積大，在外電場(chǎng)作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子飄移到集電區(qū)

IBN:因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合

IEN:因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)

擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流IE,復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流IB,漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流IC.

電流分配：IE=IB+IC

IE——擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電流

IB——復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成的電流

IC——漂移運(yùn)動(dòng)形成的電流

：直流放大系數(shù)

：交流放大系數(shù)

ICEO:穿透電流 ICBO:集電結(jié)反向電流

問(wèn)題：為什么基極開(kāi)路集電極回路會(huì)有穿透電流？

雖然基極開(kāi)路，但集電極和發(fā)射極加上電壓后，電位分布的高低是從集電極到發(fā)射極依次降低的，而這三個(gè)區(qū)中存在兩個(gè)PN結(jié)，同時(shí)也滿足了集電結(jié)反偏和發(fā)射結(jié)正偏的情況，從集電區(qū)向基區(qū)出現(xiàn)的“反向飽和電流Icbo”，在基極沒(méi)有出路，就流向發(fā)射極了。這一流動(dòng)，就形成了一個(gè)Ib。這個(gè)Ib，就引出了一個(gè)β倍的Ic; 這個(gè)Ib和Ic之和，就是穿透電流Iceo，等于(1+β)Icbo。

三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性

1.輸入特性

為什么像PN結(jié)的伏安特性？

為什么UCE增大曲線右移？

為什么UCE增大到一定值曲線右移就不明顯了？

對(duì)于小功率晶體管，UCE大于1V的一條輸入特性曲線可以取代UCE大于1V的所有輸入特性曲線。

2。輸出特性

對(duì)應(yīng)于一個(gè)IB就有一條ic隨著uCE變化的曲線

β是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況下

晶體管的三個(gè)工作區(qū)域

晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，輸出回路的電流ic幾乎僅僅決定于輸入回路的電流iB,即可將輸出回路等效為電流iB控制的電流源iC。

四、溫度對(duì)晶體管特性的影響

五、主要參數(shù)

直流參數(shù)： /β、/α、ICBO、ICEO

交流參數(shù)：β、α、fT（使β等于1的頻率）

極限參數(shù)：ICM(最大集電極電流)、

PCM(最大集電極耗散功率，PCM=iC *uCE)

U(BR)CEO(c—e間擊穿電壓)