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從計算機(jī)的角度來看，易失性存儲器最典型的代表是內(nèi)存，非易失性存儲器的代表則是硬盤。
一、易失性存儲器易失性存儲器的代表是RAM（Random Access Memory），即隨機(jī)存儲器。 RAM相當(dāng)于計算機(jī)中的內(nèi)存，是程序運(yùn)行的臨時場所。好比辦公室，上班時間有人（臨時數(shù)據(jù)），下班后就沒人了（掉電丟失）。 按照存儲結(jié)構(gòu)，RAM又分為兩種，一種為DRAM（Dynamic RAM）即動態(tài)隨機(jī)存儲器，另一種為SRAM（Static RAM）即靜態(tài)隨機(jī)存儲器。
1、DRAM 電容C存儲電荷后，即使地址線被拉低使得Q關(guān)斷，但電容C依舊會對周圍空間釋放電荷造成數(shù)據(jù)丟失，所以需要定期對DRAM構(gòu)造的存儲單元進(jìn)行刷新操作。
▲DRAM存儲單元結(jié)構(gòu)示意圖 DRAM保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度比SRAM慢，不過它比任何的ROM都要快，從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機(jī)內(nèi)存就是DRAM。 DRAM又可以分為SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SRAM，以及DDR5 SRAM。 SDRAM（SynchronousDRAM）同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘來同步。僅在時鐘的上升沿將數(shù)據(jù)采樣并進(jìn)行存儲處理，即一個CLK周期，只采樣一次數(shù)據(jù)。
DDR SRAM相比SDRAM，速度上更快，在時鐘的上升沿和下降沿都對數(shù)據(jù)進(jìn)行了采樣存儲處理，即一個CLK周期，采樣兩次數(shù)據(jù)，故命名為Double Data Rate SDRAM（DDR SDRAM）。而DDR2、DDR3、DDR4和DDR5，則在時鐘頻率上進(jìn)行了提升。
2、SRAM 該存儲單元由T1、T2、T3、T4構(gòu)成鎖存結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的保存，無需定期刷新操作。
▲SRAM存儲單元結(jié)構(gòu)示意圖 它的速率很快，是目前讀寫最快的存儲設(shè)備了，但成本比較高，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。 3、DRAM和SRAM主要區(qū)別
二、非易失性存儲器非易失性存儲器種類比較多，分別是ROM、FLASH，以及外部大容量存儲器。 1、ROM只讀存儲器 ROM（Read-Only Memory）相當(dāng)于計算機(jī)中的硬盤，我們的操作系統(tǒng)就是裝在計算機(jī)硬盤之中，每次開機(jī)后都是啟動硬盤中的程序。 ROM好比是住房，是我們真正的的容身之所（程序本身或者常量、固定數(shù)據(jù)等，掉電非易失）。 ROM分類：
MASKROM：真正意義上的只讀存儲器，一次性由廠家用特殊工藝固化，用戶無法修改。 EEPROM：可實(shí)現(xiàn)重復(fù)擦寫，直接用電路控制，不需要專門的設(shè)備來進(jìn)行擦寫。且操作單位為字節(jié)，并不需要操作整個芯片。目前已是主流。 2、FLASH FLASH存儲器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)，同時可以快速讀取數(shù)據(jù)其存儲特性，相當(dāng)于硬盤。U盤和MP3里用的就是這種存儲器。
近些年來，在嵌入式系統(tǒng)中，F(xiàn)LASH用作存儲Bootloader，操作系統(tǒng)，程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用。 FLASH分類：
NOR FLASH得益于地址線和數(shù)據(jù)線分開，可以以“字節(jié)”讀寫數(shù)據(jù)，所以允許程序直接在上面運(yùn)行。NOR一般只用來存儲少量的代碼,因?yàn)槠渥x取速度快，多用來存儲操作系統(tǒng)等重要信息。 NOR的特點(diǎn)是無需專門的接口電路、傳輸效率高，它是屬于芯片內(nèi)執(zhí)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。 NAND FLASH相當(dāng)于PC系統(tǒng)中的硬盤，容量大，用于存儲安裝軟件之類的。 NAND Flash是通過物理方法保存數(shù)據(jù)的，既然是用物理方法就必須得有損耗，所以它的壽命是有限的，寫入超過一定次數(shù)后就會報廢。 NAND FLASH對比NOR FLASH在成本上有很大的優(yōu)勢，但是存在壞塊問題（NAND通常是以塊為單位進(jìn)行擦除，塊內(nèi)有一位失效整個塊就會失效）。 NAND FLASH要在上面讀寫數(shù)據(jù)，外部要加主控和電路設(shè)計。 生產(chǎn)廠家主要有東芝、美光、intel、HYNIX、三星等。 3、eMMC eMMC（Embedded Multi Media Card，嵌入式多媒體卡）為MMC協(xié)會所訂立的， 它的內(nèi)部是把NAND flash+主控IC封裝在一起。 eMMC在物聯(lián)網(wǎng)廣泛應(yīng)用，一般在移動設(shè)備，比如手機(jī)，平板電腦，一體工控機(jī)等等，總之一些硬件空間緊湊的地方。 eMMC優(yōu)點(diǎn)是除了可以得到大容量的空間（這一點(diǎn)，只用NAND FLASH多堆疊也可以做到）外，還可以管理NAND（壞塊處理、ECC、FFS）等。
▲eMMC（BGA封裝） eMMC現(xiàn)在主要是eMMC5.1、eMMC5.2。至此后，久未更新。 據(jù)說，eMMC可能被UFS逐步取代，UFS閃存?zhèn)鬏斔俾蔬h(yuǎn)超eMMC閃存，實(shí)際未知。  END |
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