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當(dāng)存儲芯片恰逢智能汽車發(fā)展期

 楓葉n10csef5tq 2022-12-22 發(fā)布于廣東

  【嗶哥嗶特導(dǎo)讀】隨著自動駕駛等級的提升以及車載信息娛樂系統(tǒng)、多攝像頭視覺處理、長壽命電池和超高速5G網(wǎng)絡(luò)的引入,車內(nèi)車外數(shù)據(jù)流量大大提升,超大計算處理成為必需品,大容量存儲需求將大幅增長。

  只要有數(shù)據(jù),就離不開存儲。眾所周知,半導(dǎo)體存儲器具有體積小、存儲速度快等特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用服務(wù)器、PC、智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、移動存儲等領(lǐng)域。

  未來,存儲芯片是長期高成長的賽道。因?yàn)樾滦徒K端或應(yīng)用的誕生及爆發(fā),都會拉動數(shù)據(jù)存儲需求不斷增長。此前,存儲器市場出現(xiàn)過多輪新終端或應(yīng)用驅(qū)動的成長周期,如90年代PC的滲透,2000年代功能機(jī)的滲透及iPod等推出,2010 年代智能機(jī)的滲透及云計算的爆發(fā)。

  近幾年,又受到5G手機(jī)、服務(wù)器、PC等下游需求驅(qū)動,存儲芯片市場規(guī)模將快速擴(kuò)張。數(shù)據(jù)顯示,2020年DRAM下游市場中,計算、無線通訊、消費(fèi)和工業(yè)分別占45.9%、36.5%、9.6%、4.5%,而 NAND Flash下游市場中,計算、無線通訊、消費(fèi)和工業(yè)分別占54.8%、34.1%、6.1%、2.6%(注:IDC 的分類中,“計算”包含服務(wù)器和 PC,“無線通訊”包含智能手機(jī))。智能手機(jī)5G升級,帶動智能手機(jī)單機(jī)容量提升,云計算和AI發(fā)展,推動存儲需求不斷上行。另外,2020年至今新冠疫情帶來的工作、生活方式的轉(zhuǎn)變,遠(yuǎn)程服務(wù)的諸多應(yīng)用持續(xù)帶動服務(wù)器需求,而平板、筆記本電腦等也因遠(yuǎn)程辦公、教學(xué)需求,出貨量大幅增長。下游市場發(fā)展將帶動DRAM和NAND Flash快速發(fā)展。

  更值得注意的是,隨著自動駕駛等級的提升,以及車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)、多攝像頭視覺處理、長壽命電池和超高速5G網(wǎng)絡(luò)的引入,車內(nèi)車外數(shù)據(jù)流量大大提升,超大計算處理成為必需品,相應(yīng)地大容量數(shù)據(jù)緩存(DRAM、SRAM)、存儲(NAND)和其他存儲(NOR Flash、EEPROM等)需求大幅增長。

  據(jù)統(tǒng)計,2020年全球車載存儲市場規(guī)模約46億美元,在整體存儲市場占比不足5%,但成長速度較高,2016-2020年復(fù)合增速為11.4%,預(yù)計隨著汽車智能化水平的提升,車載存儲市場提速增長,主要體現(xiàn)在DRAM(尤其是新能源車用的 LPDDR)、NAND等需求高速增長,2021年車載存儲市場將達(dá)到56.6億美元,2025年增長至119.4億美元,2021-2025年復(fù)合增速為21.0%。從結(jié)構(gòu)看,車載存儲市場以DRAM和NAND為主,占比分別為57%和23%,其他小類的存儲芯片如NOR Flash、SRAM和EPROM/EEPROM也在車內(nèi)有廣泛應(yīng)用。不難預(yù)測,伴隨汽車智能化驅(qū)動數(shù)據(jù)存儲需求增加,車載存儲市場有望提速增長。

  

  此外,隨著自動駕駛等級提升,用于收集車輛運(yùn)行和周邊環(huán)境數(shù)據(jù)的各類傳感器將會越來越多,包括攝像頭、毫米波雷達(dá)、激光雷達(dá)等,OTA(空中下載技術(shù))、V2X(vehicle-to-everything)等網(wǎng)絡(luò)通信功能也將產(chǎn)生大量數(shù)據(jù)。英特爾估計自動駕駛汽車每天將產(chǎn)生4000GB的數(shù)據(jù)量。即使低等級自動駕駛的車輛也需要大量車載數(shù)據(jù)存儲。因?yàn)樽揑VI系統(tǒng)正逐步搭配更多大尺寸、高分辨率屏幕。根據(jù)中國閃存市場預(yù)測,L4、L5的汽車將配備40GB 以上的DRAM和3TB以上的NAND Flash,該配置遠(yuǎn)高于當(dāng)前的智能手機(jī)。目前來看,單車DRAM和NAND Flash容量有著巨大的提升空間。

  從國內(nèi)市場狀況來看,國內(nèi)存儲芯片需求龐大,市場規(guī)模超全球的1/3,但自給率不足5%。根據(jù)IDC數(shù)據(jù),中國半導(dǎo)體市場規(guī)模占全球份額從2005年的12.2%增至2020年的36.6%,躍居全球第一。2020年中國市場中,存儲芯片(包括DRAM和NAND)市場規(guī)模為429億美元,占中國半導(dǎo)體市場規(guī)模的30%,占全球存儲芯片市場規(guī)模的35%。

  縱觀日本、韓國存儲芯片產(chǎn)業(yè)的崛起歷程,產(chǎn)業(yè)大背景、新興產(chǎn)業(yè)需求和政策扶持是存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必要條件。當(dāng)前,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移,中國大陸也已經(jīng)建立了完善全面的電子系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈體系。除去PC、手機(jī)等傳統(tǒng)消費(fèi)電子場景,物聯(lián)網(wǎng)、AI、智能車、云計算等眾多新興市場也在興起。因此,龐大內(nèi)需及新興應(yīng)用已為國產(chǎn)存儲芯片廠商提供了發(fā)展基礎(chǔ),而政策扶持下的供應(yīng)鏈國產(chǎn)化可為其提供助力。

  市場競爭格局方面,國產(chǎn)存儲芯片廠商與國際大廠在大宗產(chǎn)品領(lǐng)域仍有差距,利基產(chǎn)品領(lǐng)域,國產(chǎn)化水平較高。據(jù)了解,DRAM方面,近幾年制程迭代速度明顯放緩,主流大廠工藝停留在 10nm+階段,給國產(chǎn)廠商縮小技術(shù)代差創(chuàng)造了機(jī)遇。目前合肥長鑫19nm工藝已成功量產(chǎn),17nm工藝即將推出。而NAND Flash方面,工藝制程演進(jìn)相對緩慢,3D堆疊層數(shù)增長迅速。長江存儲已于2021年實(shí)現(xiàn)128層3D NAND量產(chǎn),相比國際大廠落后約1年時間,差距大幅縮小。同時利基型存儲方面,兆易創(chuàng)新已成為全球第三大廠商,2021年市占率約20%,另外北京君正、東芯股份、普冉股份、聚辰股份等也在快速發(fā)展。

  高性能和低功耗是存儲芯片當(dāng)前在性能升級上的兩大主要趨勢。根據(jù)目前新興應(yīng)用的需求狀況,預(yù)計未來存儲芯片的需求將在5G、AI步入下一輪成長周期,并汽車智能化的驅(qū)動下迎來需求更大的市場增量,國內(nèi)存儲芯片廠商發(fā)展空間也會隨著拓寬。

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