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來源：內(nèi)容由半導(dǎo)體行業(yè)觀察（ID：icbank）編譯自techspot，謝謝。 近日，西部數(shù)據(jù)與合作伙伴 Kioxia 向我們展示了他們未來幾年 NAND 開發(fā)的路線圖。該公司計(jì)劃很快推出其第 6 代 BiCS，它將在 TLC 和 QLC 配置中具有 162 層。
考慮到像美光這樣的競爭對(duì)手已經(jīng)擁有 176 層 NAND 一段時(shí)間，這聽起來可能并不那么令人印象深刻，但 WD 聲稱他們將通過使用新材料來縮小存儲(chǔ)單元的尺寸，從而縮小芯片尺寸。該公司希望這將使他們能夠制造出性能同樣好的更便宜的存儲(chǔ)設(shè)備。BiCS6 3D NAND 的量產(chǎn)計(jì)劃于 2022 年底開始，西部數(shù)據(jù)計(jì)劃將這些芯片用于從廉價(jià) USB 驅(qū)動(dòng)器到 PCIe 5.0 SSD 的產(chǎn)品中。WD 還談到了他們即將推出的具有超過 200 層的 BiCS+ 內(nèi)存，該內(nèi)存將于 2024 年推出。與 BiCS6 相比，它的每個(gè)晶圓的位數(shù)將增加 55%，傳輸速度提高 60%，寫入速度提高 15%。值得注意的是，BiCS+ 僅用于數(shù)據(jù)中心 SSD，因?yàn)樵摴居?jì)劃為消費(fèi)者存儲(chǔ)提供不同級(jí)別的 2xx 層 NAND，稱為 BiCS-Y。西部數(shù)據(jù)還表示，他們正在研究多種技術(shù)以提高密度和容量，包括 PLC，并計(jì)劃在未來十年內(nèi)構(gòu)建 500 層以上的 NAND。總結(jié)而言，西部數(shù)據(jù)計(jì)劃開始量產(chǎn)162層BiCS6 3D NAND，很可能在今年年底用于PCIe 5 SSD。該公司還在開發(fā)具有 200 多層的 NAND，用于數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)、PLC，以及將多個(gè) 3D NAND 晶圓粘合在一起以增加層數(shù)的方法。美光近日表示，公司正在開發(fā) 232 層 3D NAND，并制定了 500 多層的路線圖。3D NAND 是通過在垂直堆棧中將多組單元相互層疊來制造的。閃存芯片中的層數(shù)越多，容量就越高。所有制造商目前都在制造 100 層以上的芯片，并有更高層數(shù)的前景。
在西部數(shù)據(jù)透露，它正在構(gòu)建 162 層 NAND，即將推出 200 層以上的芯片后。美光隨后在 5 月 12 日的投資者日活動(dòng)中透露了其 NAND 和 DRAM 路線圖詳細(xì)信息。它正在批量生產(chǎn) 176 層閃存芯片，這是其第五代 3D NAND，并打算在2022 年日歷結(jié)束。 提供分階段層數(shù)的幻燈片增加到 500 多層，但沒有時(shí)間表：雙堆疊技術(shù)是指將兩個(gè) 3D NAND 裸片堆疊在一起，即所謂的“串堆疊”。這克服了半導(dǎo)體制造困難，例如隨著層數(shù)的增加蝕刻穿過層的連接孔。這些孔的側(cè)面會(huì)隨著孔深度的加深而變形，并阻止 NAND 單元正常工作。美光表示，它專注于 QLC（4 位/單元）NAND，并沒有提到使用西部數(shù)據(jù)正在研究和 Soldigm 開發(fā)的PLC（五級(jí)單元）將單元位數(shù)增加到 5 。我們認(rèn)為這是因?yàn)槊拦夂苤?jǐn)慎，而不是因?yàn)樗芙^ PLC NAND 不可行。下表比較了 NAND 制造商的 3D NAND 分層狀態(tài)、歷史和計(jì)劃：  制造開始日期是近似的WD 會(huì)說，層數(shù)稍高（例如 238（SK hynix）、232 vs 212）并沒有固有的優(yōu)勢，因?yàn)樗跈M向、寬度和長度上縮小了單元尺寸，并增加了芯片高度通過添加圖層。這兩種技術(shù)的結(jié)合意味著它可以將芯片密度提高到與其競爭對(duì)手相同或更高的程度，并且層數(shù)更少。這里有一個(gè)隱含的優(yōu)勢，因?yàn)闃?gòu)建一個(gè)層意味著制作一組 pf 處理步驟，并且在其他條件相同的情況下，制作 232 個(gè)處理組比制作 212 個(gè)需要更長的時(shí)間。但是還有很多其他的事情開始發(fā)揮作用，例如晶圓制造良率，即最終結(jié)果；制造成本、芯片密度價(jià)格、耐用性和性能，不僅僅取決于制造步驟的數(shù)量。美光聲稱其 232 層技術(shù)代表了世界上最先進(jìn)的 NAND： CuA = CMOS下陣列這張幻燈片顯示了一個(gè) 1Tb (128TB) TLC 芯片。美光在其演講中沒有提到分區(qū) SSD，但它確實(shí)談到了外部控制器，暗示 NAND/SSD 控制器在主機(jī)系統(tǒng)中運(yùn)行，這對(duì)于分區(qū) SSD 是必要的。我們可能期望看到使用 232 層 NAND 的 SSD 將在 2023 年底出貨。投資者日不包括存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存，例如它曾經(jīng)為英特爾制造的3D XPoint 。但它確實(shí)談到了 CXL，并且在一張幻燈片的 CXL 鏈接的末尾顯示了一種稱為新興內(nèi)存技術(shù)的東西： 另一個(gè)人談到了“新內(nèi)存架構(gòu)”和“CXL 路線圖專注于客戶共同發(fā)明”，不管這可能意味著什么。這可能意味著可能是客戶特定的、與 CXL 相關(guān)的存儲(chǔ)設(shè)備。我們認(rèn)為新興內(nèi)存和新內(nèi)存架構(gòu)可以應(yīng)用于存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存和/或 3D DRAM。Solidigm、西部數(shù)據(jù)和美光的 NAND 路線圖證明了 NAND 和 SSD 市場的技術(shù)健康和活力，這意味著我們可以期待不斷增長的閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量和更高的應(yīng)用速度。*免責(zé)聲明：本文由作者原創(chuàng)。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn)，半導(dǎo)體行業(yè)觀察轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)一種不同的觀點(diǎn)，不代表半導(dǎo)體行業(yè)觀察對(duì)該觀點(diǎn)贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系半導(dǎo)體行業(yè)觀察。
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