美國(guó)IHS Markit市場(chǎng)咨詢公司的功率半導(dǎo)體首席分析師Richard Eden在一份新報(bào)告中表示，到2020年，受混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車，電源和光伏（PV）逆變器的需求推動(dòng)，SiC和GaN功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到近10億美元。2017年后的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到35％以上，到2027年達(dá)到100億美元。

預(yù)計(jì)到2020年，硅基氮化鎵晶體管的價(jià)格將實(shí)現(xiàn)與硅MOSFET和IGBT平價(jià)，且具有同樣出色的性能。一旦達(dá)到這一水平，預(yù)計(jì)2024年氮化鎵電力器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到6億美元，并在2027年攀升至17億美元以上。

SiC行業(yè)有望持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，主要受到混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車銷售增長(zhǎng)的推動(dòng)。市場(chǎng)滲透率也在增長(zhǎng)，特別是在中國(guó)，肖特基勢(shì)壘二極管、MOSFET、結(jié)柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）和其他SiC分立器件已經(jīng)出現(xiàn)在大量生產(chǎn)的汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載電池充電器中。

采用SiC MOSFET而非硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的動(dòng)力總成主逆變器越來(lái)越有可能在三到五年內(nèi)開始出現(xiàn)在市場(chǎng)上。由于主逆變器使用的器件比直流-直流轉(zhuǎn)換器和車載充電器要多，因此所需的器件數(shù)量也將迅速增加。逆變器制造商最終可能會(huì)選擇SiC分立器件來(lái)定制全SiC電源模塊。

除車載SiC器件數(shù)量將增加外，隨著全球政府減少空氣污染的壓力，降低對(duì)燃料化石汽車的依賴，使得電池電動(dòng)車和插電式混合動(dòng)力電動(dòng)車的全球需求將在2017年和2027年之間增加10倍。中國(guó)、印度、法國(guó)、英國(guó)和挪威已經(jīng)宣布計(jì)劃在未來(lái)幾十年內(nèi)禁止使用內(nèi)燃機(jī)汽車，并用更清潔的汽車取而代之。電氣化車輛的前景，特別是寬禁帶半導(dǎo)體的前景非常好。

GaN器件可能是SiC器件大規(guī)模增長(zhǎng)的最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。第一款符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵晶體管于2017年由Transphorm公司推出。采用GaN外延晶片制造的GaN器件的成本更低，比SiC產(chǎn)品都更容易制造。由于這些原因，加之SiC MOSFET器件成本較高，GaN晶體管可能成為2020年代后期逆變器的首選。

近年來(lái)出現(xiàn)了GaN系統(tǒng)集成電路，這些集成電路是將GaN晶體管與Si柵極驅(qū)動(dòng)器IC或GaN芯片共同封裝。如果這些GaN系統(tǒng)集成電路性能滿足手機(jī)、筆記本電腦充電器以及其它大批量應(yīng)用領(lǐng)域，則可能在更廣闊的范圍內(nèi)應(yīng)用。

此外，商用GaN功率二極管一直未真正開始研發(fā)。因?yàn)椋阅懿粫?huì)優(yōu)于硅功率器件，且成本過(guò)高。SiC肖特基二極管已經(jīng)開始應(yīng)用，且價(jià)格發(fā)展走向已有清晰預(yù)測(cè)。