文/辰哥

很多人都在抱怨市場的不確定性，抱怨紛繁復(fù)雜的國際格局，抱怨瞬息萬變的熱點(diǎn)事件。

實(shí)際上我們雖然無法決定世界格局這個(gè)面的走向，但是市場中的機(jī)會是一直都存在的，我們從某一條線出發(fā)完全可以捕捉到在不確定大環(huán)境中確定的產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向，股票究其根本來講做的就是預(yù)期差。

在深度的確定性產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢來做研究，等到那個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)的來臨你自然會發(fā)現(xiàn)它能夠給你帶來意想不到的收獲。

我們以化合物半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢為例給大家講述一下其中產(chǎn)業(yè)變革所孕育的機(jī)會。

自 20 世紀(jì) 50 年代開始，第一代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)生，20 世紀(jì) 50 年代Ge 在半導(dǎo)體中占主導(dǎo)地位，主要應(yīng)用于低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測器中，但是 Ge 半導(dǎo)體器件的耐高溫和抗輻射性能較差，到 60 年代后期逐漸被 Si 器件取代。

20 世紀(jì) 90 年代以來，隨著移動(dòng)通信的飛速發(fā)展、以光纖通信為基礎(chǔ)的信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)的興起，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表的第二代半導(dǎo)體材料開始嶄露頭腳。

近年來，隨著功率半導(dǎo)體器件、工業(yè)半導(dǎo)體、汽車電力電子等領(lǐng)域的空前發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料開始逐步發(fā)力，它是以（碳化硅）SiC、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等顯著特點(diǎn)越發(fā)凸顯其重要性與優(yōu)越性。

具體可以見下圖——

第三代半導(dǎo)體材料相比硅（Si）基半導(dǎo)體可以降低50%以上的能量損失，同時(shí)使裝備體積減小75%以上。

雖然SiC和GaN相對于傳統(tǒng)Si材料有諸多優(yōu)點(diǎn)，但是在早些年由于制造設(shè)備、制造工藝以及成本的劣勢，多年來只是在小范圍內(nèi)應(yīng)用，無法挑戰(zhàn)Si基半導(dǎo)體的統(tǒng)治地位。

隨著5G、新能源汽車等新市場出現(xiàn)，再加上我們的技術(shù)發(fā)展逐漸進(jìn)入摩爾定律的極限，Si基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足需求，SiC和GaN的優(yōu)勢被放大。

另外，制備技術(shù)進(jìn)步使得SiC與GaN器件成本不斷下降，SiC和GaN的性價(jià)比優(yōu)勢將充分顯現(xiàn)，第三代半導(dǎo)體的時(shí)代即將到來。

目前在三大化合物半導(dǎo)體材料中，第二代半導(dǎo)體GaAs占大頭，主要用于通訊領(lǐng)域，全球市場容量接近百億美元，主要受益通信射頻芯片尤其是PA升級驅(qū)動(dòng)；

第三代半導(dǎo)體GaN大功率、高頻性能更出色，主要應(yīng)用于軍事、基站、消費(fèi)電子領(lǐng)域，目前市場容量不到10億美元，隨著成本下降預(yù)計(jì)到2022年，GaN器件的市場規(guī)模將超過25億美元，年復(fù)合增長率為17%；

SiC常被用于功率器件，適用于600V下的高壓場景，廣泛應(yīng)用于光伏、風(fēng)電、軌道交通、新能源汽車、充電樁等于領(lǐng)域。預(yù)計(jì)到2023年，SiC功率器件的市場規(guī)模將超過15億美元，年復(fù)合增長率為31%，其在大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中具有巨大的優(yōu)勢。

在已經(jīng)較為成熟的產(chǎn)業(yè)中，5G基站以及快充兩個(gè)領(lǐng)域氮化鎵復(fù)合增速較快，有望成為GaN市場快速增長的主要驅(qū)動(dòng)力。

GaN射頻器件更能有效滿足5G高功率、高通信頻段的要求，未來5G基站GaN將逐步取代原有技術(shù)，同時(shí)小基站可彌補(bǔ)5G宏基站覆蓋范圍小的缺點(diǎn)，成為5G網(wǎng)絡(luò)的重要組成部分，大量小基站的使用也將帶來GaN用量增長。預(yù)計(jì)GaN射頻器件的規(guī)模將從2017年3.8億美元增長到2023年13億美元，復(fù)合增長率超過20%。

在快充領(lǐng)域GaN具備導(dǎo)通電阻小、損耗低以及能源轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)，由GaN制成的充電器還可以做到較小的體積。

今年7月OPPO發(fā)布了新一代125W超級閃充技術(shù)，率先進(jìn)入百瓦快充領(lǐng)域；iQOO宣布將在8月發(fā)布的新旗艦手機(jī)上應(yīng)用120W超快閃充技術(shù)；小米120W快充手機(jī)通過3C認(rèn)證……

官方表示125W超級閃充技術(shù)可以5分鐘將等效4000mAh電池能量的手機(jī)充至41%，20分鐘充滿。

隨著GaN生產(chǎn)成本迅速下降，GaN快充有望成為消費(fèi)電子領(lǐng)域下一個(gè)殺手級應(yīng)用，超高的充電效率將極大解決大部分手機(jī)用戶經(jīng)常充電的困擾。

預(yù)計(jì)全球GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模從2018年的873萬美元增長到2024年的3.5億美元，復(fù)合增長率達(dá)到85%。

作為第三代半導(dǎo)體雙雄之一的SIC，在新能源汽車、軌道交通以及光伏等領(lǐng)域有望成為其快速增長的主要驅(qū)動(dòng)力。

在新能源汽車領(lǐng)域，SiC器件主要可以應(yīng)用于功率控制單元、逆變器、車載充電器等方面。SiC功率器件輕量化、高效率、耐高溫的特性有助于有效降低新能源汽車系統(tǒng)成本。

目前特斯拉與最新的比亞迪漢均選擇采用了搭載SIC的功率器件，節(jié)約內(nèi)部空間的同時(shí)還能夠有效降低總成本。預(yù)計(jì)SiC器件在新能源汽車領(lǐng)域的市場規(guī)模有望從2020年的1.2億美元增長至2023年的3.0億美元。

另外在光伏逆變器中SIC滲透率也逐年提升，目前規(guī)模達(dá)到6.8億元，滲透率有望到20%。

……

可以看一下第三代化合物半導(dǎo)體的應(yīng)用空間。

隨著國內(nèi)外大廠的不斷投入，第三代化合物半導(dǎo)體的成本與技術(shù)問題將得到逐步解決，其也將在未來的各項(xiàng)設(shè)備中得到應(yīng)用更好服務(wù)廣大用戶。

產(chǎn)業(yè)趨勢基本已經(jīng)定型。

散戶總是傾向于當(dāng)有一天發(fā)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體占某一家企業(yè)的營收越來越多，增速越來越快的時(shí)候才選擇性被看到，而真正的智者其實(shí)一直都在研究耕耘，默默等待可以收獲的那一天。

在不確定中尋找確定性的產(chǎn)業(yè)趨勢，正是我們真正想要做投資的童鞋應(yīng)該掌握的。

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