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外媒消息稱(chēng)，三星電子(Samsung Electronics)研發(fā)成功第二代10納米8Gb DDR4 DRAM芯片，適用于云計(jì)算中心、移動(dòng)設(shè)備和高速顯卡等領(lǐng)域。同時(shí)消息證實(shí)2018年三星將把多數(shù)現(xiàn)有DRAM芯片生產(chǎn)轉(zhuǎn)為10納米級(jí)。

第二代10納米8Gb DDR4 DRAM芯片將會(huì)帶來(lái)更高性能和更佳能耗以及目前全球最小的尺寸，三星電子希望將這一代的10納米 DRAM芯片的產(chǎn)能彰顯出更大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

第二代的10納米8Gb DDR4 DRAM芯片性能水平提升10%、能耗效率優(yōu)化提升15%。相比第一代10納米8Gb DDR4 DRAM傳輸率3200Mbps來(lái)說(shuō)，第二代的10納米8Gb DDR4 DRAM傳輸率可以達(dá)到3600Mbps。

三星電子已經(jīng)完成了第二代的10納米8Gb DDR4 DRAM模塊與CPU制造商的驗(yàn)證，預(yù)計(jì)將增加第二代的10納米8Gb DDR4 DRAM生產(chǎn)量和生產(chǎn)線，至于比當(dāng)前主流的第一代10納米8Gb DDR4 DRAM的生產(chǎn)量和生產(chǎn)線增加具體多少還不得而知。

也就是說(shuō)，第二代10納米8Gb DDR4 DRAM芯片的產(chǎn)能將超過(guò)上一代產(chǎn)品，也就是說(shuō)三星電子的第二代10納米8Gb DDR4 DRAM芯片將在不久后瘋狂鋪滿全球市場(chǎng)，并與DRAM芯片同行再?zèng)Q雌雄。

同時(shí)三星電子還在加速其下一代DRAM芯片和系統(tǒng)研發(fā)，包括了DDR5、HBM3、LPDDR5、GDDR6等更多創(chuàng)新技術(shù)，針對(duì)企業(yè)服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備、超級(jí)計(jì)算機(jī)、HPC和高速圖形卡等領(lǐng)域的應(yīng)用。（Aming）

——阿明／分析評(píng)論——