前不久，北京碳基集成電路研究所傳來好消息。中國科學(xué)院院士彭連茂、張志勇院士基于碳納米管晶體芯片的研發(fā)團隊經(jīng)過近20年的艱苦努力，終于在新型的博狗碳基納米管領(lǐng)域獲得了巨大的研究成果。

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與基于硅的半導(dǎo)體芯片相比，基于碳的芯片具有更低的制造成本，更低的功耗和更高的效率。彭連茂教授說，相同長度的博狗碳基芯片的功耗至少是硅基半導(dǎo)體的少三倍，其運行速度提高了三倍。相關(guān)成果發(fā)表在世界頂級學(xué)術(shù)期刊《科學(xué)》（Science）上。

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麻省理工學(xué)院的研究人員在2020年6月1日發(fā)表于《自然電子》上的一項研究中，科學(xué)家們展示了在200毫米晶圓上大量制造碳納米管晶體管（CNFET）的方法。

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研究人員與商業(yè)硅制造廠Analog Devices和半導(dǎo)體制造廠SkyWater Technology合作，分析了用于制造CNFET的沉積技術(shù)之后，進行了一些更改，以使制造工藝比傳統(tǒng)方法快1100倍以上，同時降低生產(chǎn)成本。該技術(shù)將碳納米管沉積在晶圓上并排放置，通過14400 x 14,400陣列CFNET分布在多個晶圓上。

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與在約450至500 攝氏度的溫度下制造的硅基晶體管不同，CNFET還可在接近室溫的溫度下制造。這意味著我們實際上可以在先前制造的電路層之上直接構(gòu)建電路層，以創(chuàng)建3D芯片。

麻省理工學(xué)院的研究人員已經(jīng)在進行的下一步工作是在工業(yè)環(huán)境中利用CNFET構(gòu)建不同類型的集成電路，并探索3D碳基芯片可以提供的一些新功能。