文/華軟資本高級投資經(jīng)理 金承天

2020年2月25日，存儲芯片概念股兆易創(chuàng)新以426元/股創(chuàng)下新高，較去年同比漲幅430%，可以算是牛股中的牛股。兆易創(chuàng)新主要生產(chǎn)存儲芯片Nor Flash，是4種主要的存儲芯片之一。本文將以簡潔的方式介紹半導(dǎo)體存儲各個分支，并梳理相關(guān)的一二級市場標(biāo)的及上下游企業(yè)。希望對讀者有幫助。

二級市場對存儲芯片的高度關(guān)注是推動股價(jià)上漲的主要因素。任何電子產(chǎn)品都離不開存儲芯片，可以說存儲器是信息產(chǎn)業(yè)的根基，占到了集成電路近一半的產(chǎn)值。

得存儲者的天下，不掌握存儲介質(zhì)的生產(chǎn)技術(shù)就無法擺脫“代工廠”命運(yùn)，存儲芯片對于我國科技產(chǎn)業(yè)有著極高的戰(zhàn)略意義。

過去30年，我國錯過了光存儲（CD、DVD等）、磁存儲（磁帶、機(jī)械硬盤）的產(chǎn)業(yè)窗口，即便在今天，我國存儲芯片領(lǐng)域的國產(chǎn)化率還很低，好在我們在各細(xì)分領(lǐng)域已做好了技術(shù)準(zhǔn)備，關(guān)鍵產(chǎn)品的量產(chǎn)已接近落地?？梢哉f，中國存儲行業(yè)已進(jìn)入3月天，離春暖花開越來越近了。

半導(dǎo)體存儲器是集成電路領(lǐng)域第一大分支。集成電路分為邏輯電路、模擬電路、存儲器和微處理器四大類。半導(dǎo)體存儲器市場空間超過1200億美元，占到集成電路的40%。
電子產(chǎn)品中處處要用到存儲器。以計(jì)算機(jī)為例，CPU內(nèi)部、內(nèi)存、顯存、網(wǎng)卡、硬盤都需要不同性能的存儲器。計(jì)算屬性越高的組件，對讀寫速度、耐久性要求就越高，存儲的價(jià)格也就越貴。從性能及單位價(jià)格由高及低依次為寄存器、緩存、內(nèi)存、外置存儲等。

存儲器依照特點(diǎn)不同可分為眾多類別。依照斷電后是否還能保留數(shù)據(jù),可分為“易失性(VM)”與“非易失性(NVM)”存儲兩大類。如下圖所示：

圖：存儲技術(shù)分類 圖片摘自網(wǎng)絡(luò)

一類是易失性存儲器（RAM），這一類Memory斷電后數(shù)據(jù)不能儲存，但性能卓越，主要以DRAM與SRAM為代表，常用于電腦、手機(jī)的緩存（SRAM）及內(nèi)存（DRAM）。SRAM速度高，但容量小。而DRAM保留數(shù)據(jù)的時間較短，速度也相對較慢，但從價(jià)格較SRAM便宜很多，容量更大，因此一直都是內(nèi)存的不二之選。

第二類是非易失性存儲器（ROM），這一類Memory斷電后數(shù)據(jù)能夠存儲，主要以NAND Flash與Nor Flash為代表，常見于SD卡、U盤和SSD（固態(tài)硬盤）。

從單位價(jià)格角度排序，SRAM高于DRAM高于Nand Flash；而從容量需求量角度Nand高于DRAM高于SRAM，因此我們便看到了下圖（右）中三大存儲介質(zhì)的產(chǎn)值占比。

圖：2002年與2018年存儲芯片產(chǎn)值占比：
對比2002年（圖左），不難發(fā)現(xiàn)，不同性質(zhì)的存儲芯片占比是在變動的。下游電子產(chǎn)業(yè)需求改變造成了存儲器格局轉(zhuǎn)變。變動最大的莫屬兆易創(chuàng)新所主營的Nor Flash。小容量時代Nor Flash是主流的外置存儲介質(zhì)，而隨著容量需求越來越高，Nand Flash逐漸進(jìn)入市場，需求提升帶來產(chǎn)能擴(kuò)張，生產(chǎn)成本隨之下降，最終使其替代Nor Flash成為了如今主要的外置存儲介質(zhì)。（但是Nor的故事并未結(jié)束，下文會有所涉及。）

SRAM在緩存領(lǐng)域的應(yīng)用無人撼動，但緩存的用量始終有限，因此雖然SRAM價(jià)格昂貴但占比始終較小。

作為內(nèi)存老大，DRAM高價(jià)特性使它在過去二十年一直占據(jù)著存儲芯片老大的位置。如今最有可能對DRAM地位形成擠壓的是硬盤新貴Nand Flash。隨著市場對高速外置存儲的需求高速增長，Nand Flash（固態(tài)硬盤）對機(jī)械硬盤的替代正在加速。雖然單價(jià)遠(yuǎn)低于DRAM，但是Nand Flash需求量是DRAM的數(shù)倍，且增速更快。

此外，有一種介于易失和非易失之間的新型RAM正在走向市場，代表為Intel和鎂光研發(fā)的3D Xpoint，其性能介于內(nèi)存與固態(tài)硬盤之間，可在廉價(jià)內(nèi)存與超高性能外置存儲領(lǐng)域中得到應(yīng)用。

SRAM、DRAM、NAND、NOR很大程度上將受到5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛等領(lǐng)域發(fā)展的影響。每種介質(zhì)都將受益，但程度各有不同。下面就讓我們一起來看一下新形勢下各領(lǐng)域國內(nèi)有哪些企業(yè)具有行業(yè)機(jī)會，增長點(diǎn)又在何處。

剛剛提到SRAM主要用于計(jì)算機(jī)緩存，此外汽車電子等也會涉及，是存儲領(lǐng)域最精貴“小巧”的介質(zhì)之一。

市場規(guī)模：全球約10億美金，是主流存儲介質(zhì)中最小的。Sram領(lǐng)域雖然市場空間小，但受計(jì)算機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域的發(fā)展將會保持穩(wěn)定增長。

市場格局：Cypress占比38%,ISSI占比17%，其他45%。我國企業(yè)暫無生產(chǎn)及設(shè)計(jì)能力，僅依靠海外收購獲得了Fabless的研發(fā)設(shè)計(jì)能力。

國內(nèi)上市公司北京君正300223于2019年末收購北京矽成，后者于2015年收購了美國ISSI公司。ISSI從2016到2018年的營收同比增速均超過16%，收入規(guī)模達(dá)到4.5億美金。其中，DRAM營收位列全球第七、SRAM營收位列全球第二，在汽車電子領(lǐng)域具有極強(qiáng)的技術(shù)優(yōu)勢，有著較好的盈利能力和成長前景。

Dram（動態(tài)隨機(jī)存取記憶體）DRAM是最常見的內(nèi)存和顯存，只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。DRAM是相對于SRAM而產(chǎn)生的，DRAM除了兼具SRAM特點(diǎn)外還擁有非常高的密度，單位體積的容量較高，因此成本較低，幾乎適用于任何帶有計(jì)算平臺的個人消費(fèi)類或工業(yè)設(shè)備，從筆記本電腦和臺式電腦到智能手機(jī)和許多其他類型的電子產(chǎn)品等。

市場規(guī)模：全球600億美金，中國200億美金
市場格局：三足鼎立，三星、海力士、鎂光占95%

DRAM領(lǐng)域的增速相對穩(wěn)定，大約每年20%。應(yīng)用領(lǐng)域主要是PC、手機(jī)、服務(wù)器、物聯(lián)網(wǎng)終端的內(nèi)存，分別占比30%、35%、15%、15%。從行業(yè)上看，早期計(jì)算機(jī)應(yīng)用占了整個DRAM產(chǎn)業(yè)高達(dá)90%份額，2016年開始伴隨大容量智能手機(jī)崛起，手機(jī)逐漸取代PC成為DRAM產(chǎn)業(yè)的主流，同時云服務(wù)器DRAM需求涌現(xiàn)的帶動是功不可沒的推手，包括Facebook、Google、Amazon、騰訊、阿里巴巴等不斷擴(kuò)充網(wǎng)路存儲系統(tǒng)，對于云存儲、云計(jì)算的需求提升，都帶動服務(wù)器DRAM需求起飛。

中國DRAM基礎(chǔ)薄弱，長期受限于市場、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈不完整等因素，無法與國外IDM大廠正面競爭。直到2016年以后，中國存儲才開始成規(guī)模地發(fā)展自己的IDM體系。

我國切入DRAM領(lǐng)域是從并購海外Fabless廠商開始的。2009年，浪潮集團(tuán)收購原德國奇夢達(dá)科技（西安）有限公司，后者原為德國英飛凌科技存儲器事業(yè)部，主營DRAM設(shè)計(jì)。2015年，紫光集團(tuán)旗下紫光國芯股份有限公司又將該資產(chǎn)收購，補(bǔ)強(qiáng)了紫光系的存儲版圖。紫光國芯的技術(shù)處在國際前沿，公司開發(fā)的DDR4及LPDDR4等產(chǎn)品已經(jīng)完成驗(yàn)證，同時正進(jìn)行新一代GDDR6物理接口的開發(fā)。

國內(nèi)DRAM領(lǐng)域另一個重大事件就是剛剛提過的大陸資本收購美國ISSI。至此國內(nèi)已具備了Dram的設(shè)計(jì)能力，但生產(chǎn)端仍是空白。

隨著集成電路產(chǎn)業(yè)逐漸成為經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)升級的重點(diǎn)發(fā)展方向，關(guān)注度和資金紛至沓來，中國存儲產(chǎn)業(yè)正式進(jìn)入IDM時代。2016年，合肥長鑫由合肥產(chǎn)投牽頭成立，主攻DRAM方向。在短短的兩年內(nèi)，合肥長鑫在元件、光罩、設(shè)計(jì)、制造和測試領(lǐng)域都積累了許多的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)。近年來與兆易創(chuàng)新合作研發(fā)也加速了DRAM的國產(chǎn)落地，2019年已實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，未來幾年大范圍銷售可期。

從投資角度，合肥長鑫、紫光存儲對于大部分的一二級投資者均沒有直接的投資機(jī)會，但是我們?nèi)钥梢躁P(guān)注Dram的上下游如半導(dǎo)體設(shè)備、Dram封測、內(nèi)存接口芯片等領(lǐng)域的爆發(fā)式增長機(jī)會。

相關(guān)標(biāo)的

太極實(shí)業(yè)600667（與DRAM巨頭海力士合資成立海太半導(dǎo)體，專門承接DRAM芯片封測）

深科技000021（2015年收購金士頓（KINSTON）核心封測廠商）

晶方科技603005（2015年原DRAM巨頭奇夢達(dá)科技位于蘇州工業(yè)園的封裝測試和模組工廠）

瀾起科技688008（內(nèi)存接口行業(yè)龍頭，2018年收入達(dá)到18億，增長50%，毛利率高達(dá)70%，凈利潤率40%，仍處于高速發(fā)展中）

內(nèi)存接口芯片2018年全球內(nèi)存接口規(guī)模約為5.7億美元，同比增長51.4%，快于DRAM的增速。內(nèi)存接口的作用是服務(wù)器內(nèi)存模組的核心邏輯器件，解決服務(wù)器CPU的高處理速度與內(nèi)存存儲速度不匹配的問題，提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性。

內(nèi)存接口下游需求穩(wěn)定，市場規(guī)模增速較快。下游客戶主要為三星電子、海力士及美光科技為主。在大數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算等新興行業(yè)發(fā)展趨勢下，對服務(wù)器數(shù)據(jù)存儲和處理負(fù)載能力要求的不斷提高以及服務(wù)器中配置內(nèi)存數(shù)量的增加，內(nèi)存接口芯片市場規(guī)模未來提升空間可期。

瀾起科技、IDT和Rambus是目前該領(lǐng)域的主要玩家。瀾起科技的成功主要得益于行業(yè)高壁壘與下游市場的蓬勃。內(nèi)存接口產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期全球有10幾家企業(yè)參與，而隨著技術(shù)迭代，到DDR4時僅有瀾起在內(nèi)的3家企業(yè)參與。而服務(wù)器市場受益于5G基礎(chǔ)建設(shè)、云計(jì)算及大數(shù)據(jù)中心快速增長，使得瀾起科技業(yè)績迅速爆發(fā)。