陳蓉1，2，3

1. 華中科技大學(xué)微納材料設(shè)計(jì)與制造研究中心

2. 華中科技大學(xué)數(shù)字制造裝備與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

3. 華中科技大學(xué)機(jī)械科學(xué)與工程學(xué)院

原子層沉積技術(shù)簡(jiǎn)介

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷推進(jìn)，電子器件不斷地走向微型化和集成化。小小的一塊芯片，在顯微鏡下放大一萬(wàn)倍觀看（圖1），其復(fù)雜程度不亞于一座城市。而對(duì)于這種高度集成化的器件來(lái)說(shuō)，要讓這些間隔如此小的微納結(jié)構(gòu)相互協(xié)同、互不干擾地工作，其兩兩之間的界線必須“棱角分明”。但目前，對(duì)于傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）來(lái)說(shuō)，想要在如此微小的尺度上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)的有效、精確的可控沉積仍存在有一些問(wèn)題[1-3]，因此需要一種能夠同時(shí)滿足材料多樣化要求以及生長(zhǎng)精確可控的沉積方法，作為目前日益復(fù)雜化、集成化的電子器件的發(fā)展基礎(chǔ)。

原子層沉積（atomic layer deposition, ALD）技術(shù)，是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積方法。通俗來(lái)說(shuō)，可以將一層層亞納米厚的薄膜均勻地‘’包’‘’在物體表面。這種能夠?qū)⒏鞣N功能材料，在亞納米尺度上實(shí)現(xiàn)均勻包覆的技術(shù)，很好地解決了目前功能器件中的缺陷和均勻性的問(wèn)題。原子層沉積的主要原理如圖2所示：ALD最大的特點(diǎn)是將傳統(tǒng)的化學(xué)氣相反應(yīng)有效地分解成兩個(gè)半反應(yīng)，當(dāng)我們的目標(biāo)成分是AB時(shí)，先向腔體內(nèi)部通入一種前驅(qū)體A，它會(huì)與基底的表面基團(tuán)反應(yīng)從而均勻地吸附在基底表面。由于A、B兩種物質(zhì)相互反應(yīng)，因此在A完全吸附在表面后后，需要用惰性氣體將多余的A吹走。之后再通入另一種前驅(qū)體B，與表面的一層A反應(yīng)，同樣需要惰性氣體將B吹走，這些過(guò)程構(gòu)成一個(gè)生長(zhǎng)循環(huán)，從而形成一層均勻的薄膜，而每個(gè)循環(huán)生長(zhǎng)的薄膜厚度一致，可以通過(guò)對(duì)生長(zhǎng)循環(huán)數(shù)的控制，來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜厚度的精確控制。因此，原子層沉積是一種精確可控的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)[4-5]。

圖 1 芯片放大一萬(wàn)倍

(圖片來(lái)源：https://www./extreme/191996-zoom-into-a-computer-chip-watch-this-video-to-fully-appreciate-just-how-magical-modern-microchips-are)

圖 2 原子層沉積原理示意圖

(圖片來(lái)源：http://lamd./yjly/yzccj.htm#tip01)

由于其獨(dú)特的生長(zhǎng)方式，原子層沉積具有如下幾個(gè)特點(diǎn)：前驅(qū)體在基底表面的飽和化學(xué)的特點(diǎn)，決定了每次循環(huán)薄膜生長(zhǎng)的厚度，而薄膜是按原子層生長(zhǎng)，可制備~ ?級(jí)別厚度的薄膜，可以實(shí)現(xiàn)薄膜厚度在亞納米級(jí)的精確控制且具有較高的可重復(fù)性。由于ALD存在生長(zhǎng)的自限制性，因而得到的薄膜具有良好的均勻性和較高的密度。另一方面，基于ALD生長(zhǎng)的特點(diǎn)，可在復(fù)雜結(jié)構(gòu)表面生長(zhǎng)，并在其表面實(shí)現(xiàn)均勻包覆（圖3）。這些特點(diǎn)，使得ALD技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，同時(shí)，ALD技術(shù)本身也在不斷地發(fā)展[6-7]。

圖 3 原子層沉積的保形性

2

原子層沉積的發(fā)展歷史

原子層沉積最早被用來(lái)開發(fā)電致發(fā)光薄膜器件，1974年，Tuomo Suntola發(fā)現(xiàn)ALD這種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)，并將它命名為原子層外延（ALE），通過(guò)這種方法，制備了AL2O3層以及ZnS層并將其運(yùn)用到平板顯示器中[8]。往后，ALD技術(shù)不斷推進(jìn)（圖4），而半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展成為ALD技術(shù)突破的一大助力。微電子器件的迅速發(fā)展，要求電子器件在集成化的同時(shí)，還能保證其精度，呈現(xiàn)‘’小而精‘’的特點(diǎn)。因此要求不僅僅能夠適應(yīng)多種功能材料的要求，更能夠在沉積過(guò)程中精準(zhǔn)控制薄膜的厚度和形成均勻表面，同時(shí)，器件的穩(wěn)定性要求在加工過(guò)程中盡量減少孔洞、空隙等缺陷，而ALD技術(shù)很好地滿足了這些要求。在微電子領(lǐng)域，ALD被廣泛地研究研究作為沉積高K（高介電常數(shù)）柵極氧化物，高K存儲(chǔ)電容器電介質(zhì)[9-10]，鐵電體以及用于電極和互連的金屬和氮化物的潛在技術(shù)。之后隨著微機(jī)電系統(tǒng)的崛起，要求在納米尺度形成各種復(fù)雜的結(jié)構(gòu)和圖案。而主流的加工方法為刻蝕法，通過(guò)激光或電子等，將設(shè)計(jì)好的圖案化形狀‘’復(fù)印‘’到薄膜表面，再通過(guò)后續(xù)的處理在基底表面得到特定的圖案。其過(guò)程就像用刀切蛋糕，要想切出特定的圖案，需要從蛋糕的表面開始，切除邊界，然后去除掉其他位置。而與此同時(shí)，ALD技術(shù)為此提供了另一種解決方案，與傳統(tǒng)的 “從上到下”切出圖案不同。

ALD提供一種類似于增材制造的方法，通過(guò)在特定區(qū)域一層層堆疊得到圖案。對(duì)基底特定區(qū)域的表面進(jìn)行改性，從而使得前驅(qū)體僅在該區(qū)域吸附，從而在ALD循環(huán)中，僅在特定的區(qū)域進(jìn)行生長(zhǎng)。通過(guò)這種選擇性沉積，達(dá)到圖案化的目的，實(shí)現(xiàn)原子級(jí)精度的有效控制，從而很好解決了光刻加工過(guò)程中的精度以及缺陷的問(wèn)題。隨著半導(dǎo)體器件的不斷發(fā)展，在追求器件的功能和效率的同時(shí)，也對(duì)各種器件的穩(wěn)定性提出了要求。由于ALD技術(shù)具有較好的保形性，因而能在不影響功能的條件下，僅僅通過(guò)沉積薄薄的一層“保護(hù)層”就能大大地提高器件的使用壽命，滿足行業(yè)對(duì)器件穩(wěn)定化的要求。

圖 4 原子層沉積的發(fā)展進(jìn)程

3

原子層沉積的應(yīng)用

原子層沉積技術(shù)，因其獨(dú)特的生長(zhǎng)方式和沉積特點(diǎn)，目前已被廣泛地應(yīng)用到微電子、新能源、電子和光電材料，催化等各個(gè)領(lǐng)域中（圖5）。

圖 5 原子層沉積的應(yīng)用領(lǐng)域

3.1 選擇性ALD

高端芯片的關(guān)鍵技術(shù)是推進(jìn)計(jì)算和通信技術(shù)的發(fā)展，以及走向物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要革命性的技術(shù)。目前的半導(dǎo)體制造需要進(jìn)行光刻和蝕刻的多步相互對(duì)準(zhǔn)步驟，對(duì)于設(shè)備要求極高，同時(shí)面臨價(jià)格昂貴技術(shù)壁壘高的挑戰(zhàn)。目前半導(dǎo)體工業(yè)中迫切需要實(shí)現(xiàn)自下而上具有“指向性”生長(zhǎng)工藝，像搭積木一樣，僅在需要的地方沉積材料實(shí)現(xiàn)薄膜自對(duì)準(zhǔn)生長(zhǎng)，該技術(shù)與工藝制程處理被認(rèn)為是納米制造的“圣杯”。

針對(duì)目前半導(dǎo)體加工的加工精度瓶頸的限制，基于原子層沉積的方法，發(fā)展選擇性原子層沉積能為精密微納加工提供另一種解決方案。

選擇性原子層沉積，通過(guò)在基體表面做不一樣的處理，使其表面具有不同的化學(xué)鍵，或呈現(xiàn)不同的導(dǎo)電性，或具有不同的表面極性，或具備不同的表面張力。通過(guò)前驅(qū)體分子根據(jù)不同的特性實(shí)現(xiàn)選擇性吸附，通過(guò)控制循環(huán)數(shù)量來(lái)實(shí)現(xiàn)區(qū)域成膜。其具有傳統(tǒng)ALD方法優(yōu)勢(shì)，同時(shí)相對(duì)于現(xiàn)有的刻蝕加工方法來(lái)說(shuō)，具有加工精度高，制造成本低等特點(diǎn)，具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。

3.1.1 區(qū)域選擇性

由于傳統(tǒng)“自上而下”的半導(dǎo)體刻蝕等加工技術(shù)中，受到加工精度、邊緣對(duì)準(zhǔn)精度的限制，很難滿足目前半導(dǎo)體行業(yè)日益集成化、高效化的發(fā)展需求。因而需要一種能夠突破這一限制的技術(shù)。而基于ALD技術(shù)的原理，區(qū)域選擇性ALD的方法能夠根本上改變這些誤差來(lái)源的產(chǎn)生，提高加工精度。其主要過(guò)程是：通過(guò)對(duì)基底表面特定區(qū)域進(jìn)行特殊的處理，使其特性發(fā)生改變，好像蒙上一層“疏水層”材料一樣，當(dāng)前驅(qū)體分子通入時(shí)，這些經(jīng)過(guò)處理的區(qū)域就會(huì)對(duì)其產(chǎn)生抵抗從而抑制前驅(qū)體分子的吸附。而未經(jīng)處理的表面就和ALD反應(yīng)一樣正常反應(yīng)。因而增加ALD循環(huán)數(shù)目時(shí)，經(jīng)處理過(guò)的區(qū)域就不會(huì)沉積，而未處理的區(qū)域就被沉積薄膜，從而達(dá)到特定區(qū)域選擇性沉積的目的。其過(guò)程如圖6所示，根據(jù)不同前驅(qū)體與基底之間的吸附特性，使紅色的前驅(qū)體A僅在綠色區(qū)域吸附，而藍(lán)色前驅(qū)體分子僅在黑色中心區(qū)域吸附，在進(jìn)過(guò)多個(gè)循環(huán)后，能夠在兩個(gè)區(qū)域分別沉積上一層薄膜，形成區(qū)域選擇性沉積（圖7）。

圖 6 區(qū)域原子層沉積過(guò)程

（圖片來(lái)源：https://plasma./blog/2018-blog/area-selective-ald）

圖 7 區(qū)域原子層沉積示意圖

（圖片來(lái)源：https://plasma./blog/2018-blog/area-selective-ald）

3.1.2 晶面選擇性

區(qū)域選擇性原子層沉積提供了一種“自下而上”的微納結(jié)構(gòu)加工方法，能避免傳統(tǒng)半導(dǎo)體加工過(guò)程中的精度和缺陷問(wèn)題。而當(dāng)對(duì)象尺度繼續(xù)減小到納米顆粒上時(shí)，同樣可以利用選擇性ALD，在亞納米精度上，對(duì)顆粒的特定晶面進(jìn)行修飾。這種方法，相當(dāng)于一個(gè)個(gè)亞納米的“外科手術(shù)刀”，能夠?qū)?xì)小的納米顆粒進(jìn)行定向修飾。

對(duì)于催化劑來(lái)說(shuō)，從原子尺度上對(duì)催化劑進(jìn)行設(shè)計(jì)，能夠大大地提高催化劑的催化性能和效率。晶體往往具有一定的晶格結(jié)構(gòu)，尺寸范圍在亞納米級(jí)別，形狀結(jié)構(gòu)就和骰子一樣，有一定的面和棱邊。而不同的晶面具有不同的能量，通過(guò)ALD來(lái)優(yōu)先對(duì)能量低的晶面進(jìn)行吸附，并通過(guò)精確控制生長(zhǎng)來(lái)使其實(shí)現(xiàn)特定晶面的選擇性生長(zhǎng)（圖8）。這種方法，能夠在納米尺度上直接對(duì)顆粒進(jìn)行改性，從而達(dá)到提高催化劑的催化活性和穩(wěn)定性的目的[11-12]。

利用選擇性ALD可以對(duì)納米顆粒實(shí)現(xiàn)定向包覆，能夠有效提高納米結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，同時(shí)能夠保持表面的活性位點(diǎn)。同時(shí)，通過(guò)對(duì)選擇性定向包覆模型的建立以及生長(zhǎng)理論的分析，能夠?qū)Σ煌那膀?qū)體在不同基底上的生長(zhǎng)進(jìn)行預(yù)測(cè)，可以實(shí)現(xiàn)納米材料的精細(xì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并為亞納米尺度上的微納結(jié)構(gòu)的精密設(shè)計(jì)提供理論基礎(chǔ)和方法指導(dǎo)。

圖 8 ALD的晶面選擇性

3.2 光電器件

3.2.1 量子點(diǎn)顯示器件

量子點(diǎn)是新一代無(wú)機(jī)三原色顯示材料，其體積僅為有機(jī)發(fā)光材料的萬(wàn)分之一，可以使像素發(fā)光單元進(jìn)一步地微小化。通過(guò)量子點(diǎn)技術(shù)制成的量子點(diǎn)顯示器能有效地提升顯示的鮮艷度和真實(shí)感，能夠適應(yīng)未來(lái)移動(dòng)電子和虛擬現(xiàn)實(shí)設(shè)備的需求。然而在器件的實(shí)際使用過(guò)程中，受到光、熱、水、氧和電場(chǎng)等環(huán)境作用，量子點(diǎn)器件容易發(fā)生老化和失效。而器件老化的原因主要是由于量子點(diǎn)表面存在陷阱態(tài)和器件界面存在缺陷，而原子層沉積技術(shù)（ALD）可以實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)顯示器件在不同尺度的鈍化和優(yōu)化[13-14]，定向地將這些缺陷位點(diǎn)保護(hù)起來(lái)，可以有效提高量子點(diǎn)顯示器件的性能和使用壽命。而ALD除了對(duì)量子點(diǎn)單體的缺陷位點(diǎn)具有鈍化作用外，還可以利用其特定的生長(zhǎng)特點(diǎn)對(duì)量子點(diǎn)器件進(jìn)行有效的封裝，提高量子點(diǎn)顯示器件的壽命，是量子點(diǎn)顯示器件從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化的一大助力（圖9）。

圖 9 ALD在量子點(diǎn)器件中的應(yīng)用

3.2.2 OLED器件封裝

目前，有機(jī)發(fā)光二極管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）相對(duì)于液晶顯示來(lái)說(shuō)，具有自發(fā)光性、廣視角、低耗電、高反應(yīng)速率等優(yōu)點(diǎn)。而OLED的結(jié)構(gòu)與太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)類似，由具有不同功能的薄膜一層層“堆疊”起來(lái)。而通過(guò)對(duì)不同的功能層之間的界面進(jìn)行有效調(diào)控能夠顯著提高OLED的發(fā)光效率和減少能耗，由于ALD技術(shù)能夠在微納尺度上進(jìn)行薄膜的表面改性，因而能夠很好地調(diào)控不同層之間的界面而不破壞其功能，從而達(dá)到對(duì)OLED器件的界面調(diào)控的目的[15]（圖10）。

柔性電子以其獨(dú)特的延展性、便攜性備受消費(fèi)者青睞，但在走向市場(chǎng)化應(yīng)用時(shí)還面臨許多亟待解決的問(wèn)題。以柔性顯示領(lǐng)域?yàn)槔?，其廣泛采用對(duì)水氧敏感的有機(jī)材料，因此需要對(duì)其進(jìn)行封裝以防止外界水氧的侵蝕。傳統(tǒng)的蓋板封裝方法可實(shí)現(xiàn)對(duì)水氧的有效阻隔，但其難以適應(yīng)柔性電子的發(fā)展需求。ALD薄膜封裝方法可以直接在復(fù)雜基底表面形成致密薄膜，針對(duì)不平整樣品和三維表面的封裝優(yōu)勢(shì)明顯。同時(shí)沉積薄膜易于延展，適合于柔性材料的封裝。

圖 10 ALD在OLED中的應(yīng)用

3.3 能源領(lǐng)域

3.3.1 納米粒子包覆

火箭推進(jìn)劑燃料主要是高儲(chǔ)氫量的金屬氫化燃料，而因其具有高能量密度、高活性的特點(diǎn)，往往難以達(dá)到穩(wěn)定化運(yùn)輸和儲(chǔ)藏的要求。而這一特點(diǎn)，制約了新一代推進(jìn)劑安全研制、生產(chǎn)、服役和貯存的發(fā)展。因此急需一種能將金屬燃料顆粒穩(wěn)定化包覆的方法。在不影響其燃料特性的同時(shí)，增強(qiáng)顆粒的穩(wěn)定性，使其便于儲(chǔ)存和運(yùn)輸。

ALD技術(shù)制備的薄膜具有厚度亞納米級(jí)可控、致密、均勻的特點(diǎn)，已在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了工業(yè)化應(yīng)用。ALD技術(shù)拓展至金屬氫化燃料顆粒的表面生長(zhǎng)，能夠在克服作用力的條件下，有效地對(duì)含能顆粒進(jìn)行包覆，解決目前高熱值火箭推進(jìn)劑的燃料顆粒穩(wěn)定化要求（圖11）。

ALD技術(shù)除了對(duì)高能燃料顆粒具有很好的包覆作用外，通過(guò)類似的原理，能夠?qū)π履茉雌嚨匿囯姵仡w粒進(jìn)行改性，解決目前鋰電池電池的容量小、壽命短等問(wèn)題，為下一代新能源儲(chǔ)能單元的發(fā)展提供很好的基礎(chǔ)。

圖 11 ALD對(duì)納米顆粒包覆及其應(yīng)用

3.3.2 尾氣催化

ALD技術(shù)在環(huán)境保護(hù)領(lǐng)域同樣具有廣泛的應(yīng)用。目前，汽車尾氣中含有的CO、HC和NOx等有害氣體大量，是大氣污染的主要來(lái)源。而對(duì)于這些氣體和顆粒物來(lái)說(shuō)，難以完全消除掉，主要通過(guò)尾氣處理器中的催化劑將其完全氧化或還原成無(wú)毒無(wú)害的氣體排放出來(lái)。而不同的催化劑的催化活性和有效溫度不同，通過(guò)ALD可以有效地提高尾氣催化劑的催化活性和降低反應(yīng)溫度。 同時(shí)能有效減少貴金屬催化劑的使用量，降低催化成本。

催化反應(yīng)總是發(fā)生在材料表界面，因此其催化活性依賴于材料的表界面結(jié)構(gòu)。基于原子層沉積的特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)薄膜厚度亞納米級(jí)的精確可控，并且能保證在高比表面積、復(fù)雜基底上均勻沉積。通過(guò)選擇性ALD方法，結(jié)合分子自組裝技術(shù)成功制備出貴金屬核殼納米結(jié)構(gòu)、金屬氧化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)、金屬-氧化物選擇性包覆結(jié)構(gòu)，在提高催化劑活性的同時(shí)顯著提高其熱穩(wěn)定性，成功應(yīng)用于汽車尾氣催化。并將進(jìn)一步拓展該方法至綠色能源催化領(lǐng)域，包括光催化制氫、甲烷二氧化碳重整、CO2還原制備液體燃料等催化劑的的設(shè)計(jì)與合成（圖12）。

圖 12 ALD技術(shù)在汽車尾氣催化的應(yīng)用

4

原子層沉積的前景和展望

4.1 大面積空間原子層沉積技術(shù)

柔性電子等微納制造領(lǐng)域正在飛速發(fā)展，對(duì)于薄膜制備的工藝要求也越來(lái)越高,以實(shí)現(xiàn)沉積速率更快、厚度控制精確、更加致密的薄膜制備。而工業(yè)化提出的高效率、低成本等要求限制了原子層沉積技術(shù)的發(fā)展。因此，在傳統(tǒng)的原子層沉積的基礎(chǔ)上，必將出現(xiàn)空間原子層沉積技術(shù)(圖13)，突破原始ALD技術(shù)的時(shí)間和空間限制，實(shí)現(xiàn)其在工業(yè)上實(shí)現(xiàn)從樣品制造到大批量制造的跨越。

圖13 空間隔離原子層沉積示意圖

4.2 柔性顯示器件封裝

隨著人們對(duì)顯示要求的不斷提高，傳統(tǒng)的平板顯示器很難滿足人們的日常需求。而OLED和QLED顯示器的快速發(fā)展一定程度上滿足了市場(chǎng)需求。而柔性顯示器件的快速發(fā)展同時(shí)對(duì)封裝技術(shù)提出了更高的要求。通過(guò)ALD的特點(diǎn)，通過(guò)超薄薄膜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及無(wú)機(jī)有機(jī)的材料耦合，既能有效阻隔水和氧氣對(duì)器件的侵蝕，又能有效避免過(guò)大的應(yīng)力，從而減少裂紋的產(chǎn)生，是柔性顯示器件封裝不可或缺的一部分（圖14）。

圖14 OLED器件封裝

4.3 催化劑的精確設(shè)計(jì)

利用密度泛函理論與微動(dòng)力學(xué)相結(jié)合的方法對(duì)ALD過(guò)程的反應(yīng)過(guò)程進(jìn)行分析，得到選擇性原子層沉積的反應(yīng)機(jī)理，并能夠通過(guò)解釋選擇性ALD的反應(yīng)機(jī)理，實(shí)現(xiàn)對(duì)不同反應(yīng)物的位點(diǎn)原子層沉積提供指導(dǎo)。從而將原子層沉積的可控精度從納米級(jí)別到亞納米級(jí)別。并將之運(yùn)用到催化劑的設(shè)計(jì)中，通過(guò)對(duì)不同反應(yīng)活性和穩(wěn)定性的催化劑晶向，實(shí)現(xiàn)對(duì)催化劑的選擇性設(shè)計(jì)[16-17]（圖15）。為下一代高效、綠色、智能催化劑的設(shè)計(jì)提供理論指導(dǎo)。

圖15 催化劑的設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)

參考文獻(xiàn)

[1] George S M, Ott A W, Klaus J W. Surface chemistry for atomic layer growth[J]. The Journal of Physical Chemistry, 1996, 100(31): 13121-13131.

[2] George S M, Atomic Layer Deposition: An Overview[J]. Chemical Reviews, 2010, 110(1):111-131.

[3] Knez M , Nielsch K , Niinist L . Synthesis and Surface Engineering of Complex Nanostructures by Atomic Layer Deposition[J]. Cheminform, 2007, 19(21):3425-3438.[3] M. Leskel?, M. Ritala Angew. Chem. Int. Ed., 42 (45) (2003), pp. 5548-5554

[4] Johnson R W , Hultqvist A , Bent S F . A brief review of atomic layer deposition: from fundamentals to applications[J]. Materials Today, 2014, 17(5):236-246.

[5] Nalwa H S . Handbook of thin film materials[J]. Handbook of Thin Films, 2002(9): pp. 103–156.

[6] Atomic Layer Epitaxy (Eds.: T. Suntola, M. Simpson) Blackie, Glasgow, 1990, p.182.

[7] Granneman E, Fischer P, Pierreux D, et al. Batch ALD: Characteristics, comparison with single wafer ALD, and examples[J]. Surface & Coatings Technology, 2007, 201(22–23): 8899-8907.

[8] T. Suntola, J. Antson, inventors, Method for producing compound thin films, Patent 4058430, November 15, 1977.

[9] J.S. Lim, et al. ICVC ‘99 6th International Conference (1999), pp. 506-509

[10] C. Auth, et al. 2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT) (2012), pp. 131-132

[11]K. Cao,L. Shi，M. Gong,J.M. Cai, X. Liu, S.Q. Chu, B. Shan*, R.Chen*, 'Nanofence Stabilized Platinum Nanoparticles Catalyst viaFacet-Selective Atomic Layer Deposition' Small, 13 (2017) 1700648.

[12] K. Cao,L. Shi，M. Gong,J.M. Cai, X. Liu, S.Q. Chu, B. Shan*, R.Chen*, 'Nanofence Stabilized Platinum Nanoparticles Catalyst viaFacet-Selective Atomic Layer Deposition' Small, 13 (2017) 1700648.

[13] Q.Y. Xiang, B.Z. Zhou, K.Cao*, Y.W.Wen, Y. Li, Z.J Wang, C.C. Jiang,B. Shan and R.Chen*, “Bottom upstabilization of CsPbBr3 quantum dots-silica sphere with selective surfacepassivation via atomic layer deposition”, Chemistry of Materials, 30 (2018) 8486-8494.

[14] Minh, D. N.; Kim, J.; Hyon, J.Room-Temperature Synthesis of Widely Tunable Formamidinium Lead HalidePerovskite Nanocrystals. Chem. Mater. 2017, 29, 5713– 5719.

[15] Celii F G, Jacobs S J. Organic light emittingdiodes: U.S. Patent 6,274,979[P]. 2001-8-14.

[16] X. Liu, Q.Q. Zhu, Y. Lang, K. Cao, S.Q. Chu,B. Shan*, andR.Chen*, 'Oxidenanotraps-anchored Pt nanoparticles with high activity and sintering resistancevia area-selective atomic layer deposition' Angewandte ChemieInternational Edition, 56 (2017) 1648-1652.

[17] J.Q. Yang, J. Zhang, X. Liu, X.B. Duan, Y.W.Wen, R.Chenand B. Shan*, 'Originof the superior activity of surface doped SmMn2O5 mullites for NO oxidation: Afirst-principles based microkinetics study', Journal of Catalysis, 359 (2018) 122-129.

作者簡(jiǎn)介：陳蓉（Rong CHEN），教授、博士生導(dǎo)師，華中科技大學(xué)柔性電子研究中心副主任、機(jī)械科學(xué)與工程學(xué)院院長(zhǎng)助理、光學(xué)與電子信息學(xué)院雙聘教授、中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所客聘研究員。

研究方向圍繞著選擇性原子層沉積方法、納米顆粒改性、薄膜工藝與設(shè)備開發(fā)、柔性光電器件制備等展開，主持了包括國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、國(guó)家重大科學(xué)研究計(jì)劃（973）青年科學(xué)家專題項(xiàng)目、自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、湖北省杰出青年基金在內(nèi)的等多個(gè)國(guó)家及省部級(jí)科研項(xiàng)目。

陳蓉

陳蓉教授更多簡(jiǎn)介請(qǐng)點(diǎn)擊如下鏈接：

http://faculty./chenrong2/zh_CN/index.htm?tdsourcetag=s_pcqq_aiomsg。

微納材料設(shè)計(jì)與制造研究中心簡(jiǎn)介

微納材料設(shè)計(jì)與制造研究中心是依托于機(jī)械科學(xué)與工程學(xué)院、材料科學(xué)與工程學(xué)院的跨學(xué)科交叉創(chuàng)新平臺(tái)。中心目前有5名教授、3名副教授、5名助理研究員，和數(shù)十名博士、碩士研究生。主持各類國(guó)家級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目40余項(xiàng)，總科研經(jīng)費(fèi)超過(guò)5000萬(wàn)。中心聚焦于材料微納制造與應(yīng)用的跨學(xué)科、多尺度研究，涉及機(jī)械、材料、能源、計(jì)算機(jī)、光電子等學(xué)科，主要包括材料微納尺度模擬與大數(shù)據(jù)技術(shù)、基于原子層沉積的納尺度集成技術(shù)、柔性微/光電子器件的設(shè)計(jì)制造、能源環(huán)境納米催化研究、面向生物醫(yī)療的3D打印技術(shù)。

中心充分發(fā)揮了跨學(xué)科優(yōu)勢(shì)，在基礎(chǔ)科研創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用方面都取得了豐碩的成果：在國(guó)際權(quán)威期刊Science、Advanced Materials、Nat. Commun.、Angew. Chem. Int. Ed. 等發(fā)表論文400余篇，申請(qǐng)專利100余項(xiàng)（國(guó)際專利4項(xiàng)）；科研成果成功實(shí)現(xiàn)規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，與美國(guó)斯坦福線性加速器中心、美國(guó)英特爾公司、美國(guó)通用汽車公司、美國(guó)全譜激光、TCL集團(tuán)、華星光電、無(wú)錫威孚集團(tuán)、中國(guó)航天科技集團(tuán)、貴研鉑業(yè)等龍頭企業(yè)保持著長(zhǎng)期緊密的合作關(guān)系。研究中心根據(jù)發(fā)展需要，誠(chéng)邀海內(nèi)外廣大科研工作者加盟，廣大學(xué)子踴躍報(bào)考！歡迎來(lái)函 lab.amd@gmail.com詢問(wèn)。