5G時代又一大重磅產(chǎn)品亮相：

2020年2月13日下午，小米通過線上直播發(fā)布會的形式，面向百萬觀眾，正式發(fā)布了小米10系列手機以及部分配件產(chǎn)品。

其中，小米65W氮化鎵充電器成為本次發(fā)布會的一大亮點，據(jù)小米首席執(zhí)行官雷軍介紹，該款充電器具有小巧、高效、發(fā)熱低等特點，并且支持小米10疾速快充，從0充電至100%僅需45分鐘。搭配小米10 Pro可實現(xiàn)50W快充，還可為筆記本充電，售價149元，2月18日開賣。

小米就此成為了第一家將氮化鎵USB PD快充單獨零售的手機企業(yè)，并且149元的零售價更是創(chuàng)下行業(yè)新低，引發(fā)行業(yè)人士高度關注。

小米GaN急速充電器，應用半導體第三代材料氮化鎵GaN技術。

小米GaN急速充電器，2大優(yōu)勢：

（1）充電時間快（僅僅47分鐘充滿），充電速度提高了3倍以上；

（2）體積小，只有蘋果充電器體積的40%。

接下來，我們簡要科普下半導體第三代材料氮化鎵GaN有關知識，以及和5G的關系。

氮化鎵的前世今生

氮化鎵，分子式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，屬于極穩(wěn)定的化合物，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

它的堅硬性好，還是高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。

1998年中國十大科技成果之一是合成納米氮化鎵；

2014年3月，美國雷聲公司氮化鎵晶體管技術獲得突破，首先完成了歷史性X-波段GaN T/R模塊的驗證；

2015年1月，富士通和美國Transphorm在會津若松量產(chǎn)氮化鎵功率器件；

2015年3月，松下和英飛凌達成共同開發(fā)氮化鎵功率器件的協(xié)議；

同月，東芝照明技術公司開發(fā)出在電源中應用氮化鎵功率元件的鹵素LED燈泡；

2016年2月，美國否決中資收購飛利浦，有無數(shù)人猜測是美帝在阻止中國掌握第三代LED氮化鎵技術；

2016年3月，科巴姆公司與RFHIC公司將聯(lián)合開發(fā)GaN大功率放大器模塊。

GaN是第三代半導體材料，相比于第一代的硅（Si）以及第二代的砷化鎵（GaAs）等，

GaN第三代半導體材料具備比較突出的優(yōu)勢特性：

（1）禁帶寬度大、導熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；

（2）較大禁帶寬度和絕緣破壞電場，使得器件導通電阻減少，有利與提升器件整體的能效；

（3）電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。

也就是說，利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半導體器件。

5G帶給GaN新機遇

5G 將帶來半導體材料革命性的變化，因為對5G的嚴格要求不僅體現(xiàn)在宏觀上帶來基站密度致密化，還要求在器件級別上實現(xiàn)功率密度的增強。

特別是隨著通訊頻段向高頻遷移，基站和通信設備需要支持高頻性能的射頻器件。雖然許多其它化合物半導體和工藝也將在5G發(fā)展中發(fā)揮重要作用，但GaN 的優(yōu)勢將逐步凸顯。

GaN將以其功率水平和高頻性能成為 5G 的關鍵技術。

隨著5G網(wǎng)絡應用的日益臨近，將從2019年開始為 GaN器件帶來巨大的市場機遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體技術）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡所需要的功率和效能。

而且，GaN的寬帶性能也是實現(xiàn)多頻載波聚合等重要新技術的關鍵因素之一。

GaN HEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經(jīng)成為未來宏基站功率放大器的候選技術。

預計到2025年，GaN將主導射頻功率器件市場，搶占基于硅LDMOS技術的基站PA市場。

半導體第三代材料GaN氮化鎵應用的三大風口：

（1）5G，氮化鎵作為第三代半導體材料，是5G時代的最大受益者之一。不止在射頻器件方面，未來5G全行業(yè)上下游都可能采用這一新材料。具體個股，大家可以挖掘。

（2）射頻,--由于5G對射頻功率、耗能要求的提升，5G射頻領域將逐漸用氮化鎵取代硅基材料（ 002402和而泰是采用氮化鎵技術生產(chǎn)5G毫米波射頻芯片的唯一上市公司）；

（3）快充（小米GaN快充產(chǎn)業(yè)鏈條供應商，以及概念股，阿牛接下來科普）

最后來前瞻分析下周小米GaN氮化鎵充電器這個熱點可能帶來的的個股機會。

據(jù)充電頭網(wǎng)從供應鏈獲取的信息顯示，小米65W氮化鎵充電器的核心器件采用的是美國Navitas納微半導體氮化鎵功率IC。

Navitas 納微半導體是世界上首個也是唯一的氮化鎵功率芯片公司！

氮化鎵（gallium nitride，GaN）是第三代半導體材料，其運行速度比舊式慢速硅（Si）技術加快了二十倍，并且能夠實現(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時，可以實現(xiàn)遠遠超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，充電速度提高了三倍。

正是借助美國Navitas納微半導體氮化鎵功率IC的GaN技術優(yōu)勢，使得小米65W氮化鎵充電器的尺寸僅為56.3mm x 30.8mm x 30.8mm，體積比小米筆記本標配的65W適配器還減小了約48%，約為蘋果61W快充充電器的三分之一。

Navitas 半導體是世界上首個也是唯一的氮化鎵功率芯片公司，于2013年在美國加州洛杉磯地區(qū)成立，Navitas的管理經(jīng)營團隊在半導體材料，電路，應用，系統(tǒng)和市場營銷方面有多達200年經(jīng)驗。

其中多位創(chuàng)始人共擁有超過125項專利發(fā)明。獨有的AllGaN程序設計集成了高壓高性能的氮化鎵功率管和氮化鎵驅動邏輯電路。

Navitas 氮化鎵功率芯片可在移動消費市場，企業(yè)市場和 新能源市場實現(xiàn)更小，更節(jié)能，更低成本的方案設計。公司有25多 項專利申請已經(jīng)被授予專利或在受理中。

經(jīng)過周末深度挖掘，阿牛發(fā)現(xiàn)上市創(chuàng)業(yè)板上市公司（代碼：3004XX）直接投資參股了這家美國Navitas納微半導體牛逼公司，Navitas 半導體是世界上首個也是唯一的氮化鎵功率芯片公司！

是小米GaN快充的最關鍵部件氮化鎵功率芯片供應商！！

第三代半導體材料氮化鎵GaN相關概念公司如下：

海特高新002023：海威華芯布局氮化鎵功率器件代工，技術達到國際先進水平

富滿電子300671：充電器主控芯片，與oppo合作研發(fā)過GaN的充電器

南大光電300346：公司擁有自主知識產(chǎn)權的MO原產(chǎn)品高純磷烷、砷烷直接為氮化鎵GaNt提供原材料，MO原產(chǎn)品高純磷烷、砷烷研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目已經(jīng)列入國家科技重大專項。

高純磷烷和高純砷烷都是LED、超大規(guī)模集成電路、砷化鎵太陽能電池的重要原材料。

海陸重工002255：旗下江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公有專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)以氮化鎵( GaN)為代表的復合半導體高性能晶圓，并用其做成功率器件。

瑞芯微603893：主要從事集成電路的設計與研發(fā)，是中國極具創(chuàng)新和務實的集成電路設計公司，為手機快充等多個領域提供專業(yè)芯片解決方案

云南鍺業(yè)002428：子公司云南鑫耀半導體材料有限公司目前已建成砷化鎵單晶及晶體產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，目前GaAs單晶片產(chǎn)能為80萬片/年(折合4英寸)，2019年上半年產(chǎn)量

有研新材600206：公司為國內(nèi)靶材等半導體材料的龍頭企業(yè)之一，也是國內(nèi)水平砷化鎵最大的供應商，旗下有研光電擁有如萬片/年的GaAs襯底產(chǎn)能。

乾照光電300102：是國內(nèi)最大的能夠批量生產(chǎn)砷化鎵太陽能電池外延片的企業(yè)，研發(fā)并生產(chǎn)世界最尖端的高性能砷化鎵太陽能電池，填補了該領域的國內(nèi)空白。

聞泰科技600745：車載GaN已經(jīng)量產(chǎn)，全球最優(yōu)質的氮化鎵供應商之一

三安光電600703：化合物半導體代工，已完成部分GaN的產(chǎn)線布局

耐威科技300456：公司目前的第三代半導體業(yè)務主要是指GaN(氮化鎵)材料的生長與器件的設計。公司已成功研制8英寸硅基氮化鎵外延晶圓，且正在持續(xù)研發(fā)氮化鎵器件

士蘭微600460：4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生產(chǎn)線

除了氮化鎵充電器之外，小米還發(fā)布了一款搭載?通IPQ8071A芯片的WiFi 6路由器AX3600，這里也簡單介紹一下。

WiFi6是最新一代的無線局域網(wǎng)傳輸技術，實現(xiàn)了更高階的調制方式、更高的頻寬，其理論帶寬達到9.6Gbps，可同時工作在2.4G和5G頻段下。

簡單地說，基于WiFi6技術，將使得無線網(wǎng)設備有更長的續(xù)航時間、使得無線網(wǎng)絡信號更強、傳輸效率更高、延時更低，未來將徹底取代之前的WiFi4和WiFi5標準。

基于WiFi6的優(yōu)越性能，將在5G時代與5G技術形成互補，成為室內(nèi)網(wǎng)絡傳輸技術的核心，在智能家居等物聯(lián)網(wǎng)場景大量應用。

此次小米發(fā)布WiFi6路由器AX3600，將成為業(yè)內(nèi)首個全面支持WiFi6的終端品牌，同時也意味著WiFi6技術進一步商業(yè)化。

WiFi6概念股主要如下：

（1）300812易天科技（總股本 7800萬股，流通 1900萬股，2019年每股收益約1.35元）

（2）300504天邑股份（總股本26700萬股，流通10500萬股，2019年每股收益約0.46元）

（3）603118共進股份（總股本77600萬股，流通77600萬股，2019年每股收益約0.38元）

（4）603068博通集成（總股本13900萬股，流通 3500萬股，2019年每股收益約1.59元）

（5）002396星網(wǎng)銳捷（總股本58300萬股，流通56100萬股，2019年每股收益約1.15元）

（6）688018樂鑫科技（總股本 8000萬股，流通 1800萬股，2019年每股收益約2.01元）

本次小米GaN 快充發(fā)布會，能否引發(fā)第三代半導體應用熱潮？