內(nèi)存條作為電腦的臨時數(shù)據(jù)儲存器，主要負(fù)責(zé)操作系統(tǒng)和軟件在運行的過程中加載和交換臨時數(shù)據(jù)。

所以內(nèi)存的容量決定了你的電腦能同時存儲多大的緩存數(shù)據(jù)，超過內(nèi)存容量的緩存數(shù)據(jù)就會像管道堵塞一樣處于等待加載狀態(tài)，從而導(dǎo)電腦卡機，而內(nèi)存的工作頻率和帶寬則決定它在交換這些緩存數(shù)據(jù)的快慢。

（注：操作系統(tǒng)本身也可以設(shè)置虛擬內(nèi)存，原理就是劃分普通的硬盤空間來當(dāng)成RAM使用，雖然硬盤的傳輸速度，相對內(nèi)存條來說比較慢，但是合理劃分虛擬內(nèi)存可以緩解內(nèi)存條容量超載時的系統(tǒng)崩潰現(xiàn)象。）

接下來，就為大家分享如何挑選電腦的內(nèi)存條：

一、內(nèi)存類型

目前電腦內(nèi)存條主要為DDR3和DDR4，而舊的DDR和DDR2已經(jīng)被淘汰了，所以我們現(xiàn)在主要區(qū)分DDR3和DDR4即可，內(nèi)存條的產(chǎn)品標(biāo)識中會標(biāo)明它的內(nèi)存類型。

從Intel的第6代CPU平臺開始，內(nèi)存條的類型為DDR4，舊硬件平臺以DDR3為主。

不同類型的內(nèi)存條的插槽是不通用的，它們各自的防呆口位置也略有不同，請根據(jù)內(nèi)存的防呆口方向插入內(nèi)存，以免造成內(nèi)存損壞。

下圖是為大家整理的常見CPU和主板所支持的內(nèi)存類型：

二、內(nèi)存的主頻

內(nèi)存的主頻決定了內(nèi)存條的讀取快慢，DDR4因為內(nèi)存顆粒的優(yōu)勢，在主頻方面比DDR3高出不少。DDR3內(nèi)存條的主頻為1066Mhz、1333MH、1600MHz和1866Mhz，而的DDR4內(nèi)存條的主頻為2133MHz、2400 MHz、2666 MHz、3000 MHz、3200 MHz、3600 MHz、4000MHz。隨著DDR4內(nèi)存條的生產(chǎn)工藝逐漸提升，后期還會出現(xiàn)更高主頻的內(nèi)存條。

在挑選內(nèi)存條時，不光要確定CPU和主板支持內(nèi)存條的類型，還要確保你的電腦CPU和主板能不能支持這么高主頻的內(nèi)存條。通常在CPU和主板的產(chǎn)品說明中，會寫明它最高支持的內(nèi)存主頻范圍，在選購高頻率內(nèi)存條時就要注意一下了。

當(dāng)內(nèi)存條的工作頻率高于CPU或者主板的最大支持頻率時，會以最低的那方的主頻標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn)。例如：某臺電腦內(nèi)存的主頻為3200MHz，而CPU最大支持2400MHz的內(nèi)存條，主板最大支持2666MHz的內(nèi)存條，那最終這臺電腦的內(nèi)存主頻為2400MHz。（注：當(dāng)CPU和主板的支持的最大內(nèi)存主頻低于插入的內(nèi)存主頻時，更容易出現(xiàn)電腦藍(lán)屏和無法點亮的問題。）

另外，不同頻率的內(nèi)存條一起使用，會以最低頻率的那條內(nèi)存條的頻率為最終頻率。

三、內(nèi)存容量的選擇

DDR3的單條內(nèi)存條容量主要以4Gb和8Gb為主，而DDR4的單條內(nèi)存條容量主要以8Gb和16Gb為主。

對于普通辦公電腦，總內(nèi)存主要為4-8Gb，對于游戲主機，總?cè)萘恐饕獮?-16Gb。

目前常規(guī)的M-ATX和ATX主板都有4個內(nèi)存插槽，所以在挑選內(nèi)存條時，假如你想配置總?cè)萘繛?6Gb的內(nèi)存條，選擇2條8Gb的內(nèi)存條組成雙通道的性能會優(yōu)于使用單條16Gb內(nèi)存，兩者總價區(qū)別不大，但是雙通道的可以獲得更高上限的傳輸帶寬。（注：內(nèi)存雙通道是增加內(nèi)存的帶寬，不是頻率）

四、筆記本內(nèi)存條

筆記本的內(nèi)存條和臺式電腦的是不一樣的，目前筆記本的內(nèi)存分為傳統(tǒng)的插槽式內(nèi)存條和BGA封裝（焊接），通常超極本或者上網(wǎng)本為了節(jié)省空間和增加電腦的穩(wěn)定性，都采用了BGA封裝內(nèi)存的方式，這就導(dǎo)致了用戶在后期不能隨意地更改內(nèi)存，只能通過專業(yè)的切除焊接去更換，技術(shù)難度高，而且適配硬件不好買。

所以筆記本用戶如果想要升級內(nèi)存，得先看看自己的電腦是什么類型的內(nèi)存方式。

目前傳統(tǒng)的筆記本內(nèi)存條分為DDR3、DDR3-L和DDR4這三種。

其中DDR3-L（Low Voltage）為低電壓版（1.35V），相比標(biāo)準(zhǔn)電壓版本（1.5V）會更加省電，而速度也會稍慢，而普通的DDR4筆記本內(nèi)存的電壓已經(jīng)很低了（1.2V），后期應(yīng)該也不會專門推出低電壓版。

五、個性化內(nèi)存條

對于喜歡DIY的用戶來說，內(nèi)存條也有可以個性化選擇的組件，常見的為內(nèi)存散熱片和內(nèi)存燈條這兩種。

內(nèi)存條的散熱片最早是應(yīng)用在服務(wù)器上，因為服務(wù)器需要長時間的高內(nèi)存占用率在運行，所以需要更好的散熱性能來保證穩(wěn)定性，以免內(nèi)存過熱導(dǎo)致服務(wù)器強制重啟。

而隨著現(xiàn)在大型游戲的緩存數(shù)據(jù)越來越來大，很多消費級內(nèi)存條也開始添加散熱片，增加散熱性能是一方面，還可以保護內(nèi)存的電子線路板不容易損壞。

而內(nèi)存燈條就是純粹為了好看了，很多側(cè)透和全透機箱的用戶，都會選擇帶LED燈條的內(nèi)存條來增加光污染的效果，而帶燈條的內(nèi)存條，通常都是高主頻配置的內(nèi)存條，它的工作電壓要求也會相對較高，對內(nèi)存的穩(wěn)定性影響還有待考究。

六、內(nèi)存時序

很多人問我，為什么不寫內(nèi)存條的時序，其實內(nèi)存的時序也是其性能的一個指標(biāo)。

但是商家很少在產(chǎn)品的描述里面標(biāo)明內(nèi)存條的時序，所以用戶在挑選內(nèi)存時很難去對比不同內(nèi)存的時序參數(shù)。還有就是，市面上同頻率同類型的內(nèi)存條，它的時序是很接近的，對于不需要對內(nèi)存進行超頻的用戶，看內(nèi)存條的頻率挑就行了。

針對部分對內(nèi)存條時序問題感興趣的讀者，這里再補充說明一下：

（注：通俗點來說，內(nèi)存尋址的過程中要確定一個數(shù)據(jù)的坐標(biāo)位置，需要一行一行和一列一列依次尋址，所以簡稱行尋址和列尋址。）

時序是內(nèi)存在工作過程中的周期數(shù)值，在相同的頻率下，時序值越低，其相對尋址延遲就越低，在對比不同內(nèi)存條的延遲時，除了看時序，還得看內(nèi)存條的頻率。網(wǎng)上那些計算延遲的方式怎么算都有出入，因為計算公式是通過單獨的硬件參數(shù)去計算，拋開了硬件平臺其他性能因素的影響，所以還是得通過軟件的模擬讀寫來得出的結(jié)果為準(zhǔn)：

時序值并不是越低越好，太低的時序容易導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定，而設(shè)置太高也會導(dǎo)致延遲變高，所以并不推薦普通用戶自己調(diào)節(jié)內(nèi)存的時序。特別是內(nèi)存超頻之后，它的時序值會隨之上升，有些用戶會手動設(shè)置時序值，建議是：

tRAS的值必須大于tCL+tRCD，而tRC的值最好等于tRAS+tRP的值 。

tRAS和tRC設(shè)置過大會造成不必要的高延遲，過低會導(dǎo)致被激活的行單元還沒完全充電完就開始初始化了，容易造成數(shù)據(jù)損壞。

七、補充說明

近日通過幾家內(nèi)存批發(fā)渠道了解到，目前DDR3的一部分型號已經(jīng)開始停產(chǎn)了，而市場上這些型號仍然在售的除了庫存之外，還有一些翻新內(nèi)存，所以對于想要購買DDR3內(nèi)存條的用戶，最好選擇廠家直營的店鋪購買，而且盡量選擇1600Mhz主頻的內(nèi)存條。

當(dāng)然因為支持DDR3的硬件平臺數(shù)量依然很龐大，所以主流的內(nèi)存廠商還會繼續(xù)保留部分DDR3的生產(chǎn)線，至少在幾年內(nèi)都不用擔(dān)心DDR3的供應(yīng)問題。

以上就為挑選內(nèi)存條的方法，你學(xué)會了么？