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主聯(lián)鎖 本系統(tǒng)中，如果檢測到可能導致機器重要設備損壞的條件，將發(fā)生主聯(lián)鎖。 發(fā)生主聯(lián)鎖后，無論程序處于何種狀態(tài)，都將立即切換到『待機』狀態(tài)，以保護機器重要部件不要受到損害。 主聯(lián)鎖的清除：發(fā)生主聯(lián)鎖后，經(jīng)維修人員檢查排除條件后，可以重新開機，將『電源鑰匙』從『off』 轉(zhuǎn)到『on』的位置，系統(tǒng)將開始進行預熱及上電的流程。 劑量聯(lián)鎖 本系統(tǒng)中，如果劑量監(jiān)測數(shù)值超過設定值，將發(fā)生劑量聯(lián)鎖。劑量聯(lián)鎖的作用是使患者免于接受不正確的劑量。 發(fā)生劑量聯(lián)鎖后，輻照立即停止，程序進入到『record and verify』狀態(tài)，記錄當前的治療結(jié)果數(shù)據(jù)。 次級聯(lián)鎖 本系統(tǒng)中，如果檢測到其它一些可以導致設備損壞或人員傷亡的條件，將發(fā)生『次聯(lián)鎖』。 程序在『輻照狀態(tài)』檢測到『主聯(lián)鎖』，程序立即切換到『中斷』狀態(tài)。在『中斷』狀態(tài)，如果聯(lián)鎖的條件解除，人工按下『專用鍵盤』的『beam on』鍵，則程序恢復為『輻照狀態(tài)』繼續(xù)進行未完成的治療。 聯(lián)鎖定義 激活條件 處理流程 ION1 電離室1的高壓斷開，或低于設定閥值。當電離室1電源檢測到電源電壓的絕對值 < -450v時，發(fā)生聯(lián)鎖。 次聯(lián)鎖處理流程 測試方法：在加速器輻照狀態(tài)下，人為斷開電離室1的高壓，觀察軟件界面是否顯示該聯(lián)鎖。 ION2 真空板電源電壓檢測電路；當電離室2電源檢測到電源電壓的絕對值 < -450v時，發(fā)生聯(lián)鎖。 次聯(lián)鎖處理流程。 LVPS 當?shù)蛪弘娫矗ā?5V，+5V，+24V）出現(xiàn)故障, 低壓電源（±15V，+5V，+24V）監(jiān)測通道聯(lián)鎖啟動報警。 次聯(lián)鎖處理流程 CDOS 外接用戶劑量聯(lián)鎖 劑量聯(lián)鎖處理流程 SYM1 電離室、傳輸線、計分板及整改劑量系統(tǒng)故障，也包括加速管安裝誤差和均整塊加工誤差導致的故障。當徑向電離室將獨立兩個子電離室；部分的出束劑量數(shù)據(jù)傳到積分板后，劑量徑向?qū)ΨQ性＞2%。 次聯(lián)鎖處理流程 SYM2 電離室、傳輸線、計分板及整改劑量系統(tǒng)故障，也包括加速管安裝誤差和均整塊加工誤差導致的故障。當橫向電離室將獨立兩個子電離室；部分的出束劑量數(shù)據(jù)傳到積分板后，劑量橫向?qū)ΨQ性＞2% 次聯(lián)鎖處理流程 YIELD yield板故障 次聯(lián)鎖處理流程 VAC2 鈦泵腔內(nèi)真空度大于10-7托， 鈦泵電流大于20uA時觸發(fā)鈦泵電流聯(lián)鎖 （VAC2） 次聯(lián)鎖處理流程 GAS 氟里昂氣壓超出0.18MPA~0.22MPA范圍 次聯(lián)鎖處理流程 AIR STPS 固定機架電源供電異常故障 次聯(lián)鎖處理流程 HVCB 高壓開關（接觸器）未打開 次聯(lián)鎖處理流程 TDLY 全壓預熱時間未到 等待全壓預熱完成 CMMR 用戶小劑量聯(lián)鎖 次聯(lián)鎖處理流程 KEY 專用鍵盤鑰匙除以禁止位置 系統(tǒng)要求出束前鍵盤上右側(cè)鑰匙一定處于 禁止狀態(tài)，將出束時，旋轉(zhuǎn)鑰匙到運行狀態(tài)，清除聯(lián)鎖進行出束 VAC1 當鈦泵電源電壓低于1000V時，鈦泵電源電壓監(jiān)測電路會發(fā)現(xiàn)其低于規(guī)定范圍值，將發(fā)生聯(lián)鎖，傳給控制臺 主聯(lián)鎖處理流程 鈦泵箱中真空聯(lián)鎖板的鈦泵電源電壓監(jiān)測電路 PUMP 一次循環(huán)水水機綜合聯(lián)鎖 或 二次循環(huán)水水機綜合聯(lián)鎖 或系統(tǒng)水壓水溫綜合聯(lián)鎖，當加速器水冷恒溫控制系統(tǒng)故障、控制臺檢測到水冷恒溫控制系統(tǒng)報出水溫數(shù)據(jù)，超過預定值的±1℃時，發(fā)生水溫聯(lián)鎖 主聯(lián)鎖處理流程 FLOW 當水流檢測板檢測到磁控管水流量<300升/小時，加速管<400升/小時時，環(huán)流器水負載<250升/小時，靶<250升/小時，波導窗<250升/小時。發(fā)生水流聯(lián)鎖 主聯(lián)鎖處理流程 MOD 磁控管打火或其它高壓電路打火，在預置數(shù)目（1-20）之后觸發(fā)反峰聯(lián)鎖 次聯(lián)鎖處理流程 HVOC 調(diào)制器系統(tǒng)高壓負載回路短路或失諧導致的高壓電流超過正常范圍故障、當高壓電流檢測系統(tǒng)檢測到高壓電源的負載電流值峰值大于7A，平均值>1.5A將出束高壓過流聯(lián)鎖 MOD2 調(diào)試器故障聯(lián)鎖 次聯(lián)鎖處理流程 PNDT 手控盒故障聯(lián)鎖 次聯(lián)鎖處理流程 DOOR 當治療室門離開原始關閉位置時；門聯(lián)鎖檢測開關斷開，啟動門聯(lián)鎖報警 次聯(lián)鎖處理流程 INTCTL WD 看門狗連鎖，未檢測到計算機的中斷 主聯(lián)鎖處理流程 HW DS 硬件劑量聯(lián)鎖（硬件檢測到劑量聯(lián)鎖） 次聯(lián)鎖處理流程 DIST 當加速器兩個劑量計數(shù)通道中一個劑量通道發(fā)生故障時，必然導致其劑量計數(shù)出現(xiàn)較大差異，當其差值超過劑量總額的50％時，引發(fā)聯(lián)鎖 次聯(lián)鎖處理流程 DOSE1 第一道劑量達到預置值時,激活該聯(lián)鎖停止出束 劑量聯(lián)鎖處理流程 XDP1 每脈沖 dose1 超劑量 劑量聯(lián)鎖處理流程 DOSE2 第二道劑量達到（預置值X110%）時，停止輻照 劑量聯(lián)鎖處理流程 XDP2 dose2 每脈沖超劑量 劑量連鎖處理流程 TIME 計時達到預置時間，停止輻照。時間放寬到120% 劑量聯(lián)鎖處理流程 CTRL 為防止控制臺程序出現(xiàn)死機和硬件故障，控制臺硬件單獨建立一個周期為0.36S的可定時恢復的RC振蕩器，在RC充電周期內(nèi)，定時恢復信號對其放電，令其重新開始充電，一但沒有恢復信號復位，振蕩器產(chǎn)生翻轉(zhuǎn)，將啟動計算機系統(tǒng)發(fā)生中斷聯(lián)鎖，即計算機自檢出現(xiàn)故障將觸發(fā)該聯(lián)鎖 主聯(lián)鎖處理流程 CHECK (出束前校驗CAL) 出束前確保加速器各個關鍵部件及聯(lián)鎖沒有故障，特設立出束前校驗檢驗聯(lián)鎖。 在出束前之前CAL_CMD 信號，此時系統(tǒng)將發(fā)生出束前校驗自檢，檢驗電離室電源聯(lián)鎖、定 時器計數(shù)故障。 ATOD（ad芯片轉(zhuǎn)換聯(lián)鎖） ad芯片功能故障，觸發(fā)該聯(lián)鎖 次聯(lián)鎖處理流程 VOLT(電源或位置電壓) 監(jiān)控位置傳感供電是否正常 次聯(lián)鎖處理流程 IPSN 機架現(xiàn)行角度與出始角度不一致 次聯(lián)鎖處理流程 ATEA 弧形治療時參數(shù)未給出結(jié)束角度 次聯(lián)鎖處理流程 TDOA 弧形治療時劑量參數(shù)給定不正常 次聯(lián)鎖處理流程 DRATTOAT 弧形治療時劑量率參數(shù)給定不正常 次聯(lián)鎖處理流程 GSPD 機架速度與每度劑量不匹配 次聯(lián)鎖處理流程 MOTION 治療過程中機架運動 次聯(lián)鎖處理流程 XDPG 每度超劑量率聯(lián)鎖，弧形治療中機架運動每度出束劑量超出 次聯(lián)鎖處理流程 LDPG 每度低劑量率聯(lián)鎖，弧形治療中機架運動每度出束劑量低 次聯(lián)鎖處理流程 STEP2(摘燈絲步驟2聯(lián)鎖) 磁控管功率達到90%以上，磁控管燈絲電流將為0， 觸發(fā)聯(lián)鎖 STEP1(摘燈絲步驟1聯(lián)鎖) 磁控管平均功率到達60%以上，磁控管燈絲電流將減半，觸發(fā)該聯(lián)鎖 GRATE1 光柵一現(xiàn)行角度與出始角度不一致 次聯(lián)鎖處理流程 GRATE2 光柵二現(xiàn)行角度與出始角度不一致 次聯(lián)鎖處理流程 FLATTEN 均整器現(xiàn)行角度與出始角度不一致 次聯(lián)鎖處理流程
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