生產(chǎn)過程中出現(xiàn)過一種降級的電池片，是由于刮刀有缺口，造成主柵上都有一條突起的刮痕，容易引起包裝碎片和焊接碎片，希望各班引以為戒，發(fā)現(xiàn)相似的問題，及時(shí)更換刮條。

1、擴(kuò)散面放反：

Uoc:0.57-0.60    Isc：1左右    Rs:100-200左右      Rsh:10以內(nèi)，約為1

FF：50以內(nèi)（30-40）       Irve1:12（也有正常的）       Ncell:2%左右

主要參數(shù)特征：Irev1>12,Rs>100,Isc=1左右。

解釋：擴(kuò)散時(shí)下面和背面都成N型，但背面N型擴(kuò)散的結(jié)淺，擴(kuò)散面放反后，原下面的N型被Al摻雜為P型，原背面的淺結(jié)很容易被燒穿。

2、部分?jǐn)U散：

Uoc:0.58-0.60    Isc:3-4      Rs:10-20      Rsh:10以內(nèi)

FF：50-60左右 Irev1接近12      Ncell:10%左右

主要參數(shù)特征：Isc減小，Rsh<>

解釋：與上一個(gè)情況類似，下面有很多淺的結(jié)（被遮住的部分），形成局部燒穿漏電。

3、正面粘有鋁漿

Uoc 0.1左右    Isc:3左右     Rs負(fù)的     Rsh:0    Irev1>12

Ncell<1%   =""  =""  ="">

主要參數(shù)特征：Rs=-30mΩ,   Rsh=0,   Irve1>12

4、N型片或高度補(bǔ)償

Uoc 0.02-0.06    Isc:5左右     Rs-20左右     Rsh:0

Ncell：2-3%        FF:100-200

主要參數(shù)特征：Rs<0,   rsh="0, "  ff="">100,   Irev1=0.03

解釋：N型片背面印刷鋁漿后成為P+型，下面擴(kuò)散后形成N+型，從而產(chǎn)生電流。

5、方塊電阻偏大

Uoc 0.60-0.61    Isc:4左右     Rs:20左右     Rsh:10-20

Ncell：10%左右   FF:50-60     Irev1接近1

主要參數(shù)特征：Rs偏大,   Isc偏小,   Rsh偏小

解釋：方塊電阻不均的直接影響就是薄層電阻，此外應(yīng)為方塊電阻偏大，致使薄層電阻偏大，串聯(lián)電阻增大。

6、方塊電阻偏小

Uoc 0.2左右     Isc:3左右     Rs:-0.07左右     Rsh:0.2以下

Ncell：1%左右   FF:24多一點(diǎn)   Irev1>12

7、沒有擴(kuò)散

Uoc 0.0002左右    Isc:0.03左右（正常偏低）     Rs=0或?yàn)樨?fù)     Rsh<>

Ncell：為0        FF:300-800      Irev1接近12或大于12

主要參數(shù)特征：電壓和電流基本為0，串聯(lián)電阻為0.            解釋：沒有P-N結(jié)。

8、銀漿混合不均勻

Uoc 0.62左右    Isc:4.8左右     Rs=3-6     Rsh：60-90

Ncell：10%左右   FF:50左右      Irev1<>

主要參數(shù)特征：串聯(lián)電阻偏大，短路電流偏小，并聯(lián)電阻偏大

解釋：玻璃粉偏少，銀不能與硅充分結(jié)合，從而增大了串聯(lián)電阻。并聯(lián)電阻的增大是由于復(fù)合中心的減少（一般在金屬電極與硅接觸的地方會形成復(fù)合中心）。

9、刻蝕未刻透

Uoc 0.57左右    Isc:1左右     Rs=0左右    Rsh：1-2

Ncell：1-2%左右   FF:30-40      Irev1>12

10、刻過，將PN結(jié)腐蝕掉了。Irev1很大。

11、不明原因

Uoc 0.4-0.5    Isc:0.6-0.8     Rs:-2000左右    Rsh：1-4

Ncell：1左右   FF:30-40       Irev1>12

主要參數(shù)特征：Rs<1000mω,   =""  irve1="">12

解釋：應(yīng)為嚴(yán)重?zé)?nbsp; 特殊：Uoc,Isc,Rs,Rsh,η,FF,Irve1>12

12、測試異常：Rs值達(dá)到數(shù)千，這應(yīng)該是軟件問題。重裝軟件時(shí)，DB和DATA不用拷貝，其它文件直接覆蓋，Irev1=0，應(yīng)該是反向偏壓設(shè)置錯(cuò)了。

13、周邊未刻蝕。Rsh<1,irev1>12

1、看電性能參數(shù)，然后對照G檔片原因分析表，看一下是否以前曾出現(xiàn)過類似情況，不過G檔片分析表只能做為參考，不應(yīng)當(dāng)作證據(jù)指證任何工序。

2、觀察外觀是否有異常，如下：

①背場是否有滾輪?。?條），判斷是否為RENA刻蝕不透。

②觀察是否為擊穿和隱裂。

③觀察是否有邊緣漏漿的現(xiàn)象。

④觀察是否背電極印偏的現(xiàn)象。

⑤觀察是否有微晶現(xiàn)象（1厘米內(nèi)的晶粒數(shù)多于10個(gè)）。

⑥觀察是否有手指印現(xiàn)象。

⑦觀察是否有斷柵的現(xiàn)象。

⑧觀察背場是否有特殊的圖形和印跡。

⑨觀察是否有刻蝕線，若沒有可以嘗試打磨。

3、觀察燒結(jié)爐是否爐溫存在異常波動(dòng)，若Rs偏大的片子較多可以重?zé)?/span>

4、觀察測試是否有異常，將G檔片放入其他線進(jìn)行測試。

5、若為Rs偏大，可以更換網(wǎng)版刮刀漿料，有可能為漿料攪拌不均勻，或被污染或干漿料瓶料瓶底料。

6、片源是否為試驗(yàn)片，是否為板P，是否為返工片，是否前面有流程卡混亂的情況。

燒結(jié)爐進(jìn)水壓力和出水壓力都在4-6之間，若有異常通知設(shè)備人員放水，同時(shí)觀察過濾網(wǎng)是否有雜質(zhì)附著，若堵塞，會進(jìn)水，壓力>6.5，出水壓<>

在做板式PECVD出來的硅片，將會有4個(gè)對邊分布掛痕，在絲網(wǎng)印刷的第一臺背極印刷，放片時(shí)，要盡可能將掛痕壓在主柵線上，這樣使PECVD盡可能不影響硅片的外觀。

烘干爐停下以后，降溫以后，再啟動(dòng)容易在爐頂上凝結(jié)，有機(jī)物液滴，有可能滴到片子或托盤上，需要事先擦一下，特別是背場烘干爐。

一、擴(kuò)散面放反和未擴(kuò)散電池片的區(qū)分（多晶）

1、電性能上，放反和未擴(kuò)散是沒有差別的，均為無Uoc,Isc,Irev1>12，這里的無Uoc,Isc是指Uoc<><>

原因：因?yàn)闊o論是未擴(kuò)散還是放反，在電池片的正面都沒有形成有效的N層，即沒有PN結(jié)，所以沒有Uoc,Isc，又因?yàn)殡姵仄瑸榛?，姑子一個(gè)P型半導(dǎo)體，是可以導(dǎo)電的，所以正面和反面短接，Irev1>12.

2、外觀上，放反的電池片是在二次清洗完成以后至PE鍍膜之前，由于特殊原因造成擴(kuò)散面（N型）向下，非擴(kuò)散面（P型）向上，在非擴(kuò)散面鍍膜，當(dāng)測試時(shí)光線照在非擴(kuò)散面時(shí)，根本沒有電流產(chǎn)生，所以效率接近0.在外觀上，放反的電池片擴(kuò)散工藝正常，二次刻蝕也正常，所以在擴(kuò)散面的邊緣會有刻蝕痕跡出現(xiàn)，當(dāng)擴(kuò)散面放反時(shí)，這些刻蝕痕跡會出現(xiàn)在電池片的背面，但是背面我們會印刷上背電場，在背電場的邊緣會有刻蝕痕跡。

而未擴(kuò)散的電池片，由于沒有進(jìn)行擴(kuò)散，所以沒有形成磷硅玻璃，而磷硅與玻璃具有親水性，能夠吸附HF和磷硅玻璃以及磷硅玻璃以下的硅層反應(yīng)，進(jìn)而把PN結(jié)去除，如果沒有磷硅玻璃，電池片的表面呈現(xiàn)鈍化效果，所以阻礙了HF和硅層反應(yīng)，所以此時(shí)，從外觀上看，電池片的正面和背面都沒有刻蝕痕跡。

3、P-N型。通過使用萬用表測量電池片的P-N型，也可以斷定為何種G檔片，未擴(kuò)散的電池片，正反面都沒有PN結(jié)，即都不存在N型導(dǎo)電區(qū)域，所以在使用萬用表測量其表面電阻時(shí)，它的值應(yīng)在104Ω左右。而擴(kuò)散面放反的電池片，其正面也是P型區(qū)域，表面電阻為104Ω左右，但背面應(yīng)該存在N型區(qū)域，用萬用表測量表面電阻時(shí)，就在10Ω左右。

引起Rs偏大的原因：1、若發(fā)現(xiàn)某個(gè)時(shí)間以后，突然整體偏大，或是間斷性出現(xiàn)Rs偏大，是很有可能為印刷效果不好造成柵線和硅片之間沒有形成合金層，有空隙，造成Rs偏大，而此時(shí)的印刷效果與壓力很相關(guān)，將壓力增大，然后再等一會，觀察效果，一般會好轉(zhuǎn)。2、一般Uoc,Isc偏低的Rs大的G檔片，有可能為燒結(jié)原因造成的。而Uoc,Isc偏高的Rs大的G檔片有可能為方塊電阻偏高的原因造成的。

高串聯(lián)電阻片：

燒結(jié)后的電池片，經(jīng)測試，串聯(lián)電阻高達(dá)10uΩ以上。

原因：一是燒結(jié)溫度與正電極漿料不匹配；二是正電極漿料被污染；三是由于正電極印刷不良；四是方塊電阻異常。

處理方法：首先停止正電極印刷后硅片的流出，檢查燒結(jié)工藝是否有報(bào)警，然后用調(diào)墨刀把正電極網(wǎng)版底部的漿料鏟出去，添加新漿料試印刷5片流下去看效果，如果串聯(lián)電阻還是比較高，重新?lián)Q掉網(wǎng)版試印刷5片流下去看效果，問題還沒有解決的話重新開一瓶新漿料。測方塊電阻，取3片Rs>10mΩ，再取Rs正常的2片電池片去測量方塊電阻進(jìn)行對比，若有差異（即Rs偏大與方塊電阻的數(shù)值偏大正相關(guān)），則說明這是由于方塊電阻異常偏大所導(dǎo)致的Rs偏大，通知擴(kuò)散工藝員。

需要我們對前道工藝有所了解。（比如各個(gè)中心方阻控制在多少，是雙面擴(kuò)還是單面擴(kuò)，大絨面和小絨面，酸制絨和堿制絨，干刻和濕刻都需要了解清楚）

如果測試機(jī)有問題，先走標(biāo)片，再走重復(fù)性，最后互測，觀察是哪一個(gè)參數(shù)有異常，如果是串聯(lián)電阻互測偏差較大（大于0.5mΩ）引起填充因子的偏差，就需要通知設(shè)備人員到場解決。

如果燒結(jié)爐有問題，爐溫波動(dòng)較大（溫度波動(dòng)超過6℃）升高爐溫或是降低爐溫觀察一下效果。

第三臺絲印機(jī)有問題，先更換漿料觀察效果，再調(diào)節(jié)印刷參數(shù)觀察效果。然后再排查一下前兩臺印刷機(jī)是否有問題。

工藝員的處理原則：

先搞清楚問題是否真的發(fā)生。

問題為什么發(fā)生。

善后和避免此類問題再次發(fā)生

排查異常情況的原因時(shí)最常用的，最有說服力的方法就是對比實(shí)驗(yàn)：

測試系統(tǒng)的互測（10片）

燒結(jié)爐的精確對比（20片）

絲印+燒結(jié)的精確對比（20片）

絲印整條線的精確對比（100-200片）

在遇到突發(fā)的異常情況時(shí)：

先看一下從其他線拿幾片電池片在出現(xiàn)異常的生產(chǎn)線測試一下，排查一下測試

在看一下燒結(jié)爐溫圖像是否有異常

再看一下正電極是否剛加入漿料。

分析異常電池的方法有：

電性能/數(shù)據(jù)趨勢分析

外觀（包括測試柵線寬度）

EL測試

方塊電阻

PN型測試

打磨/重?zé)?/span>

電性能/數(shù)據(jù)趨勢分析：

開路電壓、短路電流和漏電是實(shí)測的值，即便是異常電池片這三個(gè)值也是可以反映電池片的性能。

而串聯(lián)值和填充因子是通過IV曲線來模擬近似計(jì)算出來的結(jié)果，在測試異常的電池片時(shí)IV曲線可能是較特殊的曲線，而此時(shí)模擬近似處理的結(jié)果有可能就不準(zhǔn)確了，例如：串聯(lián)成百上千，或是負(fù)數(shù)等，只能作為參考值。

常見的問題可以通過數(shù)據(jù)趨勢的分析大概得到結(jié)論，從而節(jié)省了排查時(shí)間，提高準(zhǔn)確性。

常見問題：

理論上每一片電池的電性能都是不同的，他們的溫度和光強(qiáng)也是不同的。如果發(fā)現(xiàn)他們的測試結(jié)果有一項(xiàng)一直是相同的，這就極有可能是測試機(jī)出現(xiàn)了問題。

例如測試溫度一直是一樣的，那就有可能是測溫探頭失靈了。

光強(qiáng)一直是一樣的，那就有可能標(biāo)片上有異物蓋上了，或是氙燈壞了。

無開壓和短流，而且漏電很大的情況極有可能為放反或是未擴(kuò)散。

開壓短路低一些，而且串聯(lián)電阻偏低的情況有可能為片源問題。

短路電流偏高而串聯(lián)電阻偏高，有可能是柵線印刷過窄造成的。

短路電流偏低有可能是柵線印刷過寬造成的。

開壓和短流偏高，串聯(lián)很高，有可能是方阻擴(kuò)散較大造成。

開壓短流正常，只有串聯(lián)很大時(shí)，有可能是漿料問題也有可能是燒結(jié)爐的問題。

如果一條線和另一條線相比串聯(lián)很穩(wěn)定，只是稍大1mΩ左右，有可能是測試串聯(lián)偏大，有可能是燒結(jié)爐溫設(shè)定的問題，也有可能是柵線寬度的問題，也有可能是漿料輕微污染。

外觀排查：

觀察電池片的邊緣是否有漏漿（漏電大）

觀察電池片是否有印裂（漏電大）

觀察電池片是否有擊穿（漏電大）

觀察電池片是否有邊框拉毛（漏電大）

觀察電池片是否嚴(yán)重的網(wǎng)紋（效率低，漏電大）

觀察電池片是否有微晶（效率低，漏電大）

觀察電池片是否有黑邊（黑邊很重，有可能漏電大；沒有刻蝕痕跡，也可能漏電大，但打磨有效）

觀察電池片背面是否有滾輪?。ㄓ锌赡苈╇姶螅?/span>

觀察電池片背面是否有鋁刺

觀察電池片背面是否有鼓包（溫度過高，印刷不均勻或漿料攪拌不均勻）

觀察電池片背面是否有脫落和掉粉

觀察電池片背面邊緣是否發(fā)白（PE繞射）

觀察電池片是否有正電極脫落背電極（印刷過厚）

測量電池片的細(xì)柵線寬度是否超過范圍（120μm）

外觀排查總的原則是：不影響電性能，不影響包裝碎片，不影響焊接

EL測試：

EL正偏發(fā)亮的區(qū)域表示此區(qū)域結(jié)特性正常，發(fā)暗的區(qū)域表明一種可能是這個(gè)區(qū)域的少子壽命很低，載流子無法起到傳送電流的作用，另一種可能是這個(gè)區(qū)域電極和電池片之間的接觸電阻很大，還有一種可能是沒有形成pn結(jié)。

EL反偏發(fā)亮的區(qū)域的區(qū)域表明該區(qū)域有漏電，發(fā)暗的區(qū)域表明該區(qū)域沒有漏電。

方塊電阻：

使用四探針測試未燒結(jié)之前的電池片更有說服力。單晶方阻45±5  多晶方阻54±6是目前擴(kuò)散的正常方阻。

但是如果在燒結(jié)之后測試到方阻為70以上的時(shí)候，這就說明方阻有問題。

pn型測試：

使用萬用表的KΩ檔，測量其表層的電阻值。

1，如果電池片表層有氮化硅層，而氮化硅層不會導(dǎo)電，將會影響其測量的阻值。所以需要使用探頭將電池片表層反復(fù)磨蝕，去掉氮化硅的顏色才可以進(jìn)行測量。

2，兩個(gè)探頭間相距0.5cm左右

3，當(dāng)測得的結(jié)果為10~100Ω左右時(shí)，即為N型導(dǎo)電層；

當(dāng)測得的結(jié)果為10000Ω左右時(shí)，即為P型導(dǎo)電層。

N型導(dǎo)電層導(dǎo)電電阻值低的原因：

1，在擴(kuò)磷的過程中，擴(kuò)散面相對與基底為重?fù)诫s，所以產(chǎn)生的導(dǎo)電離子較多，所以電阻值會降低。

2，N型導(dǎo)電粒子比P型導(dǎo)電粒子更為活潑，導(dǎo)電能力更強(qiáng)。

正常情況下電池片正面為n型，電池片的背面為p型，如果測試到電池片的正面為p型則說明正面沒有擴(kuò)散進(jìn)入磷，或者是擴(kuò)散的磷被刻蝕掉了。

打磨/重?zé)?/span>

針對漏電較大的電池片，而且外觀上沒有看到刻蝕痕跡，EL圖像顯示漏電發(fā)生在電池片邊緣，可以進(jìn)一步進(jìn)行打磨，但是要注意一下幾點(diǎn)：

使用細(xì)砂紙進(jìn)行打磨，否者容易蹦邊。

電池片的每一個(gè)邊緣都必須要打磨到，導(dǎo)角處也一定要打磨干凈。

絲印的返工片不需要打磨，它肯定沒有效果。

針對懷疑沒有燒結(jié)透的電池片，可以重?zé)幌隆Ｖ責(zé)靶枰獪y試電性能，以便和重?zé)蟮碾娦阅軐Ρ?。重?zé)臅r(shí)候需要在電池片下面墊上假片，防止背場鋁珠。如果重?zé)院蟠?lián)降低，則有可能是未燒透；如果重?zé)蟠?lián)增加，漏電增大，則有可能是過燒了。

漏電原因

1、印刷鋁漿時(shí)網(wǎng)版的漏漿及承印面感光紙沒有及時(shí)更換所致。2、表面雜質(zhì)：主要是生產(chǎn)過程中環(huán)境因素影響，在鍍膜面上留下雜質(zhì)，印刷時(shí)如果和電極重合，在高溫?zé)Y(jié)時(shí)進(jìn)入PN結(jié)導(dǎo)致漏電。3、漿料污染：銀漿長期暴露在空氣中，多次印刷過程中有雜質(zhì)混入，最終表現(xiàn)出來漏電。4、燒結(jié)溫度的控制，如果燒結(jié)溫度過高或是硅片本身某個(gè)區(qū)域有很深的制絨深洞，在燒結(jié)時(shí)則會造成燒穿，Irev1增加。5、擴(kuò)散時(shí)，某些區(qū)域擴(kuò)散的P很薄，或是沒有擴(kuò)散，則會造成正極和背場導(dǎo)通造成Irev1很大。6、在硅片的生產(chǎn)傳遞的任何一個(gè)環(huán)節(jié)，對硅片的污染（即便戴上乳膠手套或是吸筆的碰觸）均會引起Irev1偏大。單晶更為明顯，板P更為明顯。7、微晶片（1厘米內(nèi)晶粒數(shù)目達(dá)到或超過10個(gè)），在有微晶的位置，雜質(zhì)C和O含量較高，更容易造成Irev1很大。8、網(wǎng)紋存在的位置氧含量較高，更容易被腐蝕，絨面更深，所以外觀上發(fā)暗，也更容易擊穿或是Irev1偏大。9、硅片本身的雜質(zhì)含量較高的硅片強(qiáng)烈依賴背場的鈍化和吸雜，若存在背場或是背電極印偏的情況有背面沒有被背場Al漿所覆蓋的話，這個(gè)區(qū)域由于沒有經(jīng)過鈍化和吸雜容易出現(xiàn)Irev1偏大。

燒結(jié)爐溫度波動(dòng)較大：

10-30度屬于爐溫異常波動(dòng)，在有電池片在爐內(nèi)的情況之下，一般爐溫波動(dòng)在5度以內(nèi)，基本是直線，高功率的加熱區(qū)所使用的加熱管易出現(xiàn)這種問題，燒結(jié)爐長期關(guān)閉冷卻，重新使用時(shí)和新?lián)Q上高功率的加熱管時(shí)易出現(xiàn)這問題。

原因：當(dāng)燒結(jié)區(qū)溫度過高時(shí)，達(dá)到溫度控制的上限時(shí)，加熱管所顯示的功率逐漸接近0%，表示加熱管停止工作。此時(shí)，爐溫開始下降，燒結(jié)區(qū)的溫度急劇下降，降到燒結(jié)溫度的控制下限以下，此時(shí)加熱管全速啟動(dòng)來加熱升溫，加熱管所顯示的功率由0%上升到最大值（一般設(shè)定為70%），很快燒結(jié)區(qū)的溫度又變得過高，達(dá)到和越過溫度控制的上限，如此循環(huán)往復(fù)，爐溫記錄曲線圖象接近正弦波，周期為4.5min.

解決方案：1、爐溫波動(dòng)過在大的本質(zhì)是，加熱管功率劇烈起伏，接近于共振，而解決共振的一個(gè)方法便是擾動(dòng)，將燒結(jié)爐徹底關(guān)閉冷卻，再重新啟動(dòng)，相當(dāng)于一次徹底的巨大的干攪，但不是一定會好轉(zhuǎn)。2、在燒結(jié)區(qū)的爐溫超過下界時(shí)，加熱管的功率加大，正在全速加熱時(shí)，通過減小加熱管輸出功率的方法，減緩爐溫上升的速度，使?fàn)t溫慢慢上升到平均值，進(jìn)而達(dá)到穩(wěn)定，但是容易造成爐溫劇烈波動(dòng)，引起G檔和DE檔片，同增，要謹(jǐn)慎使用。3、通過控制輸出功率的大小的將爐溫維持在比較穩(wěn)定的水平，維持一段時(shí)間爐溫比較穩(wěn)定。

爐溫急停的處理方法：

1、通知設(shè)備盡快將傳送帶啟動(dòng)，將所有燒結(jié)爐內(nèi)的電池片取出。在取出的過程中要注意，接近出口的3-5片可以正常流入測試，背場發(fā)黃，變色或是部分發(fā)黃變色，為過燒，過燒的電池片也不必截下，都可以交給質(zhì)量組長進(jìn)行外觀判斷。

2、將其它所有燒結(jié)爐內(nèi)的電池片盡快取出（保證正面對正面，背面對背面，防止將正面污染，造成Irve1檔），如果燒結(jié)停頓時(shí)間過長，取出未燒透的電池片，流出時(shí)會有背電場脫落，正電場部分脫落的現(xiàn)象，將這兩類片子取出待處理，將其它片子取出，再次流入燒結(jié)爐，取出后交給質(zhì)量組長進(jìn)行外觀判定。

3、將柵線脫落的電池片交給質(zhì)量組長進(jìn)行外觀判定。

4、將背場脫落嚴(yán)重的電池片，背場刮凈待以后重新印上背場，背場部分脫落，又無法刮凈的電池片交給質(zhì)量。

5、統(tǒng)計(jì)由于燒結(jié)急停造成的碎片，由柵線脫落背場脫落，鋁珠，彎曲等造成碎片，以及印殘（柵線脫落等造成的印殘）。

6、重新開線，確認(rèn)爐溫，冷卻水等。取片子時(shí)，針對那些背場未燒透，發(fā)白的電池片，要用泡沫盒或用插片盒裝盛，此時(shí)的背場極易脫落和劃傷，小心拿取，且不益存放時(shí)間過長，應(yīng)及時(shí)處理。

7、燒結(jié)爐報(bào)警燈的頂端紅燈若是亮起，代表燒結(jié)爐在2分鐘以內(nèi)肯定會停止工作，要通知絲印，停止生產(chǎn)。

加熱管的結(jié)構(gòu)形式：

為實(shí)現(xiàn)燒結(jié)段的溫度尖峰，需在很短的爐膛空間內(nèi)布置足夠的加熱功率，目前，有短波孿管和短波單管兩種結(jié)構(gòu)可以選擇，其線性功率密度均達(dá)到60KW/m2。雖然短波孿管擁有更高的單根功率（相當(dāng)于兩根單管并聯(lián)），但由于其制造工藝復(fù)雜，對石英玻璃管的質(zhì)量要求更高，制造成本約是單管的2.5倍。因此，在實(shí)際使用中，大多采用單管。

加熱管的固定形式：

燒結(jié)段的溫度峰值在850度左右，此時(shí)燈管的表面溫度將達(dá)到1100度，接近石英管的使用極限，稍微過熱產(chǎn)生氣孔就會立刻燒毀燈管。而在燈管的引出導(dǎo)線部位，由于焊接導(dǎo)線的金屬片和石英玻璃密封在一起，二者熱膨脹系數(shù)不一致，如果此處溫度過高就會產(chǎn)生應(yīng)力裂紋，造成燈管漏氣。因此，燈管在爐膛中的固定方式十分重要。

爐管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：

太陽能電池片的燒結(jié)工藝決定了相鄰兩個(gè)溫區(qū)的溫度會有300度以上的落差。雖然輻射加熱具有很好的定向性，但是在燈管和基本之間由于爐膛氣氛的存在，在一部分能量會因?qū)α骱涂諝獾睦鋮s作用而損失，同時(shí)，高溫區(qū)的熱量有向相鄰低溫區(qū)擴(kuò)散的趨勢，這種熱擴(kuò)散會抬高相鄰溫區(qū)的實(shí)際溫度，阻礙溫度尖峰的形成。因此，如何減少空氣的熱損失和相鄰溫區(qū)的熱擴(kuò)散是爐膛結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的重點(diǎn)。

整個(gè)爐膛采取大加熱腔小通道的結(jié)構(gòu)，大加熱腔可以提供足夠的熱量，減少熱震蕩，提高爐膛的溫度均勻性；小通道可以使每個(gè)溫區(qū)的空間相對獨(dú)立，減少對流，降低相鄰溫區(qū)間熱擴(kuò)散干擾，由于硅基片厚度曲線測量器件從爐膛通過，一般有效高度在30mm左右。

氣氛布置：

1、烘干爐的氣氛布置。輻射加熱迅速烘干漿料中的有機(jī)溶劑和水分，為有效地將廢氣排出，需領(lǐng)先合理的氣氛流向。外界的冷空氣由鼓風(fēng)機(jī)送入加熱器，被加熱到約200度，從頂部進(jìn)入爐膛，分成左右兩段，通過對流將烘干過程產(chǎn)生的廢氣攜帶至廢氣收集管，在抽氣煙囪的作用下排出爐膛。通過這種強(qiáng)制熱風(fēng)對流循環(huán)，爐膛內(nèi)的廢氣定向有序地排出，減少了對基片的污染。

2、預(yù)燒段的氣氛布置。輻射加熱在迅速提高基本溫度的同時(shí)，也會因燈管布置間距，電流通斷時(shí)間，輻射角度變化而造成基本受熱不均勻。而在爐膛內(nèi)通入一定量的熱空氣，巧妙利用對流攪拌作用，使溫度分布更加均勻，消除了基片產(chǎn)生熱應(yīng)力的隱患。此外，預(yù)熱時(shí)隨著溫度升高，漿料中的鋁離子開始擴(kuò)散揮發(fā)，為防止基片正反兩面金屬離子交叉污染，如何形成上下溫區(qū)互不干擾的氣氛流向是設(shè)計(jì)的重點(diǎn)。

3、燒結(jié)段的氣氛布置。燒結(jié)段燈管的表面溫度極高，此處氣氛布置的主要目的是利用空氣的冷卻效應(yīng)，使燈管保持在安全的使用溫度以內(nèi)。冷壓縮空氣自爐膛兩側(cè)的連接嘴通入，從燈管與安裝孔的空隙吹進(jìn)爐膛，一方面冷空氣經(jīng)過耐火層時(shí)被逐漸加熱，不會對溫區(qū)溫度產(chǎn)生擾動(dòng)；另一方面，冷空氣在燈管表面形成一層很薄的冷卻層，防止燈管過燒，并給冷端降溫。

4、降溫段的氣氛布置。降溫段的氣氛布置相對簡單，主要作用是阻隔燒結(jié)段的熱量擴(kuò)散，因此，在燒結(jié)段與降溫段之間的過度區(qū)，布置數(shù)道垂直的壓縮空氣氣幕，并結(jié)合水冷鋼套的作用使熱能被完全阻隔在燒結(jié)段內(nèi)。

金屬化工藝燒結(jié)過程

下面Ag-Si合金---背面Al-Si合金----H擴(kuò)散進(jìn)入Si體相，鈍化缺陷和雜質(zhì)。

優(yōu)化接觸需三個(gè)過程有機(jī)協(xié)作：1、正表面形成均一，低電阻和高分流電阻的歐姆接觸，以提高Uoc和FF。2、H深入擴(kuò)散進(jìn)入材料體相并鈍化雜質(zhì)和缺陷，以產(chǎn)生高Isc和Uoc。3、背面Al-Si合金區(qū)需形成大的P+-P場，降低背面復(fù)合，提高Uoc.

燒結(jié)對三個(gè)過程的影響方式不同：溫和燒結(jié)能得到較好的正面接觸，但是H無法深度擴(kuò)散入體相；強(qiáng)力燒結(jié)雖可得到好的背電場，但導(dǎo)致正面結(jié)合的分流-即并聯(lián)電阻減小及H的溢出。使電池效率最大化的一種方法是Tailor三個(gè)參數(shù)：氮化硅層，正面的銀漿，背面的鋁刺，使它們的功能在同一個(gè)溫度時(shí)間過程中達(dá)到極大值。Al-Si合金共熔溫度835度，Ag的熔化溫度961.9度，而現(xiàn)在的溫度均低于這兩個(gè)值。

燒結(jié)對電池片的影響：

相對于鋁漿燒結(jié)，銀漿的燒結(jié)更重要很多，對電池片電性能影響主要體現(xiàn)在串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻，即FF的變化。

鋁漿燒結(jié)的目的使?jié){料中的有機(jī)溶劑完全揮發(fā)，并形成完好的鋁硅合金和鋁層，局部的受熱不均和散熱不均可能會導(dǎo)致起包，嚴(yán)重的會起鋁珠。

背場經(jīng)燒結(jié)后形成的鋁硅合金，鋁在硅片中是作為P型摻雜，它可以減少金屬與硅交接處的少子復(fù)合，從而提高開路電壓和短路電流，改善對紅外線的影響。

一、 Rs偏大

1、 將Rs偏大的電池片取出重新測試，檢查是否為測試偏差導(dǎo)致的Rs偏大。

2、 測試Rs偏大的電池片的柵線高寬，確認(rèn)是否為印刷（只指印刷狀態(tài)）導(dǎo)致。

3、 測試Rs偏大的電池片和正常的電池片的方塊電阻，看兩者之間是否存在差異。

4、 做交叉對比試驗(yàn)，確認(rèn)為印刷工序（包括印刷狀態(tài)和漿料）或燒結(jié)工序的問題。

5、 拉爐溫檢測爐溫是否在正常范圍內(nèi)，如超出范圍可適當(dāng)調(diào)整。

二、Irev1偏大

1、取磨砂紙打磨電池邊緣，使邊緣露出亮亮的硅本色。重新測試觀測漏電是否改善。

2、統(tǒng)計(jì)兩條線數(shù)據(jù)，檢查Irev1是否有差異

3、檢查烘干爐托盤和印刷軌道是否清理干凈

三、 兩條線效率差異

1、檢查兩條線同一片源差異大小。如數(shù)據(jù)較穩(wěn)定，可通過500片以上數(shù)據(jù)來判斷差異。如數(shù)據(jù)波動(dòng)較大，必須通過2000片以上的數(shù)據(jù)來確認(rèn)差異大小。

2、取10片電池片（單晶取B3-1，多晶取C3-1檔），分別在兩線測試，檢查測試有無差異。

3、統(tǒng)計(jì)兩條線數(shù)據(jù)，檢測產(chǎn)生效率差異的參數(shù)為哪個(gè)。根據(jù)相關(guān)參數(shù)來調(diào)節(jié)。

4、確認(rèn)非絲印燒結(jié)情況下，可安排PECVD交換對比試驗(yàn)。

四、電池片彎曲

1、 檢查背電場印刷重量是否正常

125單晶：0.9±0.05g

156多晶：1.5±0.10g

2、 檢查電池片厚度（重量）是否正常

125單晶：重量應(yīng)大于5.3g

156多晶：重量應(yīng)大于9g

3、印刷重量調(diào)節(jié)方法：

①適當(dāng)減慢印刷速度可降低過墨量，但調(diào)節(jié)后務(wù)必記錄《絲網(wǎng)印刷參數(shù)更改表》，正常后應(yīng)恢復(fù)印刷速度。

②加大印刷壓力可降低過墨量

③使用高目數(shù)網(wǎng)版可降低過墨量

粘片：在印刷硅片的時(shí)候，硅片脫離工作臺而粘到絲網(wǎng)上導(dǎo)致印刷故障。

原因：硅片與工作臺之間的力小于絲網(wǎng)與硅片之間的力，原因是漿料變稠，有可能是網(wǎng)版的張力變小，也有可能是印刷工藝參數(shù)的零點(diǎn)漂移造成的。

處理方法：首先確定漿料是否太稠，如果不是很稠，用調(diào)墨刀把網(wǎng)版底部的漿料鏟出去，添加新漿料試印刷，不能解決更換新網(wǎng)版，新網(wǎng)版也不能解決可以調(diào)節(jié)工藝參數(shù)snap off和down stop；如果網(wǎng)版上的漿料很稠，重新?lián)Q網(wǎng)版和漿料。

彎曲片：燒結(jié)后出來的電池片的彎曲度大于1.5.

原因：一是由于本身硅片太??；二是燒結(jié)溫度過高；三是由于印刷的背場過厚。

處理方法：首先檢查燒結(jié)工藝是否正常，正常的情況下測量下鍍膜后硅片的厚度，如果厚度小于180um，不適合做，厚度在180-200um之間，調(diào)下背電極的Snap off和down stop,增大壓力，調(diào)慢印刷速度。

主柵線脫落的原因：主柵太厚，PV159漿料易出現(xiàn)這種主柵線脫落的現(xiàn)象，將壓力增加，大于80N，保證刮刀平整，一般不會有主柵線脫落的問題，日本漿料也出現(xiàn)過這種情況。

一般為刮條不平整有彎曲現(xiàn)象，而在彎曲的位置，易造成印厚或是虛印，但是把壓力加大，又易造成爆版。

方塊電阻：單位厚度單位面積上的電阻值稱為方塊電阻，單位為歐姆/平方/密耳。單位厚度為密耳。1密耳=25um，用Ω/口（25um厚度下）表示，計(jì)算方法：1、測出被測線路的長度L，線路的寬度W和線路T（密耳）。2、用歐姆表測出線路兩端的電阻讀數(shù)R（歐姆）。3、L/W=被測線路的方塊數(shù)n。R/n=每平方塊上的電阻值。4、方塊電阻Ω口=R/n/T.

銀漿R口增大的原因是什么？

1、烘干不徹底，即烘干的溫度不夠，時(shí)間不夠或干燥方式欠佳。

2、印刷厚度不滿足銀漿要求的溫度，印刷厚度薄，銀與銀連接不結(jié)實(shí)。

3、缸子打開時(shí)攪拌不徹底，造成缸子上層銀含量低，油墨方阻增大，下層銀含量高，附著力降低，因?yàn)殂y的比重很大，是水的十幾倍所以容易沉在底部，所以應(yīng)徹底攪拌。

背場燒結(jié)后鼓包的處理：

1、漿料攪拌時(shí)間過度和漿料溫度過高。

漿料攪拌時(shí)間過長導(dǎo)致漿料發(fā)熱，漿料中的有機(jī)溶劑揮發(fā)使?jié){料中產(chǎn)生很多氣泡。

措施：控制漿料攪拌時(shí)間，同時(shí)漿料攪拌完以后靜置一段時(shí)間才能上線使用。

2、絨面過大而且不均勻

絨面角錐過大同時(shí)不均勻，印刷后鋁漿沒有完全接觸硅片表面，硅片和漿料之間留有空氣，燒結(jié)后產(chǎn)生鼓包。

措施：增大印刷量，盡量使印刷層與硅片表面接觸良好。

調(diào)節(jié)間距參數(shù)：絲網(wǎng)間距超大，背電場越厚，刮刀高度越低，背電場越厚。印刷速度越快，背電場越厚，但速度超過一定量時(shí)，背電場又會變薄，印刷壓力越小，背電場越厚。背場鼓包最主要的原因還是在于漿料中的有機(jī)溶劑或者氣體在燒結(jié)過程中揮發(fā)不完全形成的?？梢陨邘讉€(gè)溫區(qū)會有效果。燒結(jié)溫度過高，則會在背場形成密密麻麻的鼓包，降低5，6區(qū)的爐溫會有好轉(zhuǎn)，特別是5區(qū)的爐溫效果會更好。

為何高方阻的Uoc,Isc較高？

擴(kuò)散的深度較淺，表面的空穴較多，所以方塊電阻較高，但是Uoc,Isc較高的原因有以下幾點(diǎn)：1、方塊電阻較高，表面表面的P濃度較少，雜質(zhì)也較少，少子壽命較高，所以Uoc,Isc也就較高。2、方塊電阻較高表示形成的P-N結(jié)較淺，載流子移動(dòng)到表面的路更短，損耗也就更少，Uoc,Isc也就會更高。3、光譜響應(yīng)。

Berger測試系統(tǒng)

1、測試原理：Pulse長度超過16ms，其中主要包括兩個(gè)部分，光強(qiáng)1000W/m2部分和500W/m2部分。通過兩條IV曲線，可以用IEC61215標(biāo)準(zhǔn)提供的公式計(jì)算Rs.

2、Moniter  Cell的作用。其功能只是用來確定光強(qiáng)。其電流輸出到一定值電阻上，通過測量該電阻上的電壓，確定Moniter Cell的短路電流，進(jìn)而確定光強(qiáng)。

3、測試點(diǎn)的分配。對于每一規(guī)格的電池，Berger系統(tǒng)需要知道電池的面積和大致電流密度，計(jì)算出Isc，并以此值為基礎(chǔ)分配IV曲線各段的測試點(diǎn)數(shù)量。其具體做法是：a.在坐標(biāo)系上找到（Isc,Uoc）(Uoc一般變化不大)，連接此點(diǎn)與原點(diǎn)；b.找到(Isc,Uoc/3),連接此點(diǎn)與原點(diǎn)；c.找到（Isc,2Uoc/3），連接此點(diǎn)與原點(diǎn)；d.找到（Isc/2,Uoc）,連接此點(diǎn)與原點(diǎn)；e.這4條線，加上兩條坐標(biāo)軸，把IV曲線分割成5個(gè)部分，Berger系統(tǒng)分配給每個(gè)部分20個(gè)測試點(diǎn)，以保證測試點(diǎn)在IV曲線上分布均勻。

4、IV曲線不完整的問題。IV曲線不在Isc端出現(xiàn)不完整，最可能是曲高接觸電阻造成的，測試探針（Pin）損壞，電阻偏高，或測試線內(nèi)部出現(xiàn)損傷等。

Berger的系統(tǒng)在電路中設(shè)置了一個(gè)正向的補(bǔ)償電壓（offset voltage）來補(bǔ)償由于電路中寄生電阻造成的電壓降。寄生電阻主要來自三個(gè)部分。一是探針和電池片的接觸電阻，其典型值在100-150mΩ之間；二是可變負(fù)載，其最小值也不精確為零，因此需要補(bǔ)償；三是電池的電阻。為了確保IV曲線與I軸有交點(diǎn)。在測試的初始時(shí)刻，即T=0時(shí)，測量電壓應(yīng)小于0，若寄生電阻過大，電壓降超過補(bǔ)償電壓，則會造成測試電壓初始值大于0，反應(yīng)在IV曲線上就是IV曲線不完整，在Isc端出現(xiàn)缺口（V從一開始就大于0）。

5、為了計(jì)算補(bǔ)償電壓，系統(tǒng)需要知道太陽電池的Isc，并默認(rèn)寄生電阻為一恒定值，二者的乘積即為補(bǔ)償電壓。這個(gè)短路電流是指系統(tǒng)測量得到和未加光強(qiáng)修正的電流，因此為了確保補(bǔ)償電流設(shè)置準(zhǔn)確，測試的光強(qiáng)應(yīng)為950-1050之內(nèi)。

6、反向暗電流。Berger系統(tǒng)最大反向電壓15V，在測量反向暗電流的電路中，可變負(fù)載的范圍是0到400Ω.

有關(guān)漏漿的討論。

結(jié)柵線上印粗的漏漿，也有員工稱之為細(xì)柵線印粗。1、有可能是網(wǎng)版老化。生產(chǎn)過程中會不斷擦拭網(wǎng)版，而網(wǎng)版又很容易在細(xì)柵線處磨損，所以造成漏漿，但這種情況下，漏漿的位置很固定，很容易發(fā)現(xiàn)。2、漿料中有雜質(zhì)，而且是很細(xì)碎的雜質(zhì)，但一般會將網(wǎng)版磨壞，或者是斷柵，很少出現(xiàn)。3、硅片表面和毛屑，有時(shí)在第一次印刷時(shí)，毛屑就粘在細(xì)柵線上，造成這個(gè)位置相應(yīng)的印粗，而且以后印刷的幾片電池片也都會在相應(yīng)的位置印粗，但可印幾片就會又正常。印粗的位置在顯微鏡下觀察會發(fā)現(xiàn)呈葫蘆狀，中間細(xì)，兩邊很粗，處理方法是擦干凈第二臺烘干爐內(nèi)的托盤，并用干凈的無塵布擦掉硅片表面的毛屑。4、刮刀老化，鈍化也會造成漏漿點(diǎn)較多。5、回料刀過高或過低都有可能出現(xiàn)漏漿點(diǎn)?；亓系哆^高時(shí)，留給刮刀的漿料就較多，刮刀在行進(jìn)過程中阻力較大，更易將漿料擠到網(wǎng)版以下漏在硅片上，回料刀過低，那么回料刀在回料過程中對漿料的力就會增大，可能將漿料擠到網(wǎng)版下，所以在印刷過程中造成柵線的印粗。

邊緣漏漿，將會影響電池片的漏電，由于Al是重?fù)诫s質(zhì)，在燒結(jié)過程中會擴(kuò)散進(jìn)入電池片表層3-6um片，若鋁漿較多，且連成一片，極有可能將正面的N層和背面的P層導(dǎo)通，從而造成邊緣漏電。

不過要更正一種思想，邊緣只有一個(gè)小點(diǎn)的漏漿且很模糊不連貫，這樣的漏漿不會影響到電池片的電性能，因?yàn)锳l在燒結(jié)過后，Al離子會擴(kuò)散進(jìn)入到3-6um，而電池片邊緣被刻蝕掉的距離有1mm，差將近兩個(gè)數(shù)量級，所以根本沒有影響。

微晶區(qū)域?qū)﹄姵仄娦阅艿挠绊憽?/span>

1、在多晶硅片上，作為晶界，位錯(cuò)和雜質(zhì)三者聚集的微晶區(qū)域，是少數(shù)載流子的強(qiáng)復(fù)合中心，會嚴(yán)重影響硅片的少子壽命。

2、微晶區(qū)域，尤其是晶界處垂直PN結(jié)的長條狀導(dǎo)電型，SiC的存在，會造成多晶硅電池的嚴(yán)重漏電甚至PN結(jié)局部短路，使電性能嚴(yán)重下降甚至報(bào)廢。

用萬用表測量PN型。

使用萬用表的KΩ檔測量其表層電阻值，由于電池片表層有氮化硅層，而氮化硅層不導(dǎo)電，將會影響其測量的阻值，所以需要使探頭將電池片表層反復(fù)磨無下，去掉氮化硅的顏色才可以進(jìn)行測量（但有的電池片在不磨損氮化硅的情況下也可以測量PN型）。兩個(gè)探頭間相距0.5cm左右，當(dāng)測得的結(jié)果為10Ω左右是為N型導(dǎo)電。當(dāng)為10000Ω時(shí)為P型導(dǎo)電。原因是在擴(kuò)磷的過程中，擴(kuò)散面相對于基底為重?fù)诫s，所以產(chǎn)生的導(dǎo)電離子較多，所以電阻值會降低。N型導(dǎo)體粒子比P型導(dǎo)電粒子更為活潑，導(dǎo)電能力更強(qiáng)。

EL原理

場致發(fā)光，又稱電致發(fā)光（EL）electroluminescent，是固體發(fā)光材料在電場激發(fā)下發(fā)光的現(xiàn)象。

儀器說明:

萬用表與PN型檢測儀---測量表面電阻和PN型    金相顯微鏡，3D顯微鏡----測試柵線調(diào)試和寬度

Suns-Voc----判斷結(jié)與原材料                   光譜儀----測試膜厚與折射率

WT-200----測試方塊電阻，少子壽命及整面QE     OL-750----測試單點(diǎn)QE

EL----測試漏電區(qū)域                           Correscan----測試漏電及接觸電阻

SEM----測試絨面及印刷情況

絲網(wǎng)印刷機(jī)是意大利BSCCINI公司制造，有光學(xué)定位，印刷頭旁的CCD數(shù)碼相機(jī)檢測絲網(wǎng)基準(zhǔn)。

影響Uoc的參數(shù)

1、材料-光伏有源材料：電阻率，少子壽命，其它雜質(zhì)    2、表面發(fā)射極摻雜層。

3、背面電場（BSF：Back surface field）      4、漏電流-反向飽和電流I0

5、理想因子n          6、并聯(lián)電阻      7、鈍化技術(shù)-電池材料的表面和內(nèi)部的鈍化。

提高效率的路徑

1、絨面結(jié)構(gòu)；2、正面減反射膜；3、表面發(fā)射極摻雜層-高或低的磷濃度；4、減少遮光損失；5、串聯(lián)電阻；6、背面反射；7、鈍化技術(shù)。

影響FF的因素

1、表面發(fā)射極摻雜層-高或低的磷濃度；2、去除周邊PN結(jié)和去磷玻璃；3、串聯(lián)電阻；4、下面減反射膜；5、金屬電極接觸的燒結(jié)；6、并聯(lián)電阻。

太陽能電池能量轉(zhuǎn)換效率由Uoc,Isc,FF確定

1、為了獲得高的Uoc，電池必須有低的正向暗電流I0，高的并聯(lián)電阻Rsh;

2、為了獲得高的Isc，電池材料和結(jié)構(gòu)應(yīng)該在紫光，可見光和近紅外光譜范圍有高的寬的和平坦的光譜響應(yīng)，內(nèi)量子效率接近于1.

3、為了獲得高的填充因子FF，電池必須有低的正向暗電流I0，理想因子n接近于1，串聯(lián)電阻必須低（<1），并聯(lián)電阻必須大（>102 Ω.cm2）

太陽能電池的理想因子n

二極管理想因子n是一個(gè)處于1-2之間的數(shù)值，n是衡量PN結(jié)好壞的最重要標(biāo)志，它由半導(dǎo)體材料和制造技術(shù)決定。

1、理想情況，如果P區(qū)和N區(qū)的擴(kuò)散電流起支配作用，那么，理想因子n=1.

2、非理想情況，PN結(jié)空間電荷耗盡區(qū)的復(fù)合電流起支配作用，那么因子n=2.

漿料問題

太陽電池電極漿料通常由金屬粉末與玻璃粘合劑混合并懸浮于有機(jī)液體或載體中，其中金屬粉末所占的比例決定了厚膜電極的可焊性，電阻率，成本，玻璃粘合劑影響著膜電極對硅基片的附著力，這種粘合劑通常由硼硅酸玻璃以及鉛，鉍一類的重金屬占很大比例的低熔點(diǎn)，活性強(qiáng)的玻璃組成。另外，太陽電池電極漿料印刷燒結(jié)后的厚膜導(dǎo)體必須和半導(dǎo)體基片形成良好的歐姆接觸特性，因此，還添加一些特定的摻雜劑。

漿料的生產(chǎn)過程是將所需要的玻璃變成粉料，再用球磨機(jī)研磨到適合絲網(wǎng)印刷的顆粒度，大約1-3微米。金屬粉料用化學(xué)方法或超音速噴射制成，將這些粉末放在攪拌器中與有機(jī)載體濕混，然后再用一滾微研磨機(jī)混合。

作為絲網(wǎng)印刷用的漿料需要具有觸變性，屬于觸變混合物。在加上壓力式（攪拌）剪切應(yīng)力時(shí)，漿料的粘度下降，撤除應(yīng)力后，粘度恢復(fù)，在絲網(wǎng)印刷過程中，漿料添加到絲網(wǎng)上，由于較高的粘度而'站住'在絲網(wǎng)上；刷頭停止運(yùn)動(dòng)后，漿料再'站住'在絲網(wǎng)上，不再作進(jìn)一步流動(dòng)，這樣的漿料特別適合于印刷細(xì)線圖形。

因?yàn)闈{料的流動(dòng)特性非常復(fù)雜，在添加有機(jī)載體調(diào)節(jié)涂料粘度時(shí)要特別注意，粘度容易調(diào)到規(guī)定值，漿料的其它性質(zhì)同時(shí)也會改變。

有關(guān)主柵線脫落的處理步驟和幾點(diǎn)理論解釋

1、在測試時(shí)發(fā)現(xiàn)有主柵脫落的情況，先要讓絲網(wǎng)印刷工序停下來，初步統(tǒng)計(jì)有多少主柵落，以及脫落的位置，有的是在主柵的兩端，有的是在一端，有的是在中間通常在離刀的一側(cè)出現(xiàn)脫落，用肉眼即可看出有主柵邊緣有很細(xì)微的裂紋延伸。

2、更換刮刀，查看刮條是否平整，是否有'漏光'現(xiàn)象，出現(xiàn)'漏光'現(xiàn)象的位置是否與出現(xiàn)脫落的位置吻合，在更換刮刀前仔細(xì)檢查刮條，并看壓力是否調(diào)在80N以上。

3、再做5片，查看是否還有脫落現(xiàn)象，若有脫落現(xiàn)象，再次更換刮刀，若刮刀查看過沒有問題，革命家更換網(wǎng)版，漿料。

4、若還有脫落現(xiàn)象，則通知設(shè)備人員，調(diào)零點(diǎn)。

5、統(tǒng)計(jì)共產(chǎn)生多少主柵脫落的電池片，通知主管。

解釋：1、漿料中的玻璃成份的比例決定了柵線和硅表面的附著力，在PV159等銀含量較高的正電極漿料中，玻璃成份含量較少，一量漿料攪拌不均勻或在網(wǎng)版上停留的時(shí)間過長或受到污染，造成局部玻璃成份過少，就會造成主柵脫落的現(xiàn)象。2、如果刮刀不平整或是壓力過小造成主柵線的厚度過厚，資料在烘干過程中收縮程度較大，造成與硅表面脫離，漿料在高溫過后的冷卻斷，較大程度的收縮易造成連帶硅共同脫落。所以我們工藝上要求時(shí)間監(jiān)控主柵線的厚度，不可超過35um.3、虛印也會造成主柵線的脫落，在我們加大了主柵線厚度監(jiān)控的高度之后，主柵線脫落的現(xiàn)象在為減少，但仍有時(shí)會出現(xiàn)，而且大多出現(xiàn)在離刀的位置。

小絨面的電池片和大絨面的電池片相比，具有外觀好，水紋、花片、色差較少，Irev1小等優(yōu)點(diǎn)。

酸洗制絨的電池片，Hcl對雜質(zhì)金屬有絡(luò)合作用，將雜質(zhì)清除得更為徹底，所以Irev1更小，效率更高。