顯存對于顯卡來說，是必不可少的部件。顯存不給力，GPU就哭去了。過去不少筆記本上面的750M，850M性能打折，就是因為用了D3顯存而不是性能更好的D5.

今日，有消息稱，GDDR6顯存會在年底或者明年初面世

今年Vege和Volta都會發(fā)布，新顯存的出現(xiàn)當(dāng)然是為了滿足新GPU的需求

顯存其實就是內(nèi)存的一種，同樣用于高速緩沖

顯存用于存放顯卡處理的圖像信息，顯存存放的信息經(jīng)過一些轉(zhuǎn)換一張一張輸出到顯示器就成了連續(xù)的畫面，顯然每張圖片越復(fù)雜，需要的容量越大，那不只是簡單的平面圖形，3D應(yīng)用時模型坐標(biāo)貼圖等信息都存在一張圖里，視為一幀畫面，顯卡每秒輸出幾十張圖像來保證畫面連續(xù)。

內(nèi)存用于存放系統(tǒng)和軟件運行的臨時文件，原因在于硬盤太慢，硬盤幾十MB的速度和內(nèi)存幾G的速度差距太大，所以硬盤無法完全代替內(nèi)存來存放臨時文件，畢竟軟件運行對于信息的調(diào)用是實時的，都要等硬盤反應(yīng)就太慢了，但是內(nèi)存容量不像硬盤能做那么大，所以并不是所有東西都一下子放在內(nèi)存里，也就有了讀取這樣的過程。

不知不覺都發(fā)展到了GDDR6，GDDR6有什么厲害的地方？讓我們回顧一下前面的顯存，你就會明白了

FPM DRAM

FPM DRAM（Fast Page Mode RAM）：　快速頁面模式內(nèi)存。是一種在486時期被普遍應(yīng)用的內(nèi)存（也曾應(yīng)用為顯存）。72線、5V電壓、帶寬32bit、基本速度60ns以上。它的讀取周期是從DRAM陣列中某一行的觸發(fā)開始，然后移至內(nèi)存地址所指位置，即包含所需要的數(shù)據(jù)。第一條信息必須被證實有效后存至系統(tǒng)，才能為下一個周期作好準(zhǔn)備。這樣就引入了“等待狀態(tài)”，因為CPU必須傻傻的等待內(nèi)存完成一個周期。FPM之所以被廣泛應(yīng)用，一個重要原因就是它是種標(biāo)準(zhǔn)而且安全的產(chǎn)品，而且很便宜。但其性能上的缺陷導(dǎo)致其不久就被EDO DRAM所取代，此種顯存的顯卡已不存在了。

家貧，無486，這種內(nèi)存，顯存都沒有用過

EDO

EDO (Extended Data Out) DRAM，與FPM相比EDO DRAM的速度要快5%，這是因為EDO內(nèi)設(shè)置了一個邏輯電路，借此EDO可以在上一個內(nèi)存數(shù)據(jù)讀取結(jié)束前將下一個數(shù)據(jù)讀入內(nèi)存。設(shè)計為系統(tǒng)內(nèi)存的EDO DRAM原本是非常昂貴的，只是因為PC市場急需一種替代FPM DRAM的產(chǎn)品，所以被廣泛應(yīng)用在第五代PC上。EDO顯存可以工作在75MHz或更高，但是其標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為66 MHz，不過其速度還是無法滿足顯示芯片的需要，也早成為“古董級”產(chǎn)品上才有的顯存。

嚴格來說，voodoo1，2均不是顯卡，而是子卡，但是可以說是EDO顯存最強的3D加速卡‘

SDRAM SDRAM

SDRAM SDRAM又稱同步內(nèi)存，它可以在一個時鐘周期內(nèi)進行數(shù)據(jù)的讀寫，從而節(jié)省了等待時間。由于低廉的價格和較佳的性能，目前SDRAM已成為中低檔顯卡和大多數(shù)主板普遍采用的內(nèi)存。用作顯存的SDRAM外形和內(nèi)存條上的芯片無異，它最重要的特征是整個芯片采用兩邊扁平封裝形式(只有兩側(cè)有針腳)。

直到Geforce第一代還有SDRAM顯存的顯卡，可以說是終點了

SGRAM

SGRAM是Synchronous Graphics DRAM的縮寫，意思是同步圖形RAM是種專為顯卡設(shè)計的顯存，是一種圖形讀寫能力較強的顯存，由SDRAM改良而成。它改進了過去低效能顯存?zhèn)鬏斅瘦^低的缺點，為顯示卡性能的提高創(chuàng)造了條件。SGRAM讀寫數(shù)據(jù)時不是一一讀取，而是以'塊'（Block）為單位，從而減少了內(nèi)存整體讀寫的次數(shù)，提高了圖形控制器的效率。但其設(shè)計制造成本較高，更多的是應(yīng)用于當(dāng)時較為高端的顯卡。目前此類顯存也已基本不被廠商采用，被DDR顯存所取代。SDRAM，即Synchronous DRAM（同步動態(tài)隨機存儲器），曾經(jīng)是PC電腦上最為廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類型，即便在今天SDRAM仍舊還在市場占有一席之地。既然是“同步動態(tài)隨機存儲器”，那就代表著它的工作速度是與系統(tǒng)總線速度同步的。SDRAM內(nèi)存又分為PC66、PC100、PC133等不同規(guī)格，而規(guī)格后面的數(shù)字就代表著該內(nèi)存最大所能正常工作系統(tǒng)總線速度，比如PC100，那就說明此內(nèi)存可以在系統(tǒng)總線為100MHz的電腦中同步工作。與系統(tǒng)總線速度同步，也就是與系統(tǒng)時鐘同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鐘脈沖期由數(shù)據(jù)請求使用，因此數(shù)據(jù)可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM采用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM接口，帶寬為64位。SDRAM不僅應(yīng)用在內(nèi)存上，在顯存上也較為常見。SDRAM可以與CPU同步工作，無等待周期，減少數(shù)據(jù)傳輸延遲。

DDR SDRAM

DDR SDRAM人們習(xí)慣稱DDR SDRAM為DDR。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR SDRAM是在SDRAM基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。RAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時，存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。

當(dāng)年有一塊神一樣的耕升Geforce3 Ti 200，可以一個跳線變成專業(yè)卡或者Ti 500.至今還能點亮，也是我第一塊“高端”顯卡

GDDR2

GDDR2顯存，目前多被低端顯卡產(chǎn)品采用，采用BGA（Ball Grid ArrayPackage）封裝，顯存的速度從3.7ns到2ns不等，最高默認頻率從500MHz～1000MHz，但明顯不如GDDR3顯存。其單顆顆粒位寬為16bit，組成128bit的規(guī)格需要8顆。

x16bit規(guī)格的新型GDDR2首先出現(xiàn)在迪蘭恒進的X700 Bavro上面。Samsung 3.7ns GDDR2顯存采用84Pin FBGA封裝，有別于GDDR3/前代GDDR2的x32bit規(guī)格。新型的GDDR2顯存為16x16規(guī)格，單顆容量為32M，因而這款迪蘭恒進X700 奪寶奇兵擁有256M 128bit的規(guī)格。

GDDR2跟GDDR3對比的優(yōu)勢在于容量翻倍，價格更低，這對于中低端顯卡來說非常有吸引力。

目前顯卡廠商搭配Micro-BGA封裝的GDDR2顯存的速度從3.7ns到2.5ns不等，最高默認頻率從500Mhz-800Mhz，超過傳統(tǒng)TSOP封裝顯存不少，加上GDDR2顯存普遍有不錯的超頻能力，700Mhz以上的預(yù)設(shè)頻率相對于傳統(tǒng)的TSOP封裝顯存來說，自然有很大優(yōu)勢。GDDR2跟傳統(tǒng)TSIOP DDR顯存對比的優(yōu)勢在于頻率優(yōu)勢，價格也不吃虧。

DDR3

DDR3顯存可以看作是DDR2的改進版，二者有很多相同之處，主要采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式。不過DDR3核心有所改進：DDR3顯存采用0.11微米生產(chǎn)工藝，耗電量較DDR2明顯降低。此外，DDR3顯存采用了“Pseudo Open Drain”接口技術(shù)，只要電壓合適，顯示芯片可直接支持DDR3顯存。當(dāng)然，顯存顆粒較長的延遲時間(CAS latency)一直是高頻率顯存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency為5/6/7/8，相比之下DDR2為3/4/5?？陀^地說，DDR3相對于DDR2在技術(shù)上并無突飛猛進的進步，但DDR3的性能優(yōu)勢仍比較明顯：(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點，同時還可作為顯卡的賣點之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規(guī)格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規(guī)格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后，顯存功耗也能進一步降低。(4)通用性好：相對于DDR變更到DDR2，DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對廠商降低成本大有好處。目前，DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。

時至今日，還有GDDR3顯存的顯卡在售。比方說，三線縣城里面的神卡GT730

GDDR4

GDDR4顯存顆粒與前輩GDDR3相比，擁有更先進的制造工藝和更低的工作電壓，并且可以工作在更高的工作頻率下，使顯卡可以得到更大的顯存帶寬。當(dāng)時顯存帶寬的記錄就是采用GDDR4顯存顆粒的2900XT顯卡所創(chuàng)造的，顯存帶寬為102.4GB/s。

看似先進的GDDR4其實缺點很多，第一是采用GDDR4顯存顆粒的顯卡至今種類非常有限，僅有Radeon HD 2900XT和Radeon HD 2600XT兩款顯卡，NVIDIA雖然表示會推出采用GDDR4顯存顆粒的GeForce 8800Ultra顯卡，但是最后無疾而終。

貌似2900XT還是第一個512BIT顯存的大殺器，發(fā)熱量太高，性能低于預(yù)期，呵呵

兩張2900XT，你的冬天就不用愁了

四張？你確定不會熱死嗎？

GDDR5

GDDR5（Graphics Double Data Rate, version 5）SDRAM是為計算機應(yīng)用程序要求的高頻寬而設(shè)計的高性能DRAM顯存的一個類型。像它的上一版一樣（GDDR4)，GDDR5是以較之DDR2 SDRAM有著雙倍速率的DDR3 SDRAM 為基礎(chǔ)，但GDDR5的還擁有類似于GDDR4的8位寬的預(yù)取緩存。

GTX1070是現(xiàn)今用GDDR4最強的顯卡，再往上就是GDDR5X.

保守計算，Volta架構(gòu)的顯卡，甜點級，預(yù)算叫做GTX2060，還是會繼續(xù)用GDDR5的

GDDR5

GDDR5X相當(dāng)于HBM2與GDDR5之間的折中點，它沒有前者低產(chǎn)能高價位的尷尬，又能比常規(guī)GDDR5擁有更高的顯存頻率。

GeForce GTX 1080首次采用了8GB GDDR5X顯存，

HBM顯存

HBM堆疊顯存采用TSV技術(shù)將若干顆DRAM顆粒垂直互聯(lián)在一起來完成堆疊，按照海力士以及AMD公布的試產(chǎn)產(chǎn)品數(shù)據(jù)，HBM在作為顯存出現(xiàn)時可以提供8通道1024bit起跳的顯存位寬，搭配適當(dāng)頻率顆粒（等效頻率在2000~3600MHz左右，約等于GDDR4的水平）時可以提供超過128GB/s，最大可至512GB/s的等效帶寬，在此基礎(chǔ)上還能實現(xiàn)40%的功耗下降。隨著工藝的成熟穩(wěn)定，HBM所能夠帶來的帶寬數(shù)字可能會進一步提升至640GB/S甚至更高。

FuryX ，默認水冷的神卡

據(jù)說，新一代的Vege會用HBM2，具體性能如何？需要等Vega上市才知道答案了