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二極管是最簡(jiǎn)單的功率器件。以下各圖以二極管為基礎(chǔ)，說(shuō)明晶閘管、晶體管以及IGBT的開(kāi)關(guān)。 晶體管（NPN ）：
二極管：  晶閘管（SCR）：  晶閘管導(dǎo)通必須具備在陽(yáng)極加正向偏置電壓E和向門極提供控制脈沖信號(hào)電壓v與擎住電流iG。晶閘管不能靠控制門極脈沖信號(hào)來(lái)關(guān)斷元件，要靠反向偏置電壓來(lái)關(guān)斷元件。  晶體管導(dǎo)通是靠控制基極電流iB來(lái)達(dá)到對(duì)元件的控制目的。
MOSFET (Nch)：  MOSFET導(dǎo)通是靠在門極施加正向偏置脈沖電壓VGS來(lái)控制元件的，僅在導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間有門極電流iG流動(dòng)。該元件在漏極-源極之間的芯片中，有內(nèi)置寄生與漏極電流相反方向的續(xù)流二極管。 IGBT：  IGBT導(dǎo)通是靠在門極施加正向偏置脈沖電壓VGE來(lái)達(dá)到對(duì)元件的控制目的，該元件僅在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間有門極電流iG流動(dòng)。在某些IGBT模塊中，另外增加了超快恢復(fù)二極管芯片，以達(dá)到反向續(xù)流的目的。 |
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來(lái)自： 共同成長(zhǎng)888 > 《IGBTFET》
