IGBT的輸入端實際上就是一個功率MOSFET，因此其柵極驅動電路與功率MOSFET的柵極驅動電路基本上是一致的：

(1)IGBT的柵極存在一個相當大的等效輸入電容CE1，通常需要充入或釋放一個相當大的電荷量才能實現(xiàn)IGBT的導通或截止。因此，要求柵極驅動電路的輸出阻抗低，可在瞬間為IGBT的柵極輸入電容提供足夠大的充電電流和放電電流。

(2)為了保證IGBT的充分導通，通常要求加給柵極的驅動電壓UG為10~15V；為了增強功率MOSFET在截止時的可靠性，應該給柵極加以-5V左右的負電壓。但IGBT的柵極的擊穿電壓為土20V，在驅動時應采取可靠措施避免驅動電壓超出這個范圍。

(3)出于IGBT的柵極輸入電容比較大，為了避免其與線路的寄生電感形成一個串聯(lián)諧振電路而產生振蕩，在柵極上應串人一個阻值為10~100Ω的阻尼電阻。

(4)柵極驅動電路應具備良好的電氣隔離性能，實現(xiàn)IGBT與控制電路的隔離，以避免功率電路后級對前級的控制信號產生干擾。