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盤點:2016年全球10大半導(dǎo)體科技進展

 panpan研報社 2017-01-12


2016年對半導(dǎo)體行業(yè)來說是風(fēng)起云涌。為了度過難關(guān),各大企業(yè)不是一頭扎進了瘋狂的并購潮,就是加大力度進行技術(shù)研發(fā)。今天就讓我們來看一看2016年半導(dǎo)體材料都發(fā)生了哪些突破。


一、硅基導(dǎo)模量子集成光學(xué)芯片研制成功


7月份,中國科技大學(xué)郭光燦院士領(lǐng)導(dǎo)的中科院量子信息重點實驗室任希鋒研究組與浙江大學(xué)戴道鋅教授合作,首次研制成功硅基導(dǎo)膜量子集成芯片,他們在硅光子集成芯片上利用硅納米光波導(dǎo)中不同的能量傳輸模式,作為量子信息編碼的新維度,實現(xiàn)了單光子態(tài)和量子糾纏態(tài)在偏振、路徑、波導(dǎo)模式等不同自由度之間的相干轉(zhuǎn)換,其干涉可見度均超過90%,為集成量子光學(xué)芯片上光子多個自由度的操縱和轉(zhuǎn)換提供了重要實驗依據(jù)。


二、首個打破物理極限的1nm晶體管誕生



10月7日對于普通人來說可能沒有什么意義,但對于計算機技術(shù)界來說絕對是一個值得紀念的日子。據(jù)外媒報道,勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限,將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。


三、碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管



美國研究人員于9月6日宣布,他們成功制備出一種碳納米晶體管,其性能首次超越現(xiàn)有硅晶體管,有望為碳納米晶體管將來取代硅晶體管鋪平道路。硅是目前主流半導(dǎo)體材料,廣泛應(yīng)用于各種電子元件。但受限于硅的自身性質(zhì),傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)被認為已經(jīng)趨近極限。碳納米管具有硅的半導(dǎo)體性質(zhì),科學(xué)界希望利用它來制造速度更快、能耗更低的下一代電子元件,使智能手機和筆記本電腦等設(shè)備的電池壽命更長、無線通信速率和計算速度更快。但長期以來,碳納米管用作晶體管面臨一系列挑戰(zhàn),其性能一直落后于硅晶體管和砷化鎵晶體管。美國威斯康星大學(xué)麥迪遜分校的研究人員在美國《科學(xué)進展》雜志上介紹了他們克服的多重困難。


四、“石墨烯之父”發(fā)現(xiàn)比石墨烯更好的半導(dǎo)體——硒化銦(InSe)


石墨烯只有一層原子那么厚,具有無可比擬的導(dǎo)電性。全世界的專家們都在暢想石墨烯在未來電路中的應(yīng)用。盡管有那么多的超凡屬性,石墨烯卻沒有能隙(energy gap)。不同于普通的半導(dǎo)體,它的化學(xué)表現(xiàn)更像是金屬。這使得它在類似于晶體管的應(yīng)用上前景黯淡。這項新發(fā)現(xiàn)證明,硒化銦晶體可以做得只有幾層原子那么薄。它已表現(xiàn)出大幅優(yōu)于硅的電子屬性。而硅是今天的電子元器件(尤其是芯片)所普遍使用的材料。更重要的是,跟石墨烯不同,硒化銦的能隙相當大。這使得它做成的晶體管可以很容易地開啟/關(guān)閉。這一點和硅很像,使硒化銦成為硅的理想替代材料。人們可以用它來制作下一代超高速的電子設(shè)備。


五、人類首次飛秒拍攝到了半導(dǎo)體材料內(nèi)部的電子運動



電子是一種亞原子粒子,屬于輕子的一種。長期以來,由于它的質(zhì)量?。?.1x10-31千克),速度快(繞原子核一周只需要1.8x10-16秒),雖然用處廣泛,卻難以觀測。2008年2月,來自瑞典的幾位科學(xué)家首次拍攝到了單個電子的錄像,實現(xiàn)了歷史性的突破。然而,想要拍攝固體內(nèi)部的電子,因為電子數(shù)量眾多、環(huán)境復(fù)雜,更是難上加難。長期以來,科學(xué)家們沒有找到任何直接觀測的方法。如今,來自沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University,OIST)的科學(xué)家們用他們的“飛秒照相機”成功地首次拍到了材料內(nèi)部電子的運動軌跡,再度實現(xiàn)了突破。


六、美國猶他大學(xué)工程師最新發(fā)現(xiàn)新型二維半導(dǎo)體材料一氧化錫(SnO)



一氧化錫這個“小鮮肉”由猶他大學(xué)材料科學(xué)和工程學(xué)副教授艾舒托什·蒂瓦里領(lǐng)導(dǎo)的研究團隊發(fā)現(xiàn),它由錫和氧元素組成。目前,電子設(shè)備內(nèi)的晶體管和其他元件由硅等三維材料制成,一個玻璃基層上包含有多層三維材料。但三維材料的缺陷在于,電子會在層內(nèi)的各個方向四處彈跳。蒂瓦里解釋道,而二維材料的優(yōu)勢在于,其由厚度僅為一兩個原子的一個夾層組成,電子只能在夾層中移動,所以移動速度更快。


七、德國開發(fā)出新型有機無機雜化“人工樹葉”



德國亥姆霍茲柏林材料與能源中心michaellublow教授課題組日前首次設(shè)計合成了一種新型有機無機雜化的硅基光陽極(人工樹葉)用于光解水產(chǎn)氧。得益于該保護層高穩(wěn)定性、高導(dǎo)電性,光催化解水效率大幅提高,該項研究創(chuàng)新性地引入有機保護層,首次構(gòu)造出了有機無機雜化的穩(wěn)定光陽極結(jié)構(gòu),克服傳統(tǒng)光陽極光解水的不穩(wěn)定性問題,為光催化光陽極設(shè)計提供了新思路;同時,該保護層的制備方法具備良好的可擴展性,可沿用到其他半導(dǎo)體材料。


八、新型無機半導(dǎo)體材料SnIP具有DNA的雙螺旋結(jié)構(gòu)



德國慕尼黑工業(yè)大學(xué)(Technical University of Munich;TUM)的研究人員合成了一種高度彈性的無機半導(dǎo)體材料——SnIP,最特別的是它具有像DNA的雙螺旋結(jié)構(gòu)。


這種新型的半導(dǎo)體主要由錫(Sn)、碘(I)和(P)三種元素構(gòu)成,能夠展現(xiàn)出非凡的光學(xué)與電子特性,并具備極端的機械柔韌度,其纖維約有幾公分長,但可任意彎曲而不至于斷裂。截至目前為止,最細的SnIP纖維僅包含5種雙螺旋鏈,而且厚度只有幾奈米。


九、首塊納米晶體“墨水”制成的晶體管問世


晶體管是電子設(shè)備的基本元件,但其構(gòu)造過程非常復(fù)雜,需要高溫且高度真空的條件。美韓科學(xué)家在《科學(xué)》雜志上報告了一種新型制造方法,將液體納米晶體“墨水”按順序放置。他們稱,這種效應(yīng)晶體管或可用3D打印技術(shù)制造出來,有望用于物聯(lián)網(wǎng)、柔性電子和可穿戴設(shè)備的研制。


十、美國科學(xué)家設(shè)計超材料以光子形式釋放能量傳遞信息


美國勞倫斯伯克利國家實驗室和加州大學(xué)伯克利分校的科學(xué)家在《物理評論快報》雜志撰文指出,他們設(shè)計出了一種擁有自然界中沒有的新奇屬性的“量子超材料”, 它由光組成的人造晶體及被捕獲的超冷原子構(gòu)成,在很多方面與晶體類似,但結(jié)構(gòu)更“完美”,沒有天然材料內(nèi)常見的瑕疵。


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