日前，中國(guó)科學(xué)院地質(zhì)與地球物理研究所工程師發(fā)明了一種適合MEMS尤其是MEMS慣性傳感器的集成封裝方法，該方法多方面解決了MEMS加速度傳感器溫度系數(shù)大、溫度滯回大等難題，并且降低了生產(chǎn)成本。

　　目前，電子元器件芯片朝著越來越復(fù)雜的方向發(fā)展，而傳統(tǒng)的IC集成器件封裝和金屬管殼封裝都會(huì)帶來困難。例如MEMS傳感器，為了提高其性能，往往需要增加可動(dòng)質(zhì)量塊的厚度，使用傳統(tǒng)的IC集成器件封裝技術(shù)和國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)的LCC（無引腳芯片載體）封裝管殼的腔體深度往往不能滿足MEMS厚度的要求，極大地造成了封裝及微組裝工序的復(fù)雜度，而且芯片的整體面積很大，增加了成本，不利于進(jìn)行批量生產(chǎn)。

　　中國(guó)科學(xué)院地質(zhì)與地球物理研究所工程師薛旭等人以梳齒型MEMS加速度計(jì)為典型實(shí)施例，發(fā)明了一種適合MEMS尤其是MEMS慣性傳感器的集成封裝方法，并于近日獲得國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)（專利名稱：一種MEMS傳感器封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法；發(fā)明人：薛旭，郭士超；專利號(hào)：ZL201410183524.9）。他們針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種根據(jù)需要可方便拓展為多層級(jí)結(jié)構(gòu)的基座，并可將導(dǎo)線分層布設(shè)于基座中，可解決走線困難的問題。此外，他們還提供了一種低封裝應(yīng)力和氣密性較好的封裝結(jié)構(gòu)，采取低溫平行縫焊的低溫度封裝技術(shù)。MEMS與基座的粘接工藝與材料匹配以及溫度傳感器和MCU處理器有效布置，從材料應(yīng)力、算法補(bǔ)償、實(shí)時(shí)溫度校準(zhǔn)等多方面解決了MEMS慣性傳感器尤其是MEMS加速度傳感器的溫度系數(shù)大、溫度滯回大等難題，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。

　　該發(fā)明從偏置穩(wěn)定性、溫度特性以及工程化等幾個(gè)方面解決了一系列MEMS難題，相關(guān)技術(shù)已經(jīng)在課題組的樣機(jī)和產(chǎn)品上進(jìn)行了小批量試制，取得了較好的效果，初步達(dá)到了工程化及量產(chǎn)能力，具有一定的推廣應(yīng)用前景。