在一些應(yīng)用場(chǎng)合要求使用的電機(jī)體積小、效率高、轉(zhuǎn)速高,微型永磁無刷直流電機(jī)能夠較好地滿足要求。因?yàn)殡姍C(jī)體積較小,安裝位置傳感器困難,所以微型無刷直流電機(jī)的無位置傳感器控制就顯得尤為必要。 無刷直流電機(jī)的無位置傳感器控制的難點(diǎn)在于轉(zhuǎn)子位置信號(hào)的檢測(cè),目前國內(nèi)外研究人員提出了諸多方法,其中反電動(dòng)勢(shì)法最為簡單、可靠,應(yīng)用范圍最廣泛。普遍采用的控制方案為基于DSP的控制和基于專用集成電路的控制等,但是其價(jià)格高、體積大,不利于用在微型電機(jī)控制器中。本文介紹基于C8051F330單片機(jī)、檢測(cè)反電動(dòng)勢(shì)法的無位置傳感器無刷直流電機(jī)的控制器,系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單,體積超小型,價(jià)格低廉,運(yùn)行性能良好。 1 無傳感器無刷直流電機(jī)的控制方式 實(shí)現(xiàn)無刷直流電機(jī)電子換相及PWM控制的逆變器主電路如圖1a所示。采用兩兩通電方式,即每一個(gè)瞬間有兩個(gè)功率管導(dǎo)通,每隔60°電角度換相1次,每一功率管導(dǎo)通120°電角度。功率管的導(dǎo)通順序是:V6V1→V1V2→V2V3→V3V4→V4V5→V5V6。 在方波無刷直流電機(jī)中,定子繞組的反電動(dòng)勢(shì)波形(即氣隙磁通波形)為正負(fù)對(duì)稱的梯形波,如圖1b所示。從圖中可以看出當(dāng)檢測(cè)到不通電相繞組的反電動(dòng)勢(shì)為零時(shí),以此作為起點(diǎn)滯后30°電角度,即為最佳換相時(shí)刻。因此只要測(cè)出各相反電動(dòng)勢(shì)的過零點(diǎn)就可獲得三相電機(jī)所需的6個(gè)關(guān)鍵位置信號(hào),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)定子繞組的正確換流。電動(dòng)機(jī)繞組中性點(diǎn)0一般未引出,直接測(cè)定繞組反電動(dòng)勢(shì)相值比較困難,而便于測(cè)量的是三相定子繞組對(duì)地的端電壓。端電壓過中點(diǎn)(直流電源電壓的一半)與反電動(dòng)勢(shì)過零點(diǎn)在時(shí)間上是重合的,所以尋找反電動(dòng)勢(shì)的過零點(diǎn)后30°電角度即相當(dāng)于尋找端電壓的過中點(diǎn)后30°電角度。 2 控制系統(tǒng)設(shè)計(jì) 2.1 硬件電路設(shè)計(jì) 系統(tǒng)的硬件電路圖如圖2所示,以C8051F330單片機(jī)、逆變橋電路、端電壓檢測(cè)電路、穩(wěn)壓電路等組成。本電路設(shè)計(jì)得非常簡潔,各種元器件都使用小型的貼片封裝,非常適合對(duì)成本和體積都比較敏感的微型電機(jī)控制器。 逆變橋電路中上橋臂為P型MOSFET器件FDS6679,下橋臂為N型MOSFET器件M4410B,均為低電壓驅(qū)動(dòng)器件。FDS66 79通過一個(gè)NPN型三極管驅(qū)動(dòng),而M441 0B由C8051F330的P1口直接驅(qū)動(dòng)(P1口設(shè)置成推挽輸出)。PWM控制模式定為:PWM僅應(yīng)用于半橋的下端MOSFET,同時(shí)換流的上端(對(duì)角線)MOSFET僅起換相通斷控制。 電源電壓和電流的檢測(cè):當(dāng)UV相通電,在PWM開通期間檢測(cè)U相的端電壓Uu,由于MOSFET的通態(tài)電壓很小(小于0.1V),端電壓uu可以近似看作是電源電壓UD;在下橋臂源極和電源地之間串接采樣電阻,通過P0.4口檢測(cè)電阻電壓得到電流值,輸入信號(hào)先經(jīng)過內(nèi)部可編程增益放大器放大,再作A/D轉(zhuǎn)換。 2.2 軟件設(shè)計(jì) 軟件主要有初始化程序、電機(jī)起動(dòng)程序、端電壓檢測(cè)及換相程序、電壓和電流保護(hù)程序、運(yùn)行控制程序等組成。共有四個(gè)中斷:PWM中斷、ADC 中斷、T1中斷、T2中斷。其中T2中斷實(shí)現(xiàn)電機(jī)起動(dòng)程序,PWM中斷在PWM開通期間啟動(dòng)ADC中斷,在ADC中斷中進(jìn)行端電壓檢測(cè),當(dāng)檢測(cè)到反電動(dòng)勢(shì)過零點(diǎn)時(shí)啟動(dòng)T1中斷完成換相。 2.2.1G8051 F330的初始化 由于C8051F330單片機(jī)與8051單片機(jī)在內(nèi)部資源上有差異,所以它們的初始化有所不同。主要有兩點(diǎn)不同:對(duì)外引腳的交叉開關(guān)的配置;對(duì)系統(tǒng)時(shí)鐘源的配置??紤]到用戶自己寫初始化程序很繁瑣,Silicon Labs公司推出了C8051F單片機(jī)初始化代碼生成程序軟件Config2Version 1.30。用戶只要在圖形化的界面上用鼠標(biāo)點(diǎn)擊選擇,就可以方便地生成C8051F330的初始化程序。大大加快了用戶的開發(fā)速度。 2.2.2 PWM波輸出控制 C8051F330的可編程計(jì)數(shù)器陣列(PCA)由一個(gè)專用的16位計(jì)數(shù)器/定時(shí)器和3個(gè)16位捕捉/比較模塊組成,恰好可以實(shí)現(xiàn)3路8位PWM或16位PWM功能。PCA的16位計(jì)數(shù)器/定時(shí)器的高字節(jié)PCAOH和低字節(jié)PCAOL決定PWM波的頻率,通過改變捕捉/比較模塊的高字節(jié)PCAOCPHn和低字節(jié)PCAOCPLn就可以改變PWM波的占空比。 2.2.3 端電壓檢測(cè)及換相 反電動(dòng)勢(shì)換相信號(hào)檢測(cè):在PWM開通期間啟動(dòng)ADC,檢測(cè)處于不通電相繞組的端電壓,其值等于電源電壓的一半時(shí)為反電動(dòng)勢(shì)過零點(diǎn)信號(hào)。要考慮:a.ADC檢測(cè)時(shí)刻應(yīng)與PWM同步,并選擇PWM開通時(shí)間的中點(diǎn)為佳,以避開開關(guān)狀態(tài)的瞬態(tài)電壓噪聲。b.在軟件中應(yīng)舍棄換相后的最初幾個(gè)反電動(dòng)勢(shì)采樣點(diǎn),因?yàn)閾Q相后繞組電流不會(huì)立即為零,要經(jīng)過一個(gè)續(xù)流過程才下降為零。程序如圖4所示。使用定時(shí)器0記錄連續(xù)監(jiān)測(cè)到兩個(gè)端電壓過零點(diǎn)的時(shí)間,除以2即為30°電角度的時(shí)間,把此時(shí)間裝載到定時(shí)器1中,定時(shí)器1經(jīng)過30°電角度時(shí)間觸發(fā)中斷,調(diào)用換相子程序進(jìn)行電子換相。 3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及結(jié)論 實(shí)驗(yàn)樣機(jī)采用長沙方圓模型廠生產(chǎn)的無傳感器無刷直流電機(jī),型號(hào)為1208436,額定參數(shù)為,轉(zhuǎn)速:4100r/V,2對(duì)極,最大電流:4A,內(nèi)阻:0.59Ω,空載電流:0.3A。 當(dāng)電源電壓為10V、PWM占空比為20%、空載時(shí),端電壓波形圖如圖6所示。從圖中看出,換相時(shí)間為0.6ms左右,端電壓波形是較好的梯形波。根據(jù)電機(jī)額定參數(shù)計(jì)算換相時(shí)間為0.609ms(60°電角度),可見換相時(shí)間比較準(zhǔn)確。通過實(shí)驗(yàn)證明,采用上述控制技術(shù),電機(jī)系統(tǒng)起動(dòng)平穩(wěn),無振動(dòng)和失步現(xiàn)象,同時(shí)系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)簡單、小型化、低成本、運(yùn)行可靠、調(diào)速性能良好的優(yōu)點(diǎn)。 采用IR2103的驅(qū)動(dòng)電路如圖所示:H 橋控制器
在H橋的驅(qū)動(dòng)中, 除了考慮上管的升壓電路外, 還要考慮到在H橋同臂的上管和下管(如圖5 中的Q1 和Q3)不能同時(shí)導(dǎo)通。 如果上管和下管同時(shí)導(dǎo)通, 相當(dāng)于從電源到地短路, 可能會(huì)燒毀MOS 管或電源, 即使很短時(shí)間的短路現(xiàn)象也會(huì)造成MOS的發(fā)熱。 在功率控制中一般采用在兩次狀態(tài)轉(zhuǎn)變中插入"死區(qū)"的方法來防止瞬時(shí)的短路。在選擇H 橋控制器的時(shí)候最好滿足上述兩種邏輯條件, 又用足夠大的驅(qū)動(dòng)電流來驅(qū)動(dòng)NMOS。 本系統(tǒng)中采用IR2103 作為NMOS 控制器, IR2103 內(nèi)部集成升壓電路, 外部僅需要一個(gè)自舉電容和一個(gè)自舉二極管即可完成自舉升壓。 IR2103 內(nèi)部集成死區(qū)升成器, 可以在每次狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)插入"死區(qū)", 同時(shí)可以保證上、下兩管的狀態(tài)相反。 IR2103 和NMOS 組成的H 橋半橋電路如下圖6 所示: 圖6 IR2103 和NMOS 管構(gòu)成的H 橋半橋電路 圖中D2即為續(xù)流二極管, 續(xù)流二極管采用普通二極管即可, 但VS電壓恢復(fù)越快, 自舉電容過充現(xiàn)象越不明顯, 本系統(tǒng)采用1N4148 作為續(xù)流二極管。 由于驅(qū)動(dòng)器和MOSFET 柵極之間的引線、地回路的引線等所產(chǎn)生的電感, 以及IC 和FET 內(nèi)部的寄生電感,在開啟時(shí)會(huì)在MOSFET 柵極出現(xiàn)振鈴, 一方面增加MOSFET 的開關(guān)損耗, 同時(shí)EMC 方面不好控制。 在MOSFET 的柵極和驅(qū)動(dòng)IC 的輸出之間串聯(lián)一個(gè)電阻(如圖9 中B 所示)。 這個(gè)電阻稱 為"柵極電阻", 其作用是調(diào)節(jié)MOSFET 的開關(guān)速度, 減少柵極出現(xiàn)的振鈴現(xiàn)象, 減小EMI, 也可以對(duì)柵極電容充放電起限流作用。 該電阻的引入減慢了MOS 管的開關(guān)速度, 但卻能減少EMI, 使柵極穩(wěn)定。 圖9 消除振鈴電路。 MOS 管的關(guān)斷時(shí)間要比開啟時(shí)間慢(開啟充電, 關(guān)斷放電), 因此就要改變MOS 管的關(guān)斷速度, 可以在柵極電阻上反向并聯(lián)一個(gè)二極管(如圖9 中A 所示), 當(dāng)MOS 管關(guān)斷時(shí), 二極管導(dǎo)通, 將柵極電阻短路從而減少放電時(shí)間。 由于VS 端可能出現(xiàn)負(fù)電壓, 在VS 端串入一個(gè)合適的電阻, 可以在產(chǎn)生負(fù)電壓時(shí)起到限流作用, 針對(duì)負(fù)載電機(jī)為感性器件, 在H 橋的輸出端并一個(gè)小電容, 并在局部供電部分加一個(gè)去藕電容十分必要。 其電路如下圖所示: 圖10 限流去耦電路。 圖中C7 為局部去藕電容, 可以取100uF, C6 為輸出電容, 根據(jù)負(fù)載取值。 由于采用電容式自舉電路, 電容在工作的過程中會(huì)自行放電, 所以PWM波的占空比接近100%但不能達(dá)到100%. 但這不影響電機(jī)的正常工作, 因?yàn)殡姍C(jī)本身固有的特性, 電機(jī)有一個(gè)較小的飽和區(qū), 即或占空比增大, 其轉(zhuǎn)速也不會(huì)有明顯的變化。 因此上述電路完全滿足工作的需要。 3 硬件測(cè)試 為了對(duì)驅(qū)動(dòng)器性能進(jìn)行測(cè)試, 選用25D60-24V 的直流電機(jī)進(jìn)行閉環(huán)控制控制, 電機(jī)的額定功率為60W, 額定轉(zhuǎn)速為2800rpm, 額定電壓為24V, 額定電流為3.8A. 其電機(jī)的最高轉(zhuǎn)速可達(dá)2910rpm, 電機(jī)啟動(dòng)的最低轉(zhuǎn)速為44rpm, 堵轉(zhuǎn)時(shí)無明顯發(fā)熱現(xiàn)象。 為了測(cè)試電路工作的穩(wěn)定性, 連續(xù)三天電機(jī)工作8 小時(shí)以上, 電路的發(fā)熱較??;為了測(cè)試電路的抗沖擊, 抗干擾能力, 系統(tǒng)在開與關(guān)之間連續(xù)進(jìn)行多次切換, 電路工作沒有出現(xiàn)任何故障;另外系統(tǒng)在突然增加負(fù)載的情況下也能正常工作。 因此完全滿足驅(qū)動(dòng)的需要, 而且設(shè)計(jì)過程中, 為防止啟動(dòng)和制動(dòng)電流的驟然升高, 電路有較大的電流冗余, 電路中最高電流可以達(dá)到8A, 有效地保證了電路工作的穩(wěn)定性,并具有很強(qiáng)的抗干擾能力。 4 結(jié)論 本文設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種較大功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路, 從器件的選擇到系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn), 詳細(xì)分析和探討了電路設(shè)計(jì)過程中可能出現(xiàn)的各種問題, 并通過理論計(jì)算和工程實(shí)踐解決上述問題。 該電路魯棒性強(qiáng), 實(shí)用性廣, 尤其適合驅(qū)動(dòng)較大功率的直流電機(jī)。 |
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