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IGBT是絕緣柵型雙極性晶體管((Insulated Gate Bipolar Transistor)的簡(jiǎn)稱(chēng)。它是一種電壓控制型功率器件，需要的驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，導(dǎo)通壓降低，且具有較大的安全工作區(qū)和短路承受能力。在中功率以上的逆變器中逐漸取代了POWER MOSFET和POWERBJT成為功率開(kāi)關(guān)器件的重要一員。 由于IGBT是電壓控制型器件，開(kāi)通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定，當(dāng)在柵極和發(fā)射極加一大于開(kāi)啟電壓UGE(rh)的正電壓時(shí)，IGBT導(dǎo)通，當(dāng)柵極施加一負(fù)偏壓或者柵壓低于門(mén)限電壓時(shí)，IGBT就關(guān)斷。 典型的IGBT驅(qū)動(dòng)原理圖如圖所示。  其中： +UGE為正向開(kāi)通電壓； -UGE為關(guān)斷電壓。 當(dāng)UGE較小時(shí)，IGBT通態(tài)壓降會(huì)變大，IGBT就容易發(fā)熱，隨著UGE增大，通態(tài)壓降就降低，IGBT的通態(tài)損耗就降低。 當(dāng)UGE很大時(shí)，容易造成柵極的擊穿，并且還容易產(chǎn)生擎住效應(yīng)，無(wú)法關(guān)斷IGBT，損壞器件。 |
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