從PC100標(biāo)準(zhǔn)開始內(nèi)存條上帶有SPD芯片，SPD芯片是內(nèi)存條正面右側(cè)的一塊8管腳小芯片，里面保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。當(dāng)開機(jī)時(shí)，支持SPD功能的主板BIOS就會(huì)讀取SPD中的信息，按照讀取的值來設(shè)置內(nèi)存的存取時(shí)間。我們可以借助SiSoft Sandra2001（下載地址http://www./index.htm）這類工具軟件來查看SPD芯片中的信息，例如軟件中顯示的SDRAM PC133U-333-542就表示被測(cè)內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范。內(nèi)存技術(shù)規(guī)范統(tǒng)一的標(biāo)注格式，一般為PCx-xxx-xxx，但是不同的內(nèi)存規(guī)范，其格式也有所不同。

1、內(nèi)存的定義

    內(nèi)存指的就是主板上的存儲(chǔ)部件，是CPU直接與之溝通，并對(duì)其存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的部件。存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序，它的物理實(shí)質(zhì)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的集成電路。

2、內(nèi)存的分類

1）內(nèi)存類型分類
RAM  (Random Access Memory)
隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器

ROM (Read Only Memory)
只讀存儲(chǔ)器

SRAM (Static Random Access Memory)
靜態(tài)隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器

DRAM (Dynamic Random Access Memory) 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器

2）內(nèi)存芯片分類
FPM (Fast-Page Mode) DRAM
快速頁面模式的DRAM

EDO  (Extended Data Out) DRAM
即擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出DRAM 速度比FPM DRAM快15%~30%

BEDO (Burst EDO) DRAM
突發(fā)式EDO DRAM 性能提高40%左右

SDRAM (Synchronous DRAM) 
同步DRAM 與CPU的外部工作時(shí)鐘同步

RDRAM (Rambus DRAM ) 
DDR (Double Data Rate) DRAM

3）按內(nèi)存速度分
PC66
PC100
PC133
PC200
PC266

4）按內(nèi)存接口形式分

SIMM(Single-In Line Memory Module)
單邊接觸內(nèi)存條,分為30線和72線兩種。
DIMM(Dual In-Line Memory Module)
雙邊接觸內(nèi)存條，168線，184線，200線等，目前廣泛使用168線DIMM。
SODIMM Small Outline Dual In-line Memory Module
144線DIMM主要用于筆記本型電腦
RIMM

5）按是否有緩沖分

Unbuffered
Registered

6）按是否有校驗(yàn)分

Non-ECC
ECC

3、PC66/100 SDRAM內(nèi)存標(biāo)注格式 
（1）1.0---1.2版本 
　 這類版本內(nèi)存標(biāo)注格式為：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對(duì)CAS的延時(shí)），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2；d表示TRP（RAS的預(yù)充電時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2；e表示最大的tAC（相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間），一般為6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本號(hào)，所有的PC100內(nèi)存條上都有EEPROM，用來記錄此內(nèi)存條的相關(guān)信息，符合Intel PC100規(guī)范的為1。2版本以上；g代表修訂版本；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊(cè)，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過注冊(cè)。 
（2）1.2b+版本 
　　其格式為：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS縱列存取等待時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；c表示最少的Trcd（RAS相對(duì)CAS的延時(shí)），用時(shí)鐘周期數(shù)表示；d表示TRP（RAS的預(yù)充電時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示；ee代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本為1.2；g代表修訂版本，如2代表修訂版本為1.2；h代表模塊類型；R代表DIMM已注冊(cè)，256MB以上的內(nèi)存必須經(jīng)過注冊(cè)。 

4、PC133 SDRAM（版本為2.0）內(nèi)存標(biāo)注格式 
  　威盛和英特爾都提出了PC133 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，威盛力推的PC133規(guī)范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分規(guī)范，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD；英特爾的PC133規(guī)范要嚴(yán)格一些，是PC133 CAS=2，要求內(nèi)存芯片至少7.5ns，在133MHz時(shí)最好能達(dá)到CAS=2。 
　　PC133 SDRAM標(biāo)注格式為：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，單位MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊(cè)，U代表DIMM不含緩沖區(qū)；c表示最小的CL（即CAS的延遲時(shí)間），用時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2或3；d表示RAS相對(duì)CAS的延時(shí)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預(yù)充電時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；ff代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本為2.0。 

5、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內(nèi)存標(biāo)注格式
　　其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內(nèi)存帶寬，單位為MB/s；a*1/16=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如2100代表內(nèi)存帶寬為2100MB/s，對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為2100*1/16=133MHZ；b代表模塊類型(R代表DIMM已注冊(cè)，U代表DIMM不含緩沖區(qū)；cc表示CAS延遲時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如25代表CL=2.5；d表示RAS相對(duì)CAS的延時(shí)，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；e表示RAS預(yù)充電時(shí)間，用時(shí)鐘周期數(shù)表示；ff代表相對(duì)于時(shí)鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時(shí)間，表達(dá)時(shí)不帶小數(shù)點(diǎn)，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本為1.0。 

6、RDRAM 內(nèi)存標(biāo)注格式
　　其格式為：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示內(nèi)存容量；b代表內(nèi)存條上的內(nèi)存顆粒數(shù)量；c代表內(nèi)存支持ECC；d保留；e代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率，e*1/2=內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率，例如800代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率為800Mt/s，對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為800*1/2=400MHZ。 

7、各廠商內(nèi)存芯片編號(hào)
（1）HYUNDAI（現(xiàn)代） 
　　 現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號(hào)格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no
　　 其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品；5a表示芯片類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成（1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表內(nèi)核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。 
　　 例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh　cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個(gè)Bank，C是第4個(gè)版本的內(nèi)核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。 
　　 市面上HY常見的編號(hào)還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號(hào)的SDRAM上133MHz相當(dāng)困難；編號(hào)ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號(hào)BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩(wěn)定。一般來講，編號(hào)最后兩位是7K的代表該內(nèi)存外頻是PC100，75的是PC133的，但現(xiàn)代內(nèi)存目前尾號(hào)為75的早已停產(chǎn)，改換為T-H這樣的尾號(hào)，可市場(chǎng)上PC133的現(xiàn)代內(nèi)存尾號(hào)為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購買T-H尾號(hào)的PC133現(xiàn)代內(nèi)存。 

（2）LGS［LG Semicon］ 
　　 LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的內(nèi)存芯片也很常見。 
　　 LGS SDRAM內(nèi)存芯片編號(hào)格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi 
　　 其中GM代表LGS的產(chǎn)品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示數(shù)據(jù)位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個(gè)Bank，4=4個(gè)Bank）；f表示內(nèi)核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代表速度（7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或3］ ，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。 
　　 例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位輸出，4個(gè)Bank，7K速度即PC-100、CL=3。 
　　 LGS編號(hào)后綴中，7.5是PC133內(nèi)存；8是真正的8ns PC 100內(nèi)存，速度快于7K/7J；7K和7J屬于PC 100的SDRAM，兩者主要區(qū)別是第三個(gè)反應(yīng)速度的參數(shù)上，7K比7J的要快，上133MHz時(shí)7K比7J更穩(wěn)定；10K屬于非PC100規(guī)格的，速度極慢，由于與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來賣。 

（3）Kingmax(勝創(chuàng)) 
　　 Kingmax的內(nèi)存采用先進(jìn)的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內(nèi)存都采用TSOP封裝。采用TinyBGA封裝的內(nèi)存，其大小是TSOP封裝內(nèi)存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩(wěn)定性，不過Kingmax內(nèi)存與主板芯片組的兼容性不太好，例如Kingmax PC150內(nèi)存在某些KT133主板上竟然無法開機(jī)。 
　　 Kingmax SDRAM內(nèi)存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內(nèi)存(下圖)實(shí)際上是能上150外頻且能穩(wěn)定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內(nèi)存條，該類型內(nèi)存的REV1.2版本主要解決了與VIA 694X芯片組主板兼容問題，因此要好于REV1.1版本。購買Kingmax內(nèi)存時(shí)，你要注意別買了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100內(nèi)存打磨成7ns的PC133或PC150內(nèi)存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等軟件測(cè)試一下內(nèi)存的速度，注意觀察內(nèi)存上字跡是否清晰，是否有規(guī)則的刮痕，芯片表面是否發(fā)白等，看看芯片上的編號(hào)。 
　　 KINGMAX PC150內(nèi)存采用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會(huì)比一般的PC133內(nèi)存來的快；Kingmax的PC133內(nèi)存芯片是-7的，例如編號(hào)KSV884T4A1A-07；而PC100內(nèi)存芯片有兩種情況：部分是-8的（例如編號(hào)KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號(hào)KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133與PC100的區(qū)別在于：PC100的內(nèi)存有相當(dāng)一部分可以超頻到133，但不是全部；而PC133的內(nèi)存卻可以保證100%穩(wěn)定工作在PC133外頻下（CL=2）。 

（4）Geil(金邦、原樵風(fēng)金條) 
　　 金邦金條分為"金、紅、綠、銀、藍(lán)"五種內(nèi)存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對(duì)應(yīng)不同的主板。其中紅色金條是PC133內(nèi)存；金色金條Ｐ針對(duì)PC133服務(wù)器系統(tǒng)，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內(nèi)存；藍(lán)A色金條針對(duì)AMD750/760 K7系主板，面向超頻玩家；藍(lán)V色金條針對(duì)KX133主板；藍(lán)T色金條針對(duì)KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內(nèi)存。 
　　 金邦內(nèi)存芯片編號(hào)例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 
　　 其中GL2000代表芯片類型（GL2000=千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的產(chǎn)品；6代表產(chǎn)品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是設(shè)備號(hào)碼（深度*寬度，內(nèi)存芯片容量 = 內(nèi)存基粒容量 * 基粒數(shù)目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 內(nèi)存基粒容量；8 = 基粒數(shù)目；M = 容量單位，無字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取時(shí)間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內(nèi)部標(biāo)識(shí)號(hào)。以上編號(hào)表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工藝，7ns、143MHz速度。 

（5）SEC（Samsung Electronics，三星） 
　　 三星EDO DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416C254D表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（1=x1[以1的倍數(shù)為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內(nèi)存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內(nèi)存。 
　　 三星SDRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內(nèi)存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內(nèi)存排數(shù)（2=2排、3=4排）；0代表內(nèi)存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應(yīng)（G=自動(dòng)刷新、F=低電壓自動(dòng)刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值為2、L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計(jì)算一下，方法是用"S"后的數(shù)字乘S前的數(shù)字，得到的結(jié)果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為8K，內(nèi)存Banks為3，內(nèi)存接口LVTTL，第2代內(nèi)存，自動(dòng)刷新，速度是10ns(100 MHz)。 
　　 三星PC133標(biāo)準(zhǔn)SDRAM內(nèi)存芯片格式如下： 
　　 Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA 
　　Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 
　　 三星DDR同步DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416H4030T表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內(nèi)存芯片組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內(nèi)存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內(nèi)存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示內(nèi)存排數(shù)（3=4排、4=8排）；0代表接口電壓（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66針TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內(nèi)存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新時(shí)間0 = 64m/4K (15.6μs)，內(nèi)存芯片排數(shù)為4排（兩面各兩排），接口電壓LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP II，速度133MHZ。 
　　三星RAMBUS DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM418RD8C表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內(nèi)存芯片組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示產(chǎn)品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內(nèi)存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉(zhuǎn)CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。 

（6）Micron（美光）
　　 Micron公司是世界上知名內(nèi)存生產(chǎn)商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內(nèi)存條），其SDRAM芯片編號(hào)格式為：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j 
　　 其中MT代表Micron的產(chǎn)品；48代表產(chǎn)品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef設(shè)備號(hào)碼（深度*寬度），無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數(shù)據(jù)位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery［Twr］(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPII封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四類： 
（A）、DRAM 
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns 
SDRAM，x32 DDR SDRAM（時(shí)鐘率 @ CL3） 
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz 
DDR SDRAM（x4，x8，x16）時(shí)鐘率 @ CL=2.5 
-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz 
（B）、Rambus（時(shí)鐘率） 
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns 
+的含義 
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） 
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） 
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） 
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） 
（C）、DDR SDRAM 
-8支持PC200（CL2） 
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5） 
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz 

（7）其它內(nèi)存芯片編號(hào) 
　　 NEC的內(nèi)存芯片編號(hào)例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的產(chǎn)品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數(shù)據(jù)位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時(shí)，使用兩位）；4代表Bank數(shù)（3或4代表4個(gè)Bank，在16位和32位時(shí)代表2個(gè)Bank；2代表2個(gè)Bank）；1代表LVTTL（如為16位和32位的芯片，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個(gè)Bank和LVTTL，3代表4個(gè)Bank和LVTTL）；G5為TSOPII封裝；-A80代表速度：在CL=3時(shí)可工作在125MHZ下，在100MHZ時(shí)CL可設(shè)為2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns［PC100 CL 3］，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規(guī)范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。 
　　 HITACHI的內(nèi)存芯片編號(hào)例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的產(chǎn)品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數(shù)據(jù)位寬（40、80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個(gè)版本的內(nèi)核（現(xiàn)在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOII封裝；B60代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，A60=10ns［PC-100 CL2或3］，B60=10ns［PC-100 CL3］即100MHZ時(shí)CL是3）。 
　　 SIEMENS（西門子）內(nèi)存芯片編號(hào)格式為：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz［CL3］，10=100MHz［PC66規(guī)格］）。 
　　 TOSHIBA的內(nèi)存芯片編號(hào)例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產(chǎn)品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數(shù)據(jù)位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內(nèi)核的版本；FT為TSOPII封裝（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3］）。 
　　IBM的內(nèi)存芯片編號(hào)例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產(chǎn)品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數(shù)據(jù)位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內(nèi)核的版本；10代表速度（68=6.8ns［147MHz］，75A=7.5NS［133MHz］，　260或222=10ns［PC100 CL2或3］，360或322=10ns［PC100 CL3］，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3時(shí)的標(biāo)定速度為：135MHZ，10=10NS［100MHz］。