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關(guān)于從NAND Flash啟動的問題

 失樂園77 2011-06-09
用的是S3C2410.見附件start.s 其中關(guān)于nand flash啟動的那一段一直百思不得其解,按說從NAND FLASH啟動時(shí),應(yīng)該是前4KB映射到NGCS0,其中的代碼將NAND中存放的程序拷貝到RAM中,但該文件提供的程序好象是先從NAND拷貝 128K的代碼到ResetEntry開始的地方,即地址為0的地方,然后再從ResetEntry處拷到RAM中,但此時(shí)NGCS0好象只有4KB的 RAM區(qū),怎么能存儲128K的代碼,一直沒想通.望高手指點(diǎn),謝謝!

搞明白了,是兩條指令的差別

LDR r0,=_entry和ADR r0,_entry

前者是在編譯的時(shí)候按照load address生成的絕對地址,后者反匯編后是相對當(dāng)前PC尋址,例如在ADS中設(shè)置RO地址為0X30000000,那么前者傳給r0的值是 0x30000000,而后者傳給r0的值要視當(dāng)前PC而定,一般從NGCS0中啟動時(shí),傳給r0的值就是0。


amsung S3C2410支持Nor Flash和Nand Flash啟動,在SBC-2410X上可以通過BOOTSEL跳線設(shè)置啟動方式:
    |------|
    | 。。 |      boot from nand flash
    |------|

--
----。。        boot from nor flash

注:
(1) BOOTSEL跳線在"串口"和"usb slave接口"之間

(2) 兩個(gè)引腳用"跳線卡"連接,則表示從nand flash啟動。拔下"跳線卡"表示從nor flash啟動。


椐了解 NOR FLASH 是容量小,速度快,穩(wěn)定性好,適合做程序存儲器。

NAND FLASH 總?cè)萘看?,適合做數(shù)據(jù)存儲器
是不能從NAND FLASH啟動的,NAND FLASH是的讀寫時(shí)序是不能直接有ARM硬件產(chǎn)生的,要讀寫NAND FLASH是要通過程序來實(shí)現(xiàn)的,很明顯能看出來的就是NAND FLASH只有8個(gè)數(shù)據(jù)、地址復(fù)用的數(shù)據(jù)地址接口
2410/2440可以直接從NAND FLASH啟動的,因?yàn)樗袾AND前面的4K映射到了RAM的空間

首先應(yīng)該先了解Flash ROM的種類

NOR FLASH地址線和數(shù)據(jù)線分開,來了地址和控制信號,數(shù)據(jù)就出來。

NAND Flash地址線和數(shù)據(jù)線在一起,需要用程序來控制,才能出數(shù)據(jù)。

通俗的說,就是光給地址不行,要先命令,再給地址,才能讀到NAND的數(shù)據(jù)。

而且都是在一個(gè)總線完成的。

結(jié)論是:ARM無法從NAND直接啟動。除非裝載完程序,才能使用NAND Flash.

裝載程序只能從mask rom 或者Nor flash.

NAND和NOR flash技術(shù) 設(shè)計(jì)師在使用閃存時(shí)需要慎重選擇

——M-Systems公司 Arie TAL

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR 和NAND閃存。相“flash存儲器”經(jīng)??梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處,因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼,這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。 NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。 NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲密度,并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。性能比較 flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的,而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。由于擦除NOR器件時(shí)是以64~128KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s,與此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距,統(tǒng)計(jì)表明,對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時(shí)),更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣,當(dāng)選擇存儲解決方案時(shí),設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。

● NOR的讀速度比NAND稍快一些。

● NAND的寫入速度比NOR快很多。

● NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。

● 大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。

● NAND的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。

接口差別 NOR flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。

NAND 器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù),各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。 NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊,這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作,很自然地,基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。 容量和成本 NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產(chǎn)過程更為簡單,NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。 NOR flash占據(jù)了容量為1~16MB閃存市場的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的產(chǎn)品當(dāng)中,這也說明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲介質(zhì)中,NAND適合于數(shù)據(jù)存儲,NAND在CompactFlash、 Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所占份額最大。 可靠性和耐用性采用flahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問題是可靠性。對于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來說,F(xiàn)lash是非常合適的存儲方案??梢詮膲勖?耐用性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來比較NOR和NAND的可靠性。 壽命(耐用性) 在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次,而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢,典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍,每個(gè)NAND存儲器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。 位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個(gè)比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問題,多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了,就必須采用錯(cuò)誤探測/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用 NAND閃存的時(shí)候,同時(shí)使用EDC/ECC算法。這個(gè)問題對于用NAND存儲多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí),必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確??煽啃?。 壞塊處理 NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價(jià)太高,根本不劃算。 NAND器件需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,將導(dǎo)致高故障率。易于使用 可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。由于需要I/O接口,NAND要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。

在使用NAND器件時(shí),必須先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當(dāng)?shù)募记桑驗(yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫入,這就意味著在 NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。 軟件支持當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候,應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優(yōu)化。在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持,在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí),通常需要驅(qū)動程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動程序(MTD),NAND和NOR 器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時(shí)都需要MTD。使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對少一些,許多廠商都提供用于NOR器件的更高級軟件,這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動,該驅(qū)動被 Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。 驅(qū)動還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。



三星的2410可以從NF啟動程序,它會把第一塊的前4KB復(fù)制到內(nèi)部SRAM中然后從SRAM執(zhí)行,也就是說,你需要編寫一個(gè)長度小于4K的引導(dǎo)程序,作用是將主程序拷貝到SDRAM中運(yùn)行(NF地址不是線性的,程序不能直接運(yùn)行,必須拷貝到線性RAM中)

從Nand Flash啟動U-BOOT的基本原理
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前4K的問題
    如果S3C2410被配置成從Nand Flash啟動(配置由硬件工程師在電路板設(shè)置), S3C2410的Nand Flash控制器有一個(gè)特殊的功能,在S3C2410上電后,Nand Flash控制器會自動的把Nand Flash上的前4K數(shù)據(jù)搬移到4K內(nèi)部RAM中,并把0x00000000設(shè)置內(nèi)部RAM的起始地址,CPU從內(nèi)部RAM的0x00000000位置開始啟動。這個(gè)過程不需要程序干涉。
    程序員需要完成的工作,是把最核心的啟動程序放在Nand Flash的前4K中。
啟動程序的安排
    由于Nand Flash控制器從Nand Flash中搬移到內(nèi)部RAM的代碼是有限的,所以在啟動代碼的前4K里,我們必須完成S3C2410的核心配置以及把啟動代碼(U-BOOT)剩余部分搬到RAM中運(yùn)行。


    u-boot源碼不支持從nand flash啟動,可是s3c2410支持從nand flash啟動,開發(fā)板(sbc-2410x)加電后s3c2410將nand flash的前4k(保存有u-boot的部分功能--拷貝功能--把nand flash中的內(nèi)容拷貝到SDRAM)拷貝到sram(s3c2410芯片內(nèi)的sram)。這就需要修改u-boot源碼,增加u-boot的功能: 使u-boot在得到執(zhí)行權(quán)后能夠?qū)⑵渥陨砜截惖介_發(fā)板上SDRAM中,以便處理器能夠執(zhí)行u-boot

.Nand Flash的命令、地址、數(shù)據(jù)都通過I/O口發(fā)送,管腳復(fù)用,這樣做做的好處是,可以明顯減少NAND FLASH的管腳數(shù)目,將來如果設(shè)計(jì)者想將NAND FLASH更換為更高密度、更大容量的,也不必改動電路板。

 NAND FLASH不能夠執(zhí)行程序,本人總結(jié)其原因如下 :

1. NAND FLASH本身是連接到了控制器上而不是系統(tǒng)總線上。CPU啟動后是要取指令執(zhí)行的,如果是SROM、NOR FLASH 等之類的,CPU 發(fā)個(gè)地址就可以取得指令并執(zhí)行,NAND FLASH不行,因?yàn)镹AND FLASH 是管腳復(fù)用,它有自己的一套時(shí)序,這樣CPU無法取得可以執(zhí)行的代碼,也就不能初始化系統(tǒng)了。

 2. NAND FLASH是順序存取設(shè)備,不能夠被隨機(jī)訪問,程序就不能夠分支或跳轉(zhuǎn),這樣你如何去設(shè)計(jì)程序。


U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構(gòu)的處理器,也支持Linux、NetBSD和VxWorks等多種操作系統(tǒng),主要用來開發(fā)嵌入式系統(tǒng)初始化代碼 bootloader。bootloader是芯片復(fù)位后進(jìn)入操作系統(tǒng)之前執(zhí)行的一段代碼,完成由硬件啟動到操作系統(tǒng)啟動的過渡,為運(yùn)行操作系統(tǒng)提供基本的運(yùn)行環(huán)境,如初始化CPU、堆棧、初始化存儲器系統(tǒng)等,其功能類似于PC機(jī)的BIOS.



NAND閃存工作原理

       S3C2410開發(fā)板的NAND閃存由NAND閃存控制器(集成在S3C2410 CPU中)和NAND閃存芯片(K9F1208U0A)兩大部分組成。當(dāng)要訪問NAND閃存芯片中的數(shù)據(jù)時(shí),必須通過NAND閃存控制器發(fā)送命令才能完成。所以, NAND閃存相當(dāng)于S3C2410的一個(gè)外設(shè),而不位于它的內(nèi)存地址區(qū)。

       NAND閃存(K9F1208U0A)的數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu)分層為:1設(shè)備(Device) = 4096 塊(Block);1塊= 32頁/行(Page/row);1頁= 528B = 數(shù)據(jù)塊 (512B) + OOB塊 (16B)
在每一頁中,最后16個(gè)字節(jié)(又稱OOB)在NAND閃存命令執(zhí)行完畢后設(shè)置狀態(tài),剩余512個(gè)字節(jié)又分為前半部分和后半部分。可以通過NAND閃存命令00h/01h/50h分別對前半部、后半部、OOB進(jìn)行定位,通過NAND閃存內(nèi)置的指針指向各自的首地址。
NAND閃存的操作特點(diǎn)為:擦除操作的最小單位是塊;NAND閃存芯片每一位只能從1變?yōu)?,而不能從0變?yōu)?,所以在對其進(jìn)行寫入操作之前一定要將相應(yīng)塊擦除;OOB部分的第6字節(jié)為壞快標(biāo)志,即如果不是壞塊該值為FF,否則為壞塊;除OOB第6字節(jié)外,通常用OOB的前3個(gè)字節(jié)存放NAND閃存的硬件 ECC(校驗(yàn)寄存器)碼;
   
從NAND閃存啟動U-BOOT的設(shè)計(jì)思路

       如果S3C2410被配置成從NAND閃存啟動,上電后,S3C2410的NAND閃存控制器會自動把NAND閃存中的前4K數(shù)據(jù)搬移到內(nèi)部RAM中, 并把0x00000000設(shè)置為內(nèi)部RAM的起始地址, CPU從內(nèi)部RAM的0x00000000位置開始啟動。因此要把最核心的啟動程序放在NAND閃存的前4K中。

       由于NAND閃存控制器從NAND閃存中搬移到內(nèi)部RAM的代碼是有限的,所以, 在啟動代碼的前4K里,必須完成S3C2410的核心配置,并把啟動代碼的剩余部分搬到RAM中運(yùn)行。在U-BOOT中, 前4K完成的主要工作就是U-BOOT啟動的第一個(gè)階段(stage1)。
根據(jù)U-BOOT的執(zhí)行流程圖,可知要實(shí)現(xiàn)從NAND閃存中啟動U-BOOT,首先需要初始化NAND閃存,并從NAND閃存中把U-BOOT搬移到RAM中,最后需要讓U-BOOT支持NAND閃存的命令操作。
  
開發(fā)環(huán)境

       本設(shè)計(jì)中目標(biāo)板硬件環(huán)境如下:CPU為S3C2410,SDRAM為HY57V561620,NAND閃存為64MB的K9F1208U0A。

       主機(jī)軟件環(huán)境為Redhat9.0、 u-boot-1.1.3、gcc 2.95.3。修改U-BOOT的Makefile,加入:
wch2410_config : unconfig
@./mkconfig $(@:_config=) arm arm920t wch2410 NULL s3c24x0

       即將開發(fā)板起名為wch2410,接下來依次進(jìn)行如下操作:
mkdir board/wch2410
cp board/smdk2410 board/wch2410
mv smdk2410.c wch2410.c
cp include/configs/smdk2410.h include/configs/wch2410.h
export PATH=/usr/local/arm/2.95.3/bin:$PATH

       最后執(zhí)行:
make wch2410_config
make all ARCH=arm
生成u-boot.bin,即通過了測試編譯。

具體設(shè)計(jì)

支持NAND閃存的啟動程序設(shè)計(jì)
       因?yàn)閁-BOOT的入口程序是/cpu/arm920t/start.S,故需在該程序中添加NAND閃存的復(fù)位程序,以及實(shí)現(xiàn)從NAND閃存中把U-BOOT搬移到RAM中的功能程序。

       首先在/include/configs/wch2410.h中加入CONFIG_S3C2410_NAND_BOOT, 如下:
#define CONFIG_S3C2410_NAND_BOOT 1      @支持從NAND 閃存中啟動
然后在/cpu/arm920t/start.S中添加
#ifdef CONFIG_S3C2410_NAND_BOOT
copy_myself:
mov r10, lr
ldr sp, DW_STACK_START         @安裝棧的起始地址
mov fp, #0                     @初始化幀指針寄存器
bl nand_reset                  @跳到復(fù)位C函數(shù)去執(zhí)行,執(zhí)行NAND閃存復(fù)位
.......
/*從NAND閃存中把U-BOOT拷貝到RAM*/
ldr r0, =UBOOT_RAM_BASE        @ 設(shè)置第1個(gè)參數(shù): UBOOT在RAM中的起始地址
mov r1, #0x0                   @ 設(shè)置第2個(gè)參數(shù):NAND閃存的起始地址
mov r2, #0x20000               @ 設(shè)置第3個(gè)參數(shù): U-BOOT的長度(128KB)
bl nand_read_whole             @ 調(diào)用nand_read_whole(),把NAND閃存中的數(shù)據(jù)讀入到RAM中
tst r0, #0x0                   @ 如果函數(shù)的返回值為0,表示執(zhí)行成功
beq ok_nand_read                @ 執(zhí)行內(nèi)存比較,把RAM中的前4K內(nèi)容與NAND閃存中的前4K內(nèi)容進(jìn)行比較, 如果完全相同, 則表示搬移成功

       其中,nand_reset (),nand_read_whole()被加在/board/wch2410/wch2410.c中。

支持U-BOOT命令設(shè)計(jì)
       在U-BOOT下對nand閃存的支持主要是在命令行下實(shí)現(xiàn)對nand閃存的操作。對nand閃存實(shí)現(xiàn)的命令為:nand info(打印nand Flash信息)、nand device(顯示某個(gè)nand閃存設(shè)備)、nand read(讀取nand閃存)、nand write(寫nand閃存)、nand erease(擦除nand閃存)、nand bad(顯示壞塊)等。

       用到的主要數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)有:struct nand_flash_dev、struct nand_chip。前者包括主要的芯片型號、存儲容量、設(shè)備ID、I/O總線寬度等信息;后者是具體對NAND閃存進(jìn)行操作時(shí)用到的信息。

a. 設(shè)置配置選項(xiàng)
       修改/include/configs/wch2410.h,主要是在CONFIG_COMMANDS中打開CFG_CMD_NAND選項(xiàng)。定義NAND閃存控制器在SFR區(qū)中的起始寄存器地址、頁面大小,定義NAND閃存命令層的底層接口函數(shù)等。

b. 加入NAND閃存芯片型號
       在/include/linux/mtd/ nand_ids.h中對如下結(jié)構(gòu)體賦值進(jìn)行修改:
static struct nand_flash_dev nand_flash_ids[] = {
......
{"Samsung K9F1208U0A", NAND_MFR_SAMSUNG, 0x76, 26, 0, 3, 0x4000, 0},
.......
                                                 }
這樣對于該款NAND閃存芯片的操作才能正確執(zhí)行。
c. 編寫NAND閃存初始化函數(shù)
在/board/wch2410/wch2410.c中加入nand_init()函數(shù)。
void nand_init(void)
{
/* 初始化NAND閃存控制器, 以及NAND閃存芯片 */
nand_reset();
/* 調(diào)用nand_probe()來檢測芯片類型 */
printf ("%4lu MB\n", nand_probe(CFG_NAND_BASE) >> 20);
}

該函數(shù)在啟動時(shí)被start_armboot()調(diào)用。
    
       最后重新編譯U-BOOT并將生成的u-boot.bin燒入NAND閃存中,目標(biāo)板上電后從串口輸出如下信息:
U-Boot 1.1.3 (Nov 14 2006 - 11:29:50)
U-Boot code: 33F80000 -> 33F9C9E4     BSS: -> 33FA0B28
RAM Configuration:
Bank #0: 30000000 64 MB
## Unknown Flash on Bank 0: ID 0xffff, Size = 0x00000000 = 0 MB
Flash:     0 kB
NAND:     64 MB
In:       serial
Out:      serial
Err:      serial
Hit any key to stop autoboot:     0
wch2410 #

結(jié)語

       以往將U-BOOT移植到ARM9平臺中的解決方案主要針對的是ARM9中的NOR閃存,因?yàn)镹OR閃存的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)致使應(yīng)用程序可以直接在其內(nèi)部運(yùn)行,不用把代碼讀到RAM中,移植過程相對簡單。從NAND閃存中啟動U-BOOT的設(shè)計(jì)難點(diǎn)在于NAND閃存需要把U-BOOT的代碼搬移到RAM中,并要讓 U-BOOT支持NAND閃存的命令操作。本文介紹了實(shí)現(xiàn)這一設(shè)計(jì)的思路及具體程序。移植后,U-BOOT在嵌入式系統(tǒng)中運(yùn)行良好。

參考文獻(xiàn)

1 杜春雷 . ARM 體系結(jié)構(gòu)與編程 [M]. 北京 : 清華大學(xué)出版社, 2003
2 S3C2410 User's Mannual[Z].Samsung


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