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雪崩擊穿:
材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中,當PN結(jié)反向電壓增加時,空間電荷區(qū)中的電場隨著增強.這樣通過空間電荷區(qū)的電子和空穴就會在電場作用下獲得能量增大,在晶 體中運行的中子和空穴將不斷的與晶體原子發(fā)生碰撞,通過這樣的碰撞可使束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來,產(chǎn)生自由電子-空穴對.新產(chǎn)生的載流子在電場作用 下再去碰撞其他中性原子,又產(chǎn)生的自由電子空穴對.如此連鎖反應(yīng)使得阻擋層中的載流子的數(shù)量急劇增加,因而流過PN結(jié)的反向電流就急劇增大.因增長速度極 快,象雪崩一樣,所以這種碰撞電離稱為雪崩擊穿. 齊納擊穿: 當PN結(jié)兩邊的摻雜濃度很高時，阻擋層將變很薄，在這種阻擋層中，載流子與中性原子相碰撞的機會極小，因而不容易發(fā)生碰撞。顯然，場致激發(fā)能夠產(chǎn)出大量的載流子，使PN結(jié)的反向電流劇增，呈現(xiàn)反向擊穿現(xiàn)象，這種擊穿稱為齊納擊穿。 區(qū)別: 雪崩擊穿,它是一種破壞性的電子現(xiàn)象.而齊納擊穿是一種暫時性的可恢復(fù)的電子現(xiàn)象.齊納擊穿一般發(fā)生在低反壓、高摻雜的情況下。 雪崩擊穿是PN結(jié)反向電壓增大到一數(shù)值時，載流子倍增就像雪崩一樣，增加得多而快。 齊納擊穿完全不同，在高的反向電壓下，PN結(jié)中存在強電場，它能夠直接破壞！ 兩者的區(qū)別對于穩(wěn)壓管來說，主要是： 電壓低于5－6V的穩(wěn)壓管，齊納擊穿為主，穩(wěn)壓值的溫度系數(shù)為負。 電壓高于5－6V的穩(wěn)壓管，雪崩擊穿為主，穩(wěn)壓管的溫度系數(shù)為正。 |
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