基本介紹 混合集成電路是將一個(gè)電路中所有元件的功能部分集中在一個(gè)基片上,能基本上消除電子元件中的輔助部分和各元件間的裝配空隙和焊點(diǎn),因而能提高電子設(shè)備的裝配密度和可靠性。由于這個(gè)結(jié)構(gòu)特點(diǎn),混合集成電路可當(dāng)作分布參數(shù)網(wǎng)絡(luò),具有分立元件網(wǎng)路難以達(dá)到的電性能?;旌霞呻娐返牧硪粋€(gè)特點(diǎn),是改變導(dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)三種膜的序列、厚度、面積、形狀和性質(zhì)以及它們的引出位置得到具有不同性能的無(wú)源網(wǎng)路。 制造混合集成電路常用的成膜技術(shù)有兩種:網(wǎng)印燒結(jié)和真空制膜。用前一種技術(shù)制造的膜稱(chēng)為厚膜,其厚度一般在15微米以上,用后一種技術(shù)制造的膜稱(chēng)為薄膜,厚度從幾百到幾千埃。若混合集成電路的無(wú)源網(wǎng)路是厚膜網(wǎng)路,即稱(chēng)為厚膜混合集成電路;若是薄膜網(wǎng)路,則稱(chēng)為薄膜混合集成電路。為了滿(mǎn)足微波電路小型化、集成化的要求,又有微波混合集成電路。這種電路按元件參數(shù)的集中和分布情況,又分為集中參數(shù)和分布參數(shù)微波混合集成電路。集中參數(shù)電路在結(jié)構(gòu)上與一般的厚薄膜混合集成電路相同,只是在元件尺寸精度上要求較高。而分布參數(shù)電路則不同,它的無(wú)源網(wǎng)路不是由外觀(guān)上可分辨的電子元件構(gòu)成,而是全部由微帶線(xiàn)構(gòu)成。對(duì)微帶線(xiàn)的尺寸精度要求較高,所以主要用薄膜技術(shù)制造分布參數(shù)微波混合集成電路。 為便于自動(dòng)化生產(chǎn)和在電子設(shè)備中緊密組裝,混合集成電路的制造采用標(biāo)準(zhǔn)化的絕緣基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基片,可將一個(gè)或幾個(gè)功能電路制作在一塊基片上。制作過(guò)程是先在基片上制造膜式無(wú)源元件和互連線(xiàn),形成無(wú)源網(wǎng)絡(luò),然后安裝上半導(dǎo)體器件或半導(dǎo)體集成電路芯片。膜式無(wú)源網(wǎng)絡(luò)用光刻制版和成膜方法制造。在基片上按照一定的工藝順序,制造出具有各種不同形狀和寬度的導(dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)膜。把這些膜層相互組合,構(gòu)成各種電子元件和互連線(xiàn)。在基片上制作好整個(gè)電路以后,焊上引出導(dǎo)線(xiàn),需要時(shí),再在電路上涂覆保護(hù)層,最后用外殼密封即成為一個(gè)混合集成電路。 混合集成電路的應(yīng)用以模擬電路、微波電路為主,也用于電壓較高、電流較大的專(zhuān)用電路中。例如便攜式電臺(tái)、機(jī)載電臺(tái)、電子計(jì)算機(jī)和微處理器中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路、數(shù)-模和模-數(shù)轉(zhuǎn)換器等。在微波領(lǐng)域中的應(yīng)用尤為突出。 混合集成技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是:①用多層布線(xiàn)和載帶焊技術(shù),對(duì)單片半導(dǎo)體集成電路進(jìn)行組裝和互連,實(shí)現(xiàn)二次集成,制作復(fù)雜的多功能、高密度大規(guī)?;旌霞呻娐?。②無(wú)源網(wǎng)路向更密集、更精密、更穩(wěn)定方面發(fā)展,并且將敏感元件集成在它的無(wú)源網(wǎng)路中,制造出集成化的傳感器。③研制大功率、高電壓、耐高溫的混合集成電路。④改進(jìn)成膜技術(shù),使薄膜有源器件的制造工藝實(shí)用化。⑤用帶互連線(xiàn)的基片組裝微型片狀無(wú)引線(xiàn)元件、器件,以降低電子設(shè)備的價(jià)格和改善其性能。 |
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