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電子元件識(shí)別
電阻：
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電阻的色環(huán)與數(shù)字
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數(shù)字
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0
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1
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2
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3
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4
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5
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6
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7
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8
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9
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0.1
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0.01
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顏色
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黑
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棕
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紅
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橙
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黃
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綠
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藍(lán)
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紫
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灰
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白
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金
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銀
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四環(huán)電阻
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第一、二環(huán)為有效數(shù)字。第三環(huán)為有效數(shù)字后面的零的個(gè)數(shù)，以10的n次方平表示（n為0-9）。色環(huán)也可以為金、銀兩色，金色表示10的-1次方，銀色表示10的-2次方。第四環(huán)為誤差，金色表示±5%，銀色表示±10%。
例：
1、棕、灰、黃、金，其電阻值為18*10000±5%，記為180k±5%。
2、棕、紅、金、金，其電阻值為12*0.1±5%，記為1.2±5%。
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五環(huán)電阻
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前三個(gè)色環(huán)為有效值，第四個(gè)色環(huán)為有效值后面零的個(gè)數(shù)，以10的n次方平表示（n為0-9）。最后一個(gè)色環(huán)為誤差。
例：
1、黃、白、白、棕、棕，電阻值為499*10±1%，記為4.99k±1%。
2、橙、白、紅、紅、棕，電阻值為392*100±1%，記為39.2k±1%。
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色環(huán)識(shí)別
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四環(huán)電阻誤差位通常為金色，五環(huán)電阻誤差位通常為棕色。
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電容器
它的單位以F，µF,F表示。它們之間的關(guān)系是：1F=1000mF=1000000µF，1F=1000nF=1000000pF。國(guó)際電工委員會(huì)規(guī)定電容量表示法為：m代表1/1000，µ代表1/1000000，n代表1/1000000000，p代表1/1000000000000。用二位數(shù)字表示有效數(shù)字，再用一個(gè)字母表示數(shù)值的量級(jí)。如：1p2表示1.2pF,220n表示0.22µF，3µ3表示3.3µF,2m2表示2200µF。
另一種表示法，是用三位數(shù)字表示電容量，最后用一個(gè)字母表示誤差。三位數(shù)字中的前兩位表示有效值，第三位表示10的n次方，n=1-8，特殊情況是n=9時(shí)，不表示10的9次方，而表示為10的-1次方。
例如：
"102"表示10*100=1000pF
"223"表示22*1000=22000pF=0.022µF
"474"表示47*10000=0.47µF
"159"表示15*0.1=1.5pF
有效數(shù)字后面的字母表示誤差值，由于制造電容的材料不同，誤差范圍也不相同，有的誤差甚大。誤差值與字母的對(duì)應(yīng)關(guān)系如表所示：
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國(guó)外電容器容量誤差與字母代號(hào)對(duì)照表
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字母
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D
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F
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G
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J
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K
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M
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N
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P
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S
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Z
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誤差%
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±0.5
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±1
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±2
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±5
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±10
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±20
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±30
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±100,-20
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±50,-20
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±80,-20
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例如：102K，表示該電容容量為1000pF(±10%)。
電容器耐壓的標(biāo)注也有兩種常見(jiàn)方法，一種是把耐壓值直接印在電容器上，另一種是采用一個(gè)數(shù)字和一個(gè)字母組合而成。數(shù)字表示10的冪指數(shù)，字母表示數(shù)值，單位是V（伏）。
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字母
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A
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B
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C
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D
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E
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F
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G
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H
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J
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K
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Z
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耐壓值
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1.0
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1.25
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1.6
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2.0
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2.5
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3.15
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4.0
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5.0
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6.3
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8.0
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9.0
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例如：
1J代表 6.3*10=63V
2F代表 3.15*100=315V
3A代表 1.0*1000=1000V
1K代表 8.0*10=80V
數(shù)字最大為4，如4Z代表90000V。電容器（瓷介電容器）也有色碼表示法；它的顏色與色環(huán)電阻表示法基本相同。第一、二道色碼為數(shù)字的有效位。第三道為倍乘數(shù)，第四道為誤差范圍，第五道為溫度系數(shù)。另外，電解電容器，通常直接寫(xiě)上耐壓和容量，當(dāng)電解電容器損壞時(shí)，要用原來(lái)標(biāo)定值代換。
例如：濾波電容壞了，原來(lái)標(biāo)定的電壓值為200V，容量為330µF，更換時(shí)耐壓和容量都必須符合要求。耐壓可用超過(guò)200V的代換，而容量通常也用原來(lái)值。安裝時(shí)，不得將極性接反，接反極性會(huì)暴裂。
晶體二極管
二極管通常都用玻璃或塑料封裝，它具有單向?qū)щ娞匦?，二極管負(fù)極有標(biāo)記，例如：黑色塑料封裝的二極管負(fù)極端有一道白色環(huán)。二極管有容限電流，耐壓和頻率要求，更換二極管時(shí)要注意這三點(diǎn)。微機(jī)電源中的二極管容易損壞，低頻整流二極管損壞時(shí)，可用1N4006，1N5407等代換。1N4006為低頻二極管，最大電流為1A，反向擊穿電壓為700V，1N5407最大電流為3A，反向擊穿電壓為700V。高頻整流二極管損壞時(shí)，可有FR204代用，最大電流為2A，反向擊穿電壓為400V，其它二極管損壞時(shí)，要根據(jù)它在電路中的作用選擇型號(hào)。一般在電源電壓不高的邏輯電路中，選用1N4148即可，它的最大電流為150mA，耐壓為75V。
晶體三極管
1、日、美、西歐晶體三極管標(biāo)稱(chēng)法
日本半導(dǎo)體器件型號(hào)的標(biāo)稱(chēng)方法
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2
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S
|
C
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3
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0
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3
|
9
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d,e,f,g:日本電子協(xié)會(huì)登記順序號(hào)
c：A,B為PNP管；A,C為高頻管；C,D為NPN管；B,D為低頻管
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a
|
b
|
c
|
d
|
e
|
f
|
g
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b:為日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品，無(wú)論什么管都為S
a:1表示二極管 2表示三極管
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其中，第1位數(shù)字表示PN結(jié)的數(shù)量，二極管用1表示，三極管用2表示。第2位字母表示
注冊(cè)過(guò)了，所有的管子都用S表示。第3 位表示管型，對(duì)三極管來(lái)說(shuō)，其中A表示PNP高頻管，B表示PNP低頻管，C表示NPN高頻管，D表示NPN低頻管，F(xiàn)表示P控制極可控硅，G表示N控制極可控硅，H表示N基極單結(jié)晶體管，J表示P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，K表示N
溝道場(chǎng)效應(yīng)管，M表示雙向可控硅。最后的數(shù)字表示公布的順序號(hào)。
在晶體管上通常不印2S。因?yàn)樗芯w管的前兩位都是相同的，所以就省略了。如2SC3039在晶體管上只印C3039，它是NPN高頻三極管
2、美國(guó)對(duì)晶體管的命名法
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2
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N
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x
|
x
|
x
|
x
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a:用1表示二極管，2表示三極管
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|
a
|
b
|
c
|
d
|
e
|
f
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b:N表示注冊(cè)過(guò)標(biāo)記，c,d,e,f:注冊(cè)順序號(hào)
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第1位數(shù)字表示PN結(jié)數(shù)，用1表示二極管，用2表示三極管。第二位是字母，所有管子都用N，它表示已注冊(cè)過(guò)的標(biāo)記，后面緊跟著就是注冊(cè)順序號(hào)。從美國(guó)的晶體管標(biāo)稱(chēng)法上看不出管型，也看不出頻率范圍。有時(shí)，會(huì)遇到晶體管上只有數(shù)字，而無(wú)2N字樣。
3、歐洲國(guó)家晶體管標(biāo)稱(chēng)法
很多歐洲國(guó)家都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)推薦的命名法。命名格式如下所示：
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B
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U
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5
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0
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8
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A
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a:使用的材料 b:類(lèi)型和特性
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|
a
|
b
|
c
|
d
|
e
|
f
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c,d,e:登記的序號(hào) f:按某一參數(shù)分檔標(biāo)記
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如BU508A，可以從
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第一部分
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第二部分
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用字母表材料
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用字母表類(lèi)型及主要特性
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符號(hào)
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意義
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符號(hào)
|
意義
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符號(hào)
|
意義
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A
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鍺材料
|
A
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檢波，開(kāi)關(guān)和混頻二極管
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M
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封閉磁路中的霍爾元件
|
|
B
|
變?nèi)荻O管
|
P
|
光敏器件
|
|
B
|
硅材料
|
C
|
低頻小功率三極管
|
Q
|
發(fā)光器件
|
|
D
|
低頻大功率三極管
|
R
|
小功率可控硅
|
|
C
|
砷化鎵
|
E
|
隧道二極管
|
S
|
小功率開(kāi)關(guān)管
|
|
F
|
高頻小功率三極管
|
T
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大功率可控硅
|
|
D
|
銻化銦
|
G
|
復(fù)合器件有其他器件
|
U
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大功率開(kāi)關(guān)管
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H
|
磁敏二極管
|
X
|
倍增二極管
|
|
R
|
復(fù)合材料
|
K
|
開(kāi)放磁路中霍爾元件
|
Y
|
整流二極管
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L
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高頻大功率三極管
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Z
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穩(wěn)壓二極管（齊納二極管）
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